财联社11月8日电，TechInsights在对计算行业商品元器件供应的分析发现，过去四个季度（包括2024年第三季度）的半导体交货期稳定在14周。TechInsights的元器件价格概况（CPL)研究，通过对向计算行业供货的二十多家公司进行了调查，发现存储器元器件的交货期环比缩短了21%（即缩短了三周）。自2022年第三季度以来，存储器元器件的交货期通常比计算行业的平均水平要长，但在2024年第三季度，其平均交货期缩短至12周，现在比平均水平快了整整两周。尽管整体平均交货期与上一季度相近，但在2024年第三季度，部分计算元器件领域的交货期有所延长，包括射频半导体IC（+9%）和嵌入式处理器及控制器（+9%），而存储器（-21%）和电路保护组件（-12%）的供应商则相比上一季度实现了更短的交货期。
《科创板日报》7日讯，日本NAND Flash大厂铠侠将在今后3年内投资360亿日元，用以研发AI用CXL(Compute Express Link)省电存储器，日本政府将最高补助50%费用，目标在2030-2034年间实现商业化。
《科创板日报》6日讯，据TrendForce集邦咨询研报，DRAM产业历经2024年前三季度的库存去化和价格回升，价格动能于第四季度出现弱化。由于部分供应商在今年获利后展开新增产能规划，预估2025年整体DRAM产业将年增25%，成长幅度较2024年大。
《科创板日报》6日讯，SK海力士近期与ASICLAND签订311亿韩元（约2256万美元）规模的CXL（Compute Express Link）高速互联存储器控制器设计合约，期限至2026年6月30日。ASICLAND致力于协助客户使用适合台积电代工制程的半导体IP进行设计，并支持最终产品量产。考虑研发所需时间，预计CXL 3.0或3.1芯片将通过台积电5纳米制程量产。
《科创板日报》5日讯，据报道，SK海力士计划逐步降低DDR4的生产比重。今年第3季度SK海力士DDR4的生产比重已从第2季度的40%降至30%，第4季度更计划进一步降至20%，并将把有限产能转向人工智能用存储器及先进DRAM产品。
《科创板日报》28日讯，存储器业内人士表示，在规格升级带动下，HBM价格2025年势必将向上扬升。服务器存储器如DDR5等，在近一年多来已持续拉抬价格，但相较于HBM价差仍有3~4倍以上，预估DDR5涨势也将能延续至2025年。不过服务器客户的采购动能趋缓，库存逐渐垫高，加上DDR5供给逐渐改善，第四季涨幅将转为平缓。
《科创板日报》23日讯，SK海力士表示，未来SK海力士将根据客户需求，推出CXL（Compute Express Link）、新型低功耗存储器LPCAMM等产品，这些成果预计到2025年左右推出。
《科创板日报》17日讯，消息人士透露，SK海力士正在削减其商业性较低的图像传感器和代工业务，加强专注于高利润的高带宽存储器（HBM）和AI存储器。SK海力士正在削减其CMOS图像传感器（CIS）研发投入，产能预计较去年减少一半以上，至每月不足7000片12英寸晶圆。此外，负责设计存储控制器等的片上系统（SoC）设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。
《科创板日报》9日讯，TrendForce集邦咨询预估，第四季存储器均价涨幅将大幅缩减，其中，一般型DRAM涨幅为0%至5%之间，但由于HBM比重逐渐提高，DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%，较前一季涨幅明显收敛。
①存储模组龙头厂金士顿已启动降价以刺激销售，主要聚焦在中低阶产品。 ②针对存储行业前景，业内机构分析师看法各异。 ③美光最新财报显示，第四财季营收取得十多年来最大涨幅，下一财季业绩预测也超出预期。
《科创板日报》19日讯，摩根士丹利最新报告直言存储器市场“寒冬将至”，DRAM市场恐从周期性高峰回落，预期最快将于四季度反转向下，开始面临供过于求压力，不仅接下来市况（订单、价格）更具挑战，供过于求问题更会一路延续至2026年。
①韩国8月份固态硬盘出口额同比大增249.8%； ②AI服务器拉动需求复苏，海外大厂集体调涨固态硬盘价格； ③机构预估，三季度固态硬盘合约价将环比上涨15%，原厂营收将季增近20%。
《科创板日报》3日讯，为了应对大芯片趋势及AI负载对更多HBM的需求，台积电计划将InFO-SoW与SoIC结合，形成CoW-SoW，将存储器或逻辑芯片堆叠在晶圆上，并预计在2027年开始量产。
《科创板日报》3日讯，因生成式AI服务器需求强劲、客户接受存储器厂商的涨价要求，带动SSD价格进一步走高。2024年7-9月期间SSD指针性产品TLC 256GB批发价（大宗交易价格）为每台36.1美元左右，环比上涨约10%，容量较大的512GB价格为每台67.7美元左右，环比上涨约10%，价格皆连续四个季度上升。其中，256GB产品价格一年来上涨约五成，创2021年10-12月以来新高。
《科创板日报》27日讯，SK海力士第六代高带宽存储器（HBM4）商用化计划顺利推动，传针对主要客户NVIDIA的HBM4设计已进入收尾阶段，预计于2024年10月完成设计定案。
《科创板日报》22日讯，受惠于AI商机带来红利，存储器大厂营运持续复苏成长，市场预期，在HBM需求急增以及DDR5渗透率提升带动下，整体DRAM产品均价将持续上涨，2024年平均涨幅约达五至六成以上，尽管基期已拉高，但2025年仍有机会维持三至四成的涨幅，HBM将是直接牵动DRAM产业供需及价格走势的关键。8层堆叠的HBM平均价格约较DDR5约高出5倍，而业界HBM的良率仍有很大的改善空间，以及AI服务器推动存储器需求增加，带动HBM在整体DRAM产能及产值的比重逐年提升，预计2025年在DRAM总产能比重将超过10%，而产值贡献将可望超过30%以上。
《科创板日报》13日讯，据业内人士透露，SK海力士正在提高利川M16工厂的DRAM产能。公司已经向主要设备供应商订购核心设备，预计设备将从今年Q4开始供货，明年初开始增加产能。
《科创板日报》9日讯，SK海力士首席执行官郭鲁正表示，由于HBM等高性能存储器芯片的强劲需求，存储器芯片市场还将维持一段时间的乐观态势，预计存储器芯片市场将持续活跃到明年年初。SK海力士认为，随着人工智能市场的扩大，明年存储器的需求将持续增长，并制定了积极应对的战略。SK海力计划在本季度向主要客户供应12层HBM3E样品并开始量产，并将在明年下半年推出与台积电合作开发的12层HBM4。
《科创板日报》7日讯，据TrendForce集邦咨询了解，英伟达仍计划在2024年下半年推出B100及B200，供应CSPs（云端服务业者）客户，并规划于2024年第三季后陆续供货。在CoWoS-L良率和量产尚待整备的情况下，英伟达同步规划降规版B200A给其他企业客户，并转为采用CoWoS-S封装技术。B200A的存储器规格将采用4颗HBM3e（第五代高带宽内存）12hi（12层堆叠），总容量为144GB。预期OEMs（原始设备制造商）应会于2025年上半年正式拿到B200A芯片。到2025年Blackwell平台将占英伟达高端GPU逾八成，并促使英伟达高端GPU系列的出货年增率上升至55%。
《科创板日报》5日讯，存储器大厂华邦电总经理陈沛铭表示，下半年重点会放在DDR4生产，4Gb DDR4与LPDDR4已自7月起放量出货。目前营运已过低点，处于稳定向上复苏期，期望下一步可回到2022年第三季存储产业的水平。陈沛铭表示，D20新制程产量下半年会大幅成长，特别是DDR4部分，产品线会较D25s制程更全面。
