《科创板日报》16日讯，据TrendForce报道，西部数据近日通知客户将逐步提高所有HDD（机械硬盘）产品的价格。西部数据声称，其存储产品组合中每种容量的需求都达到了前所未有的水平，并且该公司正在投资先进的创新技术。

《科创板日报》15日讯，被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。

《科创板日报》10日讯，CFM闪存市场最新报告显示，预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情，为明年春季行情走势奠定基调。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上，预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅，手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。

财联社9月4日电，9月4日在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微公司宣布推出六款半导体设备新产品。这些设备覆盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺。在此次新品发布中，中微公司推出的12英寸原子层沉积产品Preforma Uniflash®金属栅系列，成为薄膜沉积领域的一大亮点。该系列涵盖三大产品，能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。

《科创板日报》11日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，相较PC和Server市场，近期消费级DRAM的供应更加紧张，其终端需求来自工控、网通、电视、消费性电子及控制器等，主要存储器的采用规格为DDR4，但供给排序在PC与Server应用之后，使得该市场供需失衡相对更加严峻。七月消费级DDR4合约价飙涨逾60~85%，因此大幅上修第三季消费级DDR4合约价到季增85%-90%。

《科创板日报》29日讯，存储器大厂先后释出DDR4 DRAM停产计划，无法立即升级的客户已陆续转向DDR4新供应商的验证。存储器模块业者表示，DDR4第二季终端客户追单积极，延续至下半年的销售动能仍强劲，现货价格强劲推升，甚至超过DDR5行情。预期DDR4涨价效应仍可持续到2025年底，而DDR5用量也将逐季成长，各界则推估，2026年第一季起，DDR4涨价动能逐季减缓。

《科创板日报》23日讯，根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DDR4方面，由于两大韩系供应商对消费级DRAM芯片实施月度大幅涨价，此前价格下跌的势头有所缓和。NAND闪存方面，受制于买卖双方预期价格差异，大容量产品在实际交易中较为稀缺。

《科创板日报》24日讯，TrendForce集邦咨询预期，英伟达RTX PRO 6000将于今年下半年推出，该机构分析，英伟达的存储器采购策略，为针对不同产品类别多元化供应商布局，HBM主要由SK海力士提供、美光科技为第二供应商，在LPDDR类别以美光科技为主要合作伙伴，GDDR则仰赖三星供应。

《科创板日报》24日讯，据业DRAM报价网站DRAMeXchange显示，DDR4现货价持续飙涨，23日晚间DDR4 16Gb芯片均价为12美元，同为16Gb容量的DDR5 16G（2Gx8）4800/5600报价6.014美元，这也是DRAM史上首次出现前一代产品报价比最新规格高100%。