《科创板日报》12日讯，消息称三星电子正为微软和Meta量身打造第六代定制化高带宽存储器（HBM）HBM4。业界预期从HBM4开始，除了存储器功能外，HBM还需具备能够执行客户需求的各种运算。

财联社11月8日电，TechInsights在对计算行业商品元器件供应的分析发现，过去四个季度（包括2024年第三季度）的半导体交货期稳定在14周。TechInsights的元器件价格概况（CPL)研究，通过对向计算行业供货的二十多家公司进行了调查，发现存储器元器件的交货期环比缩短了21%（即缩短了三周）。自2022年第三季度以来，存储器元器件的交货期通常比计算行业的平均水平要长，但在2024年第三季度，其平均交货期缩短至12周，现在比平均水平快了整整两周。尽管整体平均交货期与上一季度相近，但在2024年第三季度，部分计算元器件领域的交货期有所延长，包括射频半导体IC（+9%）和嵌入式处理器及控制器（+9%），而存储器（-21%）和电路保护组件（-12%）的供应商则相比上一季度实现了更短的交货期。

《科创板日报》7日讯，日本NAND Flash大厂铠侠将在今后3年内投资360亿日元，用以研发AI用CXL(Compute Express Link)省电存储器，日本政府将最高补助50%费用，目标在2030-2034年间实现商业化。

《科创板日报》6日讯，据TrendForce集邦咨询研报，DRAM产业历经2024年前三季度的库存去化和价格回升，价格动能于第四季度出现弱化。由于部分供应商在今年获利后展开新增产能规划，预估2025年整体DRAM产业将年增25%，成长幅度较2024年大。

《科创板日报》6日讯，SK海力士近期与ASICLAND签订311亿韩元（约2256万美元）规模的CXL（Compute Express Link）高速互联存储器控制器设计合约，期限至2026年6月30日。ASICLAND致力于协助客户使用适合台积电代工制程的半导体IP进行设计，并支持最终产品量产。考虑研发所需时间，预计CXL 3.0或3.1芯片将通过台积电5纳米制程量产。

《科创板日报》5日讯，据报道，SK海力士计划逐步降低DDR4的生产比重。今年第3季度SK海力士DDR4的生产比重已从第2季度的40%降至30%，第4季度更计划进一步降至20%，并将把有限产能转向人工智能用存储器及先进DRAM产品。

《科创板日报》28日讯，存储器业内人士表示，在规格升级带动下，HBM价格2025年势必将向上扬升。服务器存储器如DDR5等，在近一年多来已持续拉抬价格，但相较于HBM价差仍有3~4倍以上，预估DDR5涨势也将能延续至2025年。不过服务器客户的采购动能趋缓，库存逐渐垫高，加上DDR5供给逐渐改善，第四季涨幅将转为平缓。

《科创板日报》23日讯，SK海力士表示，未来SK海力士将根据客户需求，推出CXL（Compute Express Link）、新型低功耗存储器LPCAMM等产品，这些成果预计到2025年左右推出。

《科创板日报》17日讯，消息人士透露，SK海力士正在削减其商业性较低的图像传感器和代工业务，加强专注于高利润的高带宽存储器（HBM）和AI存储器。SK海力士正在削减其CMOS图像传感器（CIS）研发投入，产能预计较去年减少一半以上，至每月不足7000片12英寸晶圆。此外，负责设计存储控制器等的片上系统（SoC）设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。

《科创板日报》9日讯，TrendForce集邦咨询预估，第四季存储器均价涨幅将大幅缩减，其中，一般型DRAM涨幅为0%至5%之间，但由于HBM比重逐渐提高，DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%，较前一季涨幅明显收敛。

《科创板日报》19日讯，摩根士丹利最新报告直言存储器市场“寒冬将至”，DRAM市场恐从周期性高峰回落，预期最快将于四季度反转向下，开始面临供过于求压力，不仅接下来市况（订单、价格）更具挑战，供过于求问题更会一路延续至2026年。

《科创板日报》3日讯，为了应对大芯片趋势及AI负载对更多HBM的需求，台积电计划将InFO-SoW与SoIC结合，形成CoW-SoW，将存储器或逻辑芯片堆叠在晶圆上，并预计在2027年开始量产。

《科创板日报》3日讯，因生成式AI服务器需求强劲、客户接受存储器厂商的涨价要求，带动SSD价格进一步走高。2024年7-9月期间SSD指针性产品TLC 256GB批发价（大宗交易价格）为每台36.1美元左右，环比上涨约10%，容量较大的512GB价格为每台67.7美元左右，环比上涨约10%，价格皆连续四个季度上升。其中，256GB产品价格一年来上涨约五成，创2021年10-12月以来新高。

财联社8月29日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM（内存）库存，到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而，消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买，市场继续萎缩。这种情况下，以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价的潜在趋势。TrendForce集邦咨询表示，2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash（闪存）零售渠道的出货量已大幅年减40%，反映出全球消费性存储器市场正面临严峻挑战。存储器产业虽一向受周期因素影响，但今年上半年的出货下滑明显超出市场预期，这预示着下半年的需求不会大幅回温。目前还未明确观察到AI手机或AI PC在接下来几季能有合理的应用出现，即使渗透率因平台商推广而有所提高，也难以带起全面换机潮，因此无法带动DRAM价格。从2025年的情况来看，虽然预期DRAM价格会逐季上扬，但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价，以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软，DRAM价格上涨的幅度将低于预期。

《科创板日报》27日讯，SK海力士第六代高带宽存储器（HBM4）商用化计划顺利推动，传针对主要客户NVIDIA的HBM4设计已进入收尾阶段，预计于2024年10月完成设计定案。

《科创板日报》22日讯，受惠于AI商机带来红利，存储器大厂营运持续复苏成长，市场预期，在HBM需求急增以及DDR5渗透率提升带动下，整体DRAM产品均价将持续上涨，2024年平均涨幅约达五至六成以上，尽管基期已拉高，但2025年仍有机会维持三至四成的涨幅，HBM将是直接牵动DRAM产业供需及价格走势的关键。8层堆叠的HBM平均价格约较DDR5约高出5倍，而业界HBM的良率仍有很大的改善空间，以及AI服务器推动存储器需求增加，带动HBM在整体DRAM产能及产值的比重逐年提升，预计2025年在DRAM总产能比重将超过10%，而产值贡献将可望超过30%以上。