财联社8月5日电，据媒体报道，苹果公司曾试图与长鑫存储（CXMT）商谈更低的DRAM（动态随机存取存储器）采购价格，但遭到拒绝。长鑫存储坚持要求报价不低于三星电子和SK海力士，甚至更高。原因很简单，华为和小米等中国本土企业已通过长期合同锁定了长鑫存储的产能，因此长鑫存储无需迁就苹果公司苛刻的条件。报道指出，大型科技公司此前常利用“若诉求未获满足便转而采购中国制造产品”作为谈判筹码，而这一途径如今实际上已被切断。

财联社8月5日电，据TrendForce集邦咨询最新发布的存储现货价格趋势报告，DRAM现货价格上涨势头自7月下旬以来有所减弱，4Gb DDR4和2Gb DDR3价格在交易量有限的情况下小幅上涨。NAND闪存方面，尽管本周512GbTLC Wafer的现货价格上涨了4.55%，但由于缺乏强劲的购买需求，价格反弹势头依然疲软。

《科创板日报》4日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除了英伟达外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

《科创板日报》4日讯，业界人士指出，近期原厂已完成2027全年产能分配谈判，三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧，但预计2026年8月底前的产能也将被预订完毕。无论是否签订LTA长期合约，买家均配合原厂的提前预付订金模式，这将应验2027年是“存储最短缺一年”的看法，但后续价格涨幅有望趋缓。

财联社8月3日电，在ViaSat提起的诉讼中，铠侠硬盘业务部门被法院判令支付2.29亿美元赔偿金。铠侠表示，已在2026年第一季度就相关诉讼计提了损失准备金。

财联社7月31日电，根据Omdia最新发布的数据，2026年第二季度全球智能手机出货量同比下降6%，降至2.72亿部。此前，2026年第一季度受提前备货需求带动，市场表现较强，而第二季度则进入存储器成本周期的调整阶段。持续高企的存储价格扰乱了供应，推高了元器件成本，迫使厂商重新思考定价策略、产品组合和渠道战略。

财联社7月30日电，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。

财联社7月29日电，SK海力士表示，主要客户持续提出增加存储器供货需求，存储器供应紧张态势将持续较长一段时间。

财联社7月21日电，消费市场上的内存价格正在进一步上涨，一份具有代表性的德国内存价格调查发现，7月DDR5内存价格再次创下新高。3D Center报告指出，德国多种DDR5台式机内存套装的平均价格较2025年7月水平上涨448%，比今年1月和2月的高点440%再次上涨，环比上涨了7.1%。

财联社7月21日电，根据全球半导体行业协会（SEMI）发布的报告，2026年全球半导体设备销售额预计将增长23.2%，达到1659亿美元，到2028年将创下历史新高，达到2295亿美元。SEMI代表全球约3000家电子设计和制造企业。该协会表示，人工智能基础设施的扩展以及对先进逻辑芯片和下一代存储产品（包括高带宽内存HBM）的投资，将推动市场增长。晶圆制造设备市场规模到2028年预计将达到2000亿美元，这得益于人工智能相关生产能力的扩大以及向先进制造工艺的转型。内存设备投资也预计将显著增长，这主要得益于对HBM（高带宽内存）需求的上升，以及向先进动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存产品转型。2028年，全球DRAM和NAND设备的销售额预计将分别达到569亿美元和208亿美元。

财联社7月17日电，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森研究团队北京时间7月17日凌晨在《科学》（Science）发表重磅成果，他们发明的“量子闪存”（Quantum Flash）技术，成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构，首次在室温（27℃）环境下清晰观测到了单电子的非易失性存储行为，这不仅彻底打破了“单电子存储”无法实现的传统认知，开创了单电子量子存储的全新理论体系，更为AI时代算力革命奠定关键理论基础。该研究将电荷存储的信息密度提升至理论极限，实现了“一电子一比特”，也为面向人工通用智能（AGI）需求的高密度存储器研发提供了新的技术基础。目前，团队已系统性地打通了从底层材料、器件创新到高端芯片集成与应用的全链条：“破晓”实现存取速度突破，“归壹”解决密度极限，“长缨”完成了与现有CMOS硅工艺兼容的原型芯片验证。