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手机、大数据、AI 和数据中心等新兴市场的崛起,为DRAM带来了巨大的增长空间。根据IC Insights在今年7月发布的IC产品市场排名报告显示,在2019年所有IC产品中,DRAM市场仍将成为最大的类别,其销售额将达到620亿美元。
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  • 昨天 17:56 来自 科创板日报记者 郭辉
    国产存储迎来里程碑时刻!长鑫科技过会 科创板首单 “预先审阅” 项目迈出重要一步
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  • 昨天 15:04 来自 科创板日报 郑远方
    科技巨头排队“送钱” SK海力士“十动然拒”:只要长约
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  • 昨天 07:49 来自 财联社
    大涨超19%!美光总市值突破1万亿美元 存储行业景气度爆表
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  • 05-26 17:05 来自 财联社
    财联社5月26日电,Micron(美光)近日宣布,其美国弗吉尼亚州Fab 6开始投产1α nm制程的LPDDR4和DDR4,主要供应给汽车、国防航天、工业、网通及医疗等关键领域客户。根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,Fab 6扩产主要反映Micron内部产能配置调整,而非重启对消费性DDR4的供给。TrendForce集邦咨询分析,Micron将调整Fab 6的生产重心至LPDDR4及DDR4,并以前者为主,预估该厂整体投片量将于2027年第四季成长至2026年第二季的1.5倍。其中,1α nm的投片将于2026年底开始量产,并于2027年提升投片至四倍规模。同时,OMT厂的1α nm将逐季减产,整体DDR4与LPDDR4并无扩产的规划。
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  • 05-22 07:37 来自 科技日报
    新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍
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  • 05-22 06:57 来自 科技日报
    财联社5月22日电,美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能(AI)任务,又能承受太空中的极端辐射,其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。相关研究论文已发表于最新一期《纳米快报》杂志。新型NAND闪存利用了与硅工艺兼容的氧化铪材料的铁电性,即材料在一定温度范围内会自发产生极化,且极化方向可在外部电场作用下翻转。这一特性使铁电材料在信息存储、传感、人工智能及新一代低功耗芯片等领域颇具应用潜力。测试结果显示,这款铁电闪存可承受高达100万拉德(辐射吸收剂量)的辐射,相当于1亿次X射线照射,辐射耐受性是传统存储器的30倍。
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  • 05-21 12:32 来自 财联社
    《科创板日报》21日讯,存储器厂南亚科董事长邹明仁表示,公司今年将完成16Gb规格DDR5产品的验证工作,推进LPDDR5产品试产进度,同时加快1C、1D、1E自研制程工艺的研发。预计2026年资本支出超过520亿新台币。总经理李培瑛表示,新厂预计明年开始装机,明年底至后年将贡献产出,预期会增加3万多片,预期2-3年后南亚科产能将比目前增加80%至100%。
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  • 05-19 06:53 来自 中证报
    财联社5月19日电,在人工智能算力需求引发全球存储芯片涨价、国产化率逐步提升的背景下,存储芯片板块已迎来业绩增长与估值修复双重驱动的窗口期。Wind数据显示,A股存储芯片板块5月18日表现亮眼,万得存储器概念指数上涨3.98%。分析人士认为,存储芯片景气周期的持续性和强度与过往周期有所不同,国内存储产业链有望在更长周期内维持较高景气度。
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  • 05-18 18:51 来自 财联社
    财联社5月18日电,CINNO Research指出,进入5月,受上游存储器价格大幅上涨及终端品牌采购需求收缩的双重冲击,手机面板市场需求持续疲软。与此同时,铜、银等大宗商品涨价带动FPC、IC等关键资材的涨价预期升温,在买方议价权进一步增强的背景下,面板厂面临着严峻的成本与订单博弈,各技术路线面板价格延续下行态势。CINNO Research预测,2026年5月和2026年6月,a-Si模组价格与LTPS面板价格或将继续走低;AMOLED面板价格亦将维持在下降通道。
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  • 05-18 12:40 来自 台湾电子时报
    《科创板日报》18日讯,消息传出,三星电子近期的高带宽存储器(HBM)用DRAM良率已大幅提升,1b DRAM良率达92%、1c DRAM破75%。
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  • 05-15 13:34 来自 科创板日报 张真
    HBM要装进手机了?三星电子开发新型封装技术 内存堆叠数量可翻1.5倍
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  • 05-15 11:54 来自 ETNews
    《科创板日报》15日讯,三星电子正在开发下一代HBM封装技术,旨在为智能手机和平板电脑等移动设备提供高性能的设备端AI。该技术名为“多层堆叠FOWLP”,结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装(FOWLP),并对现有的垂直铜柱堆叠(VCS)技术进行了改进。虽然服务器级HBM已经具备高带宽,但移动设备在尺寸、厚度、功耗和发热量方面面临着更为严格的限制。
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  • 05-15 10:14 来自 财联社
    《科创板日报》15日讯,中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示,AI热潮带动电源管理、数据传输等芯片需求提升,同时挤压NOR Flash等存储器产能供应链,使得公司独立式闪存工艺平台及模拟工艺台需求旺盛。公司车规工艺覆盖逻辑、模拟BCD、嵌入式存储、独立式显存、显示驱动、图像传感器、功率器件等,经多年打磨逐步放量,尤其是车规模拟BCD平台需求旺盛、订单饱满。(记者 陈俊清)
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  • 05-14 17:47 来自 财联社
    《科创板日报》14日讯,根据TrendForce集邦咨询最新存储器调查,2026年第二季Mobile DRAM合约价持续大幅上扬,智能手机品牌面临更沉重的成本压力。其中,韩系两大原厂价格策略出现分化:三星倾向一次到位,涨幅相对显著;而从SK海力士目前提供的临时报价来看,涨幅相对温和,采取循序垫高的策略,预估五月下旬完成定价。整体而言,TrendForce集邦咨询预估,第二季LPDDR4X平均销售单价(ASP)将至少季增70%–75%,LPDDR5X则季增78%–83%。
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  • 05-13 18:46 来自 科创板日报记者 郭辉
    市值首超6000亿港元!澜起科技登顶港股半导体“新王”
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  • 05-12 08:48 来自 ETNews
    《科创板日报》12日讯,随着主要存储器业务趋于稳定,三星电子DS事业部正在商讨恢复对下一代半导体的研发和投资。据悉,此次商讨的重点在于研发方向和设施投资的时间安排。正在讨论重启的主要新业务包括下一代NAND闪存、化合物半导体以及先进封装和基板。
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  • 05-12 06:37 来自 中证报
    财联社5月12日电,全球存储芯片龙头SK海力士、三星电子股价5月11日创下历史新高。AI算力需求、大厂资本投入持续带动存储芯片需求。高盛研报显示,市场正面临15年来最严重的存储芯片供应短缺。机构预计存储芯片今年二季度价格将持续大幅上涨。中国供应链也受益于本轮涨价,今年一季度,A股存储器公司业绩普遍实现高增长,多家上市公司今年以来股价涨幅超100%。
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  • 05-07 08:05 来自 财联社
    巨头押注!存储芯片下一个风口 相关接口芯片或迎需求放量
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  • 05-06 18:26 来自 财联社 牛嘉、孙罕颖
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  • 05-06 16:21 来自 财联社
    财联社5月6日电,服务器DRAM模块的最新一代标准“MRDIMM”据悉已经进入最后开发阶段,联合电子设备工程委员会(JEDEC)的成员包括三星电子、SK海力士和美光等主要存储器公司,正在积极开发MRDIMM产品,以满足未来不断增长的需求。有别于HBM与GPU集成,MRDIMM将用作CPU直接访问的主内存。作为新一代服务器DRAM模块,其专为人工智能和高性能计算(HPC)任务而优化, 能够同时运行两个内存通道,因此可提供更快的数据处理速度。

    资料显示,相较于标准DDR5 RDIMM,第一子代MRDIMM可达到8800MT/s的数据传输速率,峰值带宽提高近40%,缓解了现代处理器核心数量提升带来的每核心内存带宽下降问题。
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