《科创板日报》3日讯，为了应对大芯片趋势及AI负载对更多HBM的需求，台积电计划将InFO-SoW与SoIC结合，形成CoW-SoW，将存储器或逻辑芯片堆叠在晶圆上，并预计在2027年开始量产。

《科创板日报》3日讯，因生成式AI服务器需求强劲、客户接受存储器厂商的涨价要求，带动SSD价格进一步走高。2024年7-9月期间SSD指针性产品TLC 256GB批发价（大宗交易价格）为每台36.1美元左右，环比上涨约10%，容量较大的512GB价格为每台67.7美元左右，环比上涨约10%，价格皆连续四个季度上升。其中，256GB产品价格一年来上涨约五成，创2021年10-12月以来新高。

财联社8月29日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM（内存）库存，到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而，消费电子需求未如预期回温，如智能手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买，市场继续萎缩。这种情况下，以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价的潜在趋势。TrendForce集邦咨询表示，2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash（闪存）零售渠道的出货量已大幅年减40%，反映出全球消费性存储器市场正面临严峻挑战。存储器产业虽一向受周期因素影响，但今年上半年的出货下滑明显超出市场预期，这预示着下半年的需求不会大幅回温。目前还未明确观察到AI手机或AI PC在接下来几季能有合理的应用出现，即使渗透率因平台商推广而有所提高，也难以带起全面换机潮，因此无法带动DRAM价格。从2025年的情况来看，虽然预期DRAM价格会逐季上扬，但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价，以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软，DRAM价格上涨的幅度将低于预期。

《科创板日报》27日讯，SK海力士第六代高带宽存储器（HBM4）商用化计划顺利推动，传针对主要客户NVIDIA的HBM4设计已进入收尾阶段，预计于2024年10月完成设计定案。

《科创板日报》22日讯，受惠于AI商机带来红利，存储器大厂营运持续复苏成长，市场预期，在HBM需求急增以及DDR5渗透率提升带动下，整体DRAM产品均价将持续上涨，2024年平均涨幅约达五至六成以上，尽管基期已拉高，但2025年仍有机会维持三至四成的涨幅，HBM将是直接牵动DRAM产业供需及价格走势的关键。8层堆叠的HBM平均价格约较DDR5约高出5倍，而业界HBM的良率仍有很大的改善空间，以及AI服务器推动存储器需求增加，带动HBM在整体DRAM产能及产值的比重逐年提升，预计2025年在DRAM总产能比重将超过10%，而产值贡献将可望超过30%以上。

《科创板日报》13日讯，据业内人士透露，SK海力士正在提高利川M16工厂的DRAM产能。公司已经向主要设备供应商订购核心设备，预计设备将从今年Q4开始供货，明年初开始增加产能。

《科创板日报》9日讯，SK海力士首席执行官郭鲁正表示，由于HBM等高性能存储器芯片的强劲需求，存储器芯片市场还将维持一段时间的乐观态势，预计存储器芯片市场将持续活跃到明年年初。SK海力士认为，随着人工智能市场的扩大，明年存储器的需求将持续增长，并制定了积极应对的战略。SK海力计划在本季度向主要客户供应12层HBM3E样品并开始量产，并将在明年下半年推出与台积电合作开发的12层HBM4。

《科创板日报》7日讯，据TrendForce集邦咨询了解，英伟达仍计划在2024年下半年推出B100及B200，供应CSPs（云端服务业者）客户，并规划于2024年第三季后陆续供货。在CoWoS-L良率和量产尚待整备的情况下，英伟达同步规划降规版B200A给其他企业客户，并转为采用CoWoS-S封装技术。B200A的存储器规格将采用4颗HBM3e（第五代高带宽内存）12hi（12层堆叠），总容量为144GB。预期OEMs（原始设备制造商）应会于2025年上半年正式拿到B200A芯片。到2025年Blackwell平台将占英伟达高端GPU逾八成，并促使英伟达高端GPU系列的出货年增率上升至55%。

《科创板日报》5日讯，存储器大厂华邦电总经理陈沛铭表示，下半年重点会放在DDR4生产，4Gb DDR4与LPDDR4已自7月起放量出货。目前营运已过低点，处于稳定向上复苏期，期望下一步可回到2022年第三季存储产业的水平。陈沛铭表示，D20新制程产量下半年会大幅成长，特别是DDR4部分，产品线会较D25s制程更全面。

《科创板日报》26日讯，随着HBM高价产品贡献获利的快速成长，带动产能排挤及产业供需改善，各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估，三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM，尽管企业级储存需求强劲，但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧，相较于过去两年，三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬，各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位，但市场估计，第三季NAND Flash或微幅供过于求，而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。

《科创板日报》22日讯，据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起，预估DRAM（内存）及NAND Flash（闪存）产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。而2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%，营收将创历史新高，并且推动资本支出回温、带动上游原料需求，只是存储器买方成本压力将随之上升。

《科创板日报》19日讯，德国亥姆霍兹-德累斯顿-罗森多夫中心、开姆尼茨工业大学、德累斯顿工业大学和于利希工业中心联合团队合作开发出一种超材料，材料中的圆柱域不仅可存储单个比特，还可存储整个比特序列。发表在最新《先进电子材料》的这一成果，为研发新型数据存储器和传感器、神经网络的磁性变体铺平道路。

财联社7月17日电，从安徽大学获悉，该校杜海峰教授带领新型拓扑磁性材料与存储器件团队，运用聚焦离子束微纳器件制备技术，制备出了世界上最小尺寸的斯格明子赛道器件单元。该单元赛道宽度为100纳米，实现了纳秒电脉冲驱动下，100纳米宽度赛道中80纳米磁斯格明子一维、稳定、高效的运动，为构筑高密度、高速度、可靠的新型拓扑磁电子学器件提供了重要支撑。相关研究成果日前发表在《自然·通讯》上。

财联社7月12日电，在三星工会本周号召举行大罢工之后，数百名员工于7月11日和12日在三星位于首尔南部平泽的高带宽存储器工厂前参加罢工活动，这与周一在华城工厂外举行的数千人公开集会相去甚远。三星电子工会副主席李贤国表示，瞄准高端芯片生产线是针对管理层的“最有效”措施。

《科创板日报》9日讯，第二季消费性电子需求疲弱，终端市场持续处于库存去化阶段，存储器模块厂普遍感受到买气冷清，包括威刚、广颖、宇瞻等6月合并营收均呈现下滑，十铨的B2B专案则逆势拉升营收创下新高纪录。上游原厂和代理端均预期，DRAM现货止跌迹象显现，第三季合约价格将延续调涨。