财联社5月19日电，在人工智能算力需求引发全球存储芯片涨价、国产化率逐步提升的背景下，存储芯片板块已迎来业绩增长与估值修复双重驱动的窗口期。Wind数据显示，A股存储芯片板块5月18日表现亮眼，万得存储器概念指数上涨3.98%。分析人士认为，存储芯片景气周期的持续性和强度与过往周期有所不同，国内存储产业链有望在更长周期内维持较高景气度。

财联社5月18日电，CINNO Research指出，进入5月，受上游存储器价格大幅上涨及终端品牌采购需求收缩的双重冲击，手机面板市场需求持续疲软。与此同时，铜、银等大宗商品涨价带动FPC、IC等关键资材的涨价预期升温，在买方议价权进一步增强的背景下，面板厂面临着严峻的成本与订单博弈，各技术路线面板价格延续下行态势。CINNO Research预测，2026年5月和2026年6月，a-Si模组价格与LTPS面板价格或将继续走低；AMOLED面板价格亦将维持在下降通道。

《科创板日报》18日讯，消息传出，三星电子近期的高带宽存储器（HBM）用DRAM良率已大幅提升，1b DRAM良率达92%、1c DRAM破75%。

《科创板日报》15日讯，三星电子正在开发下一代HBM封装技术，旨在为智能手机和平板电脑等移动设备提供高性能的设备端AI。该技术名为“多层堆叠FOWLP”，结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装（FOWLP），并对现有的垂直铜柱堆叠（VCS）技术进行了改进。虽然服务器级HBM已经具备高带宽，但移动设备在尺寸、厚度、功耗和发热量方面面临着更为严格的限制。

《科创板日报》15日讯，中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，AI热潮带动电源管理、数据传输等芯片需求提升，同时挤压NOR Flash等存储器产能供应链，使得公司独立式闪存工艺平台及模拟工艺台需求旺盛。公司车规工艺覆盖逻辑、模拟BCD、嵌入式存储、独立式显存、显示驱动、图像传感器、功率器件等，经多年打磨逐步放量，尤其是车规模拟BCD平台需求旺盛、订单饱满。（记者 陈俊清）

《科创板日报》14日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器调查，2026年第二季Mobile DRAM合约价持续大幅上扬，智能手机品牌面临更沉重的成本压力。其中，韩系两大原厂价格策略出现分化：三星倾向一次到位，涨幅相对显著；而从SK海力士目前提供的临时报价来看，涨幅相对温和，采取循序垫高的策略，预估五月下旬完成定价。整体而言，TrendForce集邦咨询预估，第二季LPDDR4X平均销售单价（ASP）将至少季增70%–75%，LPDDR5X则季增78%–83%。

《科创板日报》12日讯，随着主要存储器业务趋于稳定，三星电子DS事业部正在商讨恢复对下一代半导体的研发和投资。据悉，此次商讨的重点在于研发方向和设施投资的时间安排。正在讨论重启的主要新业务包括下一代NAND闪存、化合物半导体以及先进封装和基板。

财联社5月12日电，全球存储芯片龙头SK海力士、三星电子股价5月11日创下历史新高。AI算力需求、大厂资本投入持续带动存储芯片需求。高盛研报显示，市场正面临15年来最严重的存储芯片供应短缺。机构预计存储芯片今年二季度价格将持续大幅上涨。中国供应链也受益于本轮涨价，今年一季度，A股存储器公司业绩普遍实现高增长，多家上市公司今年以来股价涨幅超100%。

财联社5月6日电，三星电子市值达到1万亿美元，随着人工智能AI芯片的需求激增，这家全球最大的存储器制造商股价在过去一年里上涨了三倍多。周三早盘这家韩国公司的股价一度上涨11%，使其成为继台积电之后第二家达到万亿美元里程碑的亚洲公司。三星电子和同行SK海力士、台积电处于一场变革的核心，在这期间亚洲成为全球AI生态系统的基石。这一转变推动区域科技股强劲上涨——SK海力士和台积电本月也创下纪录新高，投资者押注对先进芯片和算力的持续需求。

《科创板日报》28日讯，SK海力士宣布，其高带宽存储器（HBM）混合键合工艺的良率已得到提升。公司技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）表示，采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成，目前正在提高良率，以便将其应用于量产。

《科创板日报》24日讯，随着固态硬盘（SSD）需求持续升温，新一波涨价潮正式展开。三星电子已通知渠道，旗下SSD产品价格调涨逾10%；另一大存储厂商金士顿同步跟进，本周起全系列SSD至少涨价10%。市场预期，两大厂调价将引发连锁效应，带动整体SSD市场报价全面走高。事实上，这已是本月内SSD产品第二轮提价。在此之前，三星与西部数据已针对高阶M.2规格产品实施大规模涨价，部分地区甚至出现价格翻倍的情况。

财联社4月23日电，高盛预计2026年DRAM、NAND市场价格将分别飙升250-280%和200-250%（相比1月份预测的150%/100%大幅上调）。这一现象主要受AI服务器需求和供应受限的双重驱动，预示着市场紧缺程度将远超此前预期。

财联社4月23日电，SK海力士表示，由于存储器供应商与客户一致认为长期供需可见性至关重要，公司预计不会出现以往规模的存储器供应过剩问题。

《科创板日报》22日讯，消息称三星电子已撤回10纳米级第七代1d DRAM原订的量产计划。这让业界担心，三星的次时代高带宽存储器（HBM）蓝图恐将出现部分延误。