《科创板日报》4日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除了英伟达外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

①SK海力士与闪迪宣布，推出高带宽闪存（HBF）的行业首套标准规范，进一步推动HBF标准化工作，以满足AI推理时代的需求。
②在标准化推进过程中，谷歌与Tenstorrent也加入了SK海力士与闪迪的HBF联盟，并在技术验证和标准制定方面发挥了重要作用。

《科创板日报》4日讯，业界人士指出，近期原厂已完成2027全年产能分配谈判，三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧，但预计2026年8月底前的产能也将被预订完毕。无论是否签订LTA长期合约，买家均配合原厂的提前预付订金模式，这将应验2027年是“存储最短缺一年”的看法，但后续价格涨幅有望趋缓。

财联社7月31日电，根据Omdia最新发布的数据，2026年第二季度全球智能手机出货量同比下降6%，降至2.72亿部。此前，2026年第一季度受提前备货需求带动，市场表现较强，而第二季度则进入存储器成本周期的调整阶段。持续高企的存储价格扰乱了供应，推高了元器件成本，迫使厂商重新思考定价策略、产品组合和渠道战略。

①宇瞻科技方面表示，依原厂供货规划，未来可分配给模组厂的DRAM供应量仍将持续下降；
②公司透露，包括宇瞻科技在内的各家模组厂仍在积极建立库存，免未来面临无货可卖风险；
③国泰海通证券认为，第三季度合约价涨幅放缓并非周期见顶信号，预计涨价趋势有望延续至2027年。

①SK海力士、三星及铠侠三家存储龙头即将公布最新业绩。
②围绕AI投资可持续性及存储长约可靠性，近期市场开始有越来越多的质疑声出现。

《科创板日报》22日讯，三星电子已选定荷兰半导体后端设备公司BESI为其首要合作伙伴，并已开始引进50台D2W混合键合机。这些设备预计将于今年年底安装在平泽园区P5工厂的量产线上，用于生产下一代高带宽存储器（HBM）和逻辑半导体。

财联社7月21日电，根据全球半导体行业协会（SEMI）发布的报告，2026年全球半导体设备销售额预计将增长23.2%，达到1659亿美元，到2028年将创下历史新高，达到2295亿美元。SEMI代表全球约3000家电子设计和制造企业。该协会表示，人工智能基础设施的扩展以及对先进逻辑芯片和下一代存储产品（包括高带宽内存HBM）的投资，将推动市场增长。晶圆制造设备市场规模到2028年预计将达到2000亿美元，这得益于人工智能相关生产能力的扩大以及向先进制造工艺的转型。内存设备投资也预计将显著增长，这主要得益于对HBM（高带宽内存）需求的上升，以及向先进动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存产品转型。2028年，全球DRAM和NAND设备的销售额预计将分别达到569亿美元和208亿美元。

财联社7月17日电，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森研究团队北京时间7月17日凌晨在《科学》（Science）发表重磅成果，他们发明的“量子闪存”（Quantum Flash）技术，成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构，首次在室温（27℃）环境下清晰观测到了单电子的非易失性存储行为，这不仅彻底打破了“单电子存储”无法实现的传统认知，开创了单电子量子存储的全新理论体系，更为AI时代算力革命奠定关键理论基础。该研究将电荷存储的信息密度提升至理论极限，实现了“一电子一比特”，也为面向人工通用智能（AGI）需求的高密度存储器研发提供了新的技术基础。目前，团队已系统性地打通了从底层材料、器件创新到高端芯片集成与应用的全链条：“破晓”实现存取速度突破，“归壹”解决密度极限，“长缨”完成了与现有CMOS硅工艺兼容的原型芯片验证。

①本次发行价格为8.66元/股，若中签，一签为500股，需缴款4330元；
②基于机构预估市值区，中一签的盈利空间大约在3000元至2.6万元之间。

①三星电子原计划于2030年至2031年让园区内6座晶圆厂中的首座投入运营；
②按照2029年投产目标倒排工期，业内测算，地块平整等前期配套工程需于今年下半年全面启动；
③据此前三星披露投资规划，企业将向平泽、龙仁两大半导体产业集群合计投入2030万亿韩元。

①A股两大晶圆代工龙头均创历史新高；
②科创50指数今日大涨8.41%，为2026年以来单日最高涨幅；
③业内人士称，进入AI时代后，先进制程产能供不应求，定价权正在向上游供应商转移。

《科创板日报》9日讯，根据最新调查，由于部分原厂提早于2026年第二季的报价反映涨幅，加上数家美系云端服务供应商（CSP）已签署多年期长约，限制原厂对该类客户的涨价空间，TrendForce集邦咨询预估第三季服务器DRAM合约价环比增13-18%。然而，随着供不应求格局延续，后续仍可能出现各家原厂竞相上修报价的情况。

①据报道，这项技术的商业化时间预计将在2030年之后；
②其封装尺寸将与HBM4保持一致，每颗芯片的容量可在0.5GB-5GB之间，运行速度最高可达32GT/s；
③业界均紧锣密鼓研究HBM替代方案。

财联社7月6日电，根据集邦咨询最新存储器产业调查，2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，集邦咨询据此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%，改为上涨90-95%，NAND Flash合约价则从季增33-38%上调至55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。

财联社7月5日电，美光科技当地时间周六（7月4日）正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。这项总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元）的项目，旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能（AI）浪潮带来的旺盛需求。HBM是英伟达AI处理器的关键组件，工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。近期，美光、三星电子和SK海力士各自都宣布了扩充制造能力的计划。本周早些时候，SK海力士宣布，计划投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂。

①其第十代BiCS FLASH 3D NAND芯片已送样，将应用于数据中心的固态硬盘产品线中；
②铠侠称收到了许多客户希望签订长期协议的请求；
③韩国厂商正加紧扩产。

①三星电子目标是在今年第三季度，将通用DRAM的平均售价比上一季度提高20%；
②今日韩国两大存储巨头震荡走高，截至发稿，三星电子涨超8%，SK海力士涨超12%；
③TrendForce表示，2026年第三季整体DRAM格局持续极度紧缺。

财联社7月3日电，根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，2026年第三季整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅收敛，预计将季增13-18%。NAND Flash主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预估整体NAND Flash合约价将季增10-15%，幅度较前几季明显缩减。