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手机、大数据、AI 和数据中心等新兴市场的崛起,为DRAM带来了巨大的增长空间。根据IC Insights在今年7月发布的IC产品市场排名报告显示,在2019年所有IC产品中,DRAM市场仍将成为最大的类别,其销售额将达到620亿美元。
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  • 11-18 20:03 来自 科创板日报记者 张洋洋
    金融数智化呼唤存力变革 “先进存力”有望打出中国科技新名片
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  • 11-12 11:08 来自 台湾电子时报
    《科创板日报》12日讯,消息称三星电子正为微软和Meta量身打造第六代定制化高带宽存储器(HBM)HBM4。业界预期从HBM4开始,除了存储器功能外,HBM还需具备能够执行客户需求的各种运算。
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  • 11-08 13:59 来自 财联社
    财联社11月8日电,TechInsights在对计算行业商品元器件供应的分析发现,过去四个季度(包括2024年第三季度)的半导体交货期稳定在14周。TechInsights的元器件价格概况(CPL)研究,通过对向计算行业供货的二十多家公司进行了调查,发现存储器元器件的交货期环比缩短了21%(即缩短了三周)。自2022年第三季度以来,存储器元器件的交货期通常比计算行业的平均水平要长,但在2024年第三季度,其平均交货期缩短至12周,现在比平均水平快了整整两周。尽管整体平均交货期与上一季度相近,但在2024年第三季度,部分计算元器件领域的交货期有所延长,包括射频半导体IC(+9%)和嵌入式处理器及控制器(+9%),而存储器(-21%)和电路保护组件(-12%)的供应商则相比上一季度实现了更短的交货期。
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  • 11-07 08:48 来自 日经新闻
    《科创板日报》7日讯,日本NAND Flash大厂铠侠将在今后3年内投资360亿日元,用以研发AI用CXL(Compute Express Link)省电存储器,日本政府将最高补助50%费用,目标在2030-2034年间实现商业化。
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  • 11-06 13:00 来自 财联社
    《科创板日报》6日讯,据TrendForce集邦咨询研报,DRAM产业历经2024年前三季度的库存去化和价格回升,价格动能于第四季度出现弱化。由于部分供应商在今年获利后展开新增产能规划,预估2025年整体DRAM产业将年增25%,成长幅度较2024年大。
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  • 11-06 08:24 来自 ET News
    《科创板日报》6日讯,SK海力士近期与ASICLAND签订311亿韩元(约2256万美元)规模的CXL(Compute Express Link)高速互联存储器控制器设计合约,期限至2026年6月30日。ASICLAND致力于协助客户使用适合台积电代工制程的半导体IP进行设计,并支持最终产品量产。考虑研发所需时间,预计CXL 3.0或3.1芯片将通过台积电5纳米制程量产。
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  • 11-05 10:49 来自 首尔经济
    《科创板日报》5日讯,据报道,SK海力士计划逐步降低DDR4的生产比重。今年第3季度SK海力士DDR4的生产比重已从第2季度的40%降至30%,第4季度更计划进一步降至20%,并将把有限产能转向人工智能用存储器及先进DRAM产品。
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  • 10-28 08:57 来自 台湾电子时报
    《科创板日报》28日讯,存储器业内人士表示,在规格升级带动下,HBM价格2025年势必将向上扬升。服务器存储器如DDR5等,在近一年多来已持续拉抬价格,但相较于HBM价差仍有3~4倍以上,预估DDR5涨势也将能延续至2025年。不过服务器客户的采购动能趋缓,库存逐渐垫高,加上DDR5供给逐渐改善,第四季涨幅将转为平缓。
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  • 10-23 15:10 来自 财联社
    《科创板日报》23日讯,SK海力士表示,未来SK海力士将根据客户需求,推出CXL(Compute Express Link)、新型低功耗存储器LPCAMM等产品,这些成果预计到2025年左右推出。
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  • 10-17 12:53 来自 ZDNET Korea
    《科创板日报》17日讯,消息人士透露,SK海力士正在削减其商业性较低的图像传感器和代工业务,加强专注于高利润的高带宽存储器(HBM)和AI存储器。SK海力士正在削减其CMOS图像传感器(CIS)研发投入,产能预计较去年减少一半以上,至每月不足7000片12英寸晶圆。此外,负责设计存储控制器等的片上系统(SoC)设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。
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  • 10-09 15:21 来自 财联社
    《科创板日报》9日讯,TrendForce集邦咨询预估,第四季存储器均价涨幅将大幅缩减,其中,一般型DRAM涨幅为0%至5%之间,但由于HBM比重逐渐提高,DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%,较前一季涨幅明显收敛。
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  • 09-29 13:29 来自 科创板日报 郑远方
    存储行业又陷“凛冬疑云”:模组龙头启动降价 多厂商库存高企
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  • 09-19 08:25 来自 台湾经济日报
    《科创板日报》19日讯,摩根士丹利最新报告直言存储器市场“寒冬将至”,DRAM市场恐从周期性高峰回落,预期最快将于四季度反转向下,开始面临供过于求压力,不仅接下来市况(订单、价格)更具挑战,供过于求问题更会一路延续至2026年。
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  • 09-13 16:20 来自 科创板日报 宋子乔
    AI浪潮席卷固态硬盘 韩国出口数据揭示火热行情 三季度合约价或继续上涨
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  • 09-03 16:20 来自 台湾工商时报
    《科创板日报》3日讯,为了应对大芯片趋势及AI负载对更多HBM的需求,台积电计划将InFO-SoW与SoIC结合,形成CoW-SoW,将存储器或逻辑芯片堆叠在晶圆上,并预计在2027年开始量产。
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  • 09-03 08:42 来自 财联社
    《科创板日报》3日讯,因生成式AI服务器需求强劲、客户接受存储器厂商的涨价要求,带动SSD价格进一步走高。2024年7-9月期间SSD指针性产品TLC 256GB批发价(大宗交易价格)为每台36.1美元左右,环比上涨约10%,容量较大的512GB价格为每台67.7美元左右,环比上涨约10%,价格皆连续四个季度上升。其中,256GB产品价格一年来上涨约五成,创2021年10-12月以来新高。
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  • 08-29 13:55 来自 财联社
    财联社8月29日电,根据TrendForce集邦咨询最新调查,存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM(内存)库存,到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而,消费电子需求未如预期回温,如智能手机领域已出现整机库存过高的情况,笔电市场也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买,市场继续萎缩。这种情况下,以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱,第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩,但也暗示合约价的潜在趋势。TrendForce集邦咨询表示,2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash(闪存)零售渠道的出货量已大幅年减40%,反映出全球消费性存储器市场正面临严峻挑战。存储器产业虽一向受周期因素影响,但今年上半年的出货下滑明显超出市场预期,这预示着下半年的需求不会大幅回温。目前还未明确观察到AI手机或AI PC在接下来几季能有合理的应用出现,即使渗透率因平台商推广而有所提高,也难以带起全面换机潮,因此无法带动DRAM价格。从2025年的情况来看,虽然预期DRAM价格会逐季上扬,但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价,以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软,DRAM价格上涨的幅度将低于预期。
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  • 08-27 15:14 来自 台湾电子时报
    《科创板日报》27日讯,SK海力士第六代高带宽存储器(HBM4)商用化计划顺利推动,传针对主要客户NVIDIA的HBM4设计已进入收尾阶段,预计于2024年10月完成设计定案。
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  • 08-23 07:45 来自 科技日报 张佳欣
    新技术实现全方位DNA数据存储和计算功能
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  • 08-22 09:27 来自 台湾电子时报
    《科创板日报》22日讯,受惠于AI商机带来红利,存储器大厂营运持续复苏成长,市场预期,在HBM需求急增以及DDR5渗透率提升带动下,整体DRAM产品均价将持续上涨,2024年平均涨幅约达五至六成以上,尽管基期已拉高,但2025年仍有机会维持三至四成的涨幅,HBM将是直接牵动DRAM产业供需及价格走势的关键。8层堆叠的HBM平均价格约较DDR5约高出5倍,而业界HBM的良率仍有很大的改善空间,以及AI服务器推动存储器需求增加,带动HBM在整体DRAM产能及产值的比重逐年提升,预计2025年在DRAM总产能比重将超过10%,而产值贡献将可望超过30%以上。
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