①SK海力士计划最早于今年推出HBF1样品；
②金正浩预测，到2038年左右HBF市场将超过HBM市场。
③随着AI需求不断加大，如今各存储厂商正纷纷扩充产能。

财联社1月15日电，据报道，SK海力士美国公司首席执行官Sungsoo Ryu表示，SK海力士在韩国龙仁新芯片生产基地的首座工厂计划2027年2月投产，比原计划提前三个月。

《科创板日报》15日讯，TrendForce最新发布报告显示，DRAM现货价格持续攀升，由于供应商和贸易商不愿释放库存，交易量依然受限，主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片的平均价格上涨9.64%。NAND闪存方面，现货价格近期持续上涨。然而，由于多种因素的共同作用，交易量依然低迷：现货价格大幅上涨、消费品需求疲软以及农历新年期间工厂即将停工。尽管一些买家采取了观望态度，但对未来价格走势持乐观态度的现货交易商拒绝降价刺激销售。这种僵局导致现货市场持续低迷。本周512Gb TLC晶圆的平均现货价格上涨了9.68%，达到15.052美元。

财联社1月14日电，有传闻爆料称，SK海力士计划停产消费级存储器。对此，SK海力士向界面新闻记者回应称，目前并未有探讨或规划退出消费者用产品事业的计划。

《科创板日报》14日讯，随着人工智能（AI）半导体需求暴增，各大企业正大规模重组业务。继美光之后，亦有消息传出，SK海力士将停止生产消费级DRAM、NAND Flash产品，转将资源集中于B2B与AI服务器市场。

《科创板日报》13日讯，LG电子正在开发用于高带宽存储器（HBM）的混合键合堆叠设备（键合机）早期版本。该项目计划于2029年完成，目标精度设定为200纳米。不过，这一精度规格与Besi公司已实现商业化的100纳米精度存在差距。消息人士指出，基于这样的精度差异，该键合机在三年后推出时，可能在HBM领域竞争力不足。

①相关封测厂透露，“订单真的太满，后续不排除启动第二波涨价”。
②通富微电日前公告，拟定增44亿扩大封测产能。
③券商指出，本轮由AI驱动的存储超级大周期的持续性很强，将带动国内存储相关半导体设备、半导体材料公司同步受益。

①今年一季度，存储芯片涨价潮仍在持续升级，势头已从上游芯片制造端传导至消费电子、AI 硬件、AIoT终端等下游领域；
②受访人士表示，存储价格2024年四季度至2025年上半年的‘回调+品类分化’小周期后，真正全面、宽基的强上行大概率在2026年兑现。

财联社1月9日电，CINNO Research最新报告指出，进入2026年1月，手机面板市场正式步入传统淡季，叠加上游存储器价格连续数月上涨，终端品牌为缓解成本压力，纷纷主动缩减出货目标以控制经营风险，由此导致手机面板整体需求明显走弱。在终端拉货动能不足的背景下，上游面板厂稼动率普遍承压，价格下行压力进一步加剧。该机构预测，2026年1月和2026年2月，a-Si模组价格与LTPS面板价格或将呈现下降趋势；柔性AMOLED面板价格持续处于下降通道。

《科创板日报》7日讯，产业链调查显示，2026年存储产能空前紧张，大型云服务厂商已经提前启动2027年供货产能的“捆绑式谈判”，将采购量、价格条件与后续年度供货目标一起协商，最快或将于今年一季度敲定2027年供货合同。供应端存储三大原厂短期内难有效扩产。模组厂普遍有颗粒短缺与下游配货压力，业内人士表示大型模组厂实际取得的颗粒，也仅有原先需求的30％～50％；手机与PC等传统应用被排至后段，多数品牌厂今年仅能取得原本50％～70％供应量。

①黄仁勋表示，AI存储需求已超过现有基础设施容量；AI推理瓶颈正从计算转向上下文存储。
②新平台可将每秒可处理的token数提升最高5倍，并实现最高5倍的能效优化。
③该平台是首次将AI推理KV缓存当成独立基础设施层来设计。

第三方购物平台显示，海力士和三星的256G DDR5服务器内存一根超过4万元，有的甚至高达49999元/根。如果按照1盒100根来计算，其价格将近500万元。

①紫光国芯股票于2024年6月25日在全国中小企业股份转让系统挂牌并公开转让，目前已进入创新层；
②新紫光集团/紫光存储持有公司8128.70万股股份，持股比例59.63%，为公司控股股东。上市公司紫光国微为其第二大股东，持股比例6.78%。

财联社1月6日电，SK海力士宣布，公司将于当地时间1月6日至9日，在美国拉斯维加斯举办的“CES 2026”威尼斯人会展中心设立专属客户展馆，并集中展示面向AI的下一代存储器解决方案。本次展会上，公司将首次亮相下一代HBM产品“16层48GB HBM4”。此外，公司将展出12层36GB HBM3E产品，并同步展出搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块。除HBM之外，公司还将展出面向AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2。

《科创板日报》5日讯，TrendForce最新调查显示，2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至服务器、HBM应用，以满足AI服务器需求，导致其他市场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM合约价将环比增长55-60%。NAND Flash则因原厂控管产能，和服务器强劲拉货排挤其他应用，预计各类产品合约价持续上涨33-38%。

①过去一个月以来，科技巨头总部采购负责人纷纷长租入住韩国京畿道板桥商务酒店，只为去三星及海力士抢产能。
②三星与海力士已向DRAM客户提出涨价，Q1报价将较去年Q4上涨60%-70%。
③业内预计，即便是这么大的涨幅，客户也会接受。

财联社1月2日电，根据集邦咨询最新调查，在整体经济复苏力道有限、消费行为趋于保守的背景下，快速上升的存储器价格正持续侵蚀笔电品牌的获利及定价弹性。因此，集邦咨询再度下调2026年全球笔电出货预估至年减5.4%，降至近1.73亿台，以反映品牌面对成本压力扩大，对库存、促销与产品配置采取的保守态度。

①全球头部半导体企业2025年合计销售额突破4000亿美元，创下行业历史新高，2026年这一记录或有望再度刷新。
②步入2026年，哪些有望成为下一个产业爆点？

①昨日晚间，长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO申请正式获上交所受理，融资金额达295亿元。
②以行业视角观之，当前全球DRAM存储需求紧张，本月SK海力士警告称，DRAM供应短缺状况将持续至2028年。