财联社5月29日电，记者发现，在存储器出口金额激增的背景下，国产存储企业正经历一场从“规模扩张”到“技术深耕”的深刻转变。这一轮AI驱动的超级周期，能否成为中国存储行业从“追赶”迈向“并跑”的关键转折点？在存储器供给紧张的背景下，不少企业也在积极扩产，记者从一家存储企业了解到，他们原本的3000平方米的工厂已经扩展到了8000平方米，预计还会再增加四条产线，月产能将提升50%到150%之间，此外，他们也加大研发力度，针对不同行业的特性，推出定制化存储器产品。 事实上，在存储器产品出口高速增长的背后，国内存储企业的技术创新和产业链升级也正在悄然提速。业内人士表示，这一轮AI驱动的“超级周期”，给国产存储行业提供宝贵的“利润反哺研发”窗口期，不少企业正抓住机遇，从“跟随者”向“并跑者”转变。

财联社5月29日电，今年一季度，我国集成电路出口724.7亿美元，同比增长77.5%，其中存储器产品出口459.9亿美元，同比增长174.2%。存储器产品出口激增也传导至供应链服务环节。一家物流企业负责人表示，今年以来公司内存出口相关的业务订单量翻了一倍，单笔货值过亿元的大单明显增多。业内人士表示，存储器产品出口的爆发式增长，既有全球供需紧张的周期性因素，更有国内存储行业产业链升级、市场份额提升的产业结构性变革等因素。深圳市电子商会副秘书长称，跟去年3月份相比，存储器价格涨幅已经达到将近十倍，甚至还有一些是十几倍的增长。主要还是因为价格的大幅增长，导致（出口）总金额的上升。国产品牌的价格，跟海外品牌有较大的价差，价格是很有竞争力的。

《科创板日报》29日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，AI发展从大型模型训练转向以推理为核心的代理式AI应用，驱动存储器需求结构性扩张，由于供给缺口短期无法补足，推升价格上涨。因此，TrendForce集邦咨询大幅上调全球存储器产值预估，将2026年产值从前一版的5516亿美元提高至8893亿美元，2027年则预计由8427亿美元上修至逾1.28万亿美元，年增率约44%。

《科创板日报》29日讯，根据5月28日发布的监管文件，Fadu表示已签署一份价值465亿韩元的合同，供应企业级固态硬盘(eSSD)控制器。该合同金额相当于该公司去年营收的50.32%，去年营收约为924亿韩元。合同有效期至2027年1月1日，款项将在交货后30天内支付。客户仅被确认为“海外NAND闪存制造商”，外界普遍认为该客户是Sandisk。预计Sandisk将向超大规模数据中心客户供应采用Fadu控制器的eSSD。（小K注：ADU是一家2015年成立的Fabless半导体公司，专注为AI与超大规模数据中心提供企业级NVMeSSD控制器及定制化存储方案）

①在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产HBM4E；
②其HBM4E在性能、容量、能效与散热方面均有大幅提升，专为大模型、生成式AI及高性能计算场景打造。

①硅谷公司纷纷向SK海力士提出资助方案，但后者婉拒并将此当做谈判筹码，争取长约。
②SK海力士认为手头资金已足够充裕，没必要为了这些方案动摇自身的“超级乙方”地位。
③存储行业长期协议激增，除了三巨头之外，铠侠、闪迪也已加入。

财联社5月26日电，Micron（美光）近日宣布，其美国弗吉尼亚州Fab 6开始投产1α nm制程的LPDDR4和DDR4，主要供应给汽车、国防航天、工业、网通及医疗等关键领域客户。根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，Fab 6扩产主要反映Micron内部产能配置调整，而非重启对消费性DDR4的供给。TrendForce集邦咨询分析，Micron将调整Fab 6的生产重心至LPDDR4及DDR4，并以前者为主，预估该厂整体投片量将于2027年第四季成长至2026年第二季的1.5倍。其中，1α nm的投片将于2026年底开始量产，并于2027年提升投片至四倍规模。同时，OMT厂的1α nm将逐季减产，整体DDR4与LPDDR4并无扩产的规划。

财联社5月22日电，美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能（AI）任务，又能承受太空中的极端辐射，其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。相关研究论文已发表于最新一期《纳米快报》杂志。新型NAND闪存利用了与硅工艺兼容的氧化铪材料的铁电性，即材料在一定温度范围内会自发产生极化，且极化方向可在外部电场作用下翻转。这一特性使铁电材料在信息存储、传感、人工智能及新一代低功耗芯片等领域颇具应用潜力。测试结果显示，这款铁电闪存可承受高达100万拉德（辐射吸收剂量）的辐射，相当于1亿次X射线照射，辐射耐受性是传统存储器的30倍。

《科创板日报》21日讯，存储器厂南亚科董事长邹明仁表示，公司今年将完成16Gb规格DDR5产品的验证工作，推进LPDDR5产品试产进度，同时加快1C、1D、1E自研制程工艺的研发。预计2026年资本支出超过520亿新台币。总经理李培瑛表示，新厂预计明年开始装机，明年底至后年将贡献产出，预期会增加3万多片，预期2-3年后南亚科产能将比目前增加80%至100%。

财联社5月18日电，CINNO Research指出，进入5月，受上游存储器价格大幅上涨及终端品牌采购需求收缩的双重冲击，手机面板市场需求持续疲软。与此同时，铜、银等大宗商品涨价带动FPC、IC等关键资材的涨价预期升温，在买方议价权进一步增强的背景下，面板厂面临着严峻的成本与订单博弈，各技术路线面板价格延续下行态势。CINNO Research预测，2026年5月和2026年6月，a-Si模组价格与LTPS面板价格或将继续走低；AMOLED面板价格亦将维持在下降通道。

①这项移动HBM封装技术名为“多层堆叠FOWLP”，可以使带宽提升15-30%；
②业内人士预计，这项技术最早可能在Exynos 2800或Exynos 2900移动处理器的后续版本中推出；
③华创证券指出，AI终端有望带动硬件多环节价值量提升。

《科创板日报》15日讯，三星电子正在开发下一代HBM封装技术，旨在为智能手机和平板电脑等移动设备提供高性能的设备端AI。该技术名为“多层堆叠FOWLP”，结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装（FOWLP），并对现有的垂直铜柱堆叠（VCS）技术进行了改进。虽然服务器级HBM已经具备高带宽，但移动设备在尺寸、厚度、功耗和发热量方面面临着更为严格的限制。

《科创板日报》15日讯，中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，AI热潮带动电源管理、数据传输等芯片需求提升，同时挤压NOR Flash等存储器产能供应链，使得公司独立式闪存工艺平台及模拟工艺台需求旺盛。公司车规工艺覆盖逻辑、模拟BCD、嵌入式存储、独立式显存、显示驱动、图像传感器、功率器件等，经多年打磨逐步放量，尤其是车规模拟BCD平台需求旺盛、订单饱满。（记者 陈俊清）

《科创板日报》14日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器调查，2026年第二季Mobile DRAM合约价持续大幅上扬，智能手机品牌面临更沉重的成本压力。其中，韩系两大原厂价格策略出现分化：三星倾向一次到位，涨幅相对显著；而从SK海力士目前提供的临时报价来看，涨幅相对温和，采取循序垫高的策略，预估五月下旬完成定价。整体而言，TrendForce集邦咨询预估，第二季LPDDR4X平均销售单价（ASP）将至少季增70%–75%，LPDDR5X则季增78%–83%。

①随着今日A/H股收盘，澜起科技创下公司股价市值新高，其中港股市值达到6123.22亿港元，超过中芯国际，成为港股半导体板块新王；
②澜起科技成为为数不多出现A/H溢价倒挂的科技股，即港股估值较A溢价67.9%，表明了国际资金对中国科技股的看好和高预期。

《科创板日报》12日讯，随着主要存储器业务趋于稳定，三星电子DS事业部正在商讨恢复对下一代半导体的研发和投资。据悉，此次商讨的重点在于研发方向和设施投资的时间安排。正在讨论重启的主要新业务包括下一代NAND闪存、化合物半导体以及先进封装和基板。

财联社5月6日电，服务器DRAM模块的最新一代标准“MRDIMM”据悉已经进入最后开发阶段，联合电子设备工程委员会（JEDEC）的成员包括三星电子、SK海力士和美光等主要存储器公司，正在积极开发MRDIMM产品，以满足未来不断增长的需求。有别于HBM与GPU集成，MRDIMM将用作CPU直接访问的主内存。作为新一代服务器DRAM模块，其专为人工智能和高性能计算（HPC）任务而优化， 能够同时运行两个内存通道，因此可提供更快的数据处理速度。

资料显示，相较于标准DDR5 RDIMM，第一子代MRDIMM可达到8800MT/s的数据传输速率，峰值带宽提高近40%，缓解了现代处理器核心数量提升带来的每核心内存带宽下降问题。

财联社5月6日电，三星电子市值达到1万亿美元，随着人工智能AI芯片的需求激增，这家全球最大的存储器制造商股价在过去一年里上涨了三倍多。周三早盘这家韩国公司的股价一度上涨11%，使其成为继台积电之后第二家达到万亿美元里程碑的亚洲公司。三星电子和同行SK海力士、台积电处于一场变革的核心，在这期间亚洲成为全球AI生态系统的基石。这一转变推动区域科技股强劲上涨——SK海力士和台积电本月也创下纪录新高，投资者押注对先进芯片和算力的持续需求。

《科创板日报》28日讯，SK海力士宣布，其高带宽存储器（HBM）混合键合工艺的良率已得到提升。公司技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）表示，采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成，目前正在提高良率，以便将其应用于量产。