《科创板日报》26日讯,半导体存储器DRAM的大宗交易价格上涨。截至5月,指标产品环比上涨了8%。随着用于生成式AI的新一代产品需求出现激增,存储器企业对普通产品也进行了强势提价。一家日本电子产品贸易商指出:“HBM供应跟不上需求,供应量出现短缺”。大型存储器企业表示,“我们强势要求客户在采购HBM之际高价购买普通DRAM,最终买方接受”。
《科创板日报》25日讯,为应对AI热潮带动的存储器需求,三星电子决定重启新平泽工厂(P5)基础建设,预计最快将于2024第三季重启建设,完工时间推估为2027年4月,不过实际投产时间可能更早。
①存储原厂2025年HBM产能已被预订一空,订单能见度直达2026年Q1。 ②摆在供应商面前的有两条路:扩产和技术提升——由不得选择,只能“两条腿走两条路”。 ③IC设备和材料供应商已经看到中国企业对HBM等产品的需求强劲。
《科创板日报》21日讯,存储器产业需求复苏,消息称,存储厂商华邦电第二季利基型存储器价格调升约两成,高雄厂及台中厂的产能利用率均已回归,带动第二季获利显着改善,并弥补首季亏损。 预计下半年传统旺季推升营运增温,相较上半年呈双位数增长。
《科创板日报》17日讯,据三星内部和业内消息人士称,三星电子将在年内推出高带宽存储器(HBM)的三维(3D)封装服务,预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。
①公司今年年末的产能目标较去年给出的数据高近三成。 ②设备厂商已接获相关订单,订单数量增长超出其最初预期。 ③下单的设备中,这三类是重点>>
《科创板日报》13日讯,据报道,标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际,DDR3产能不足状况更显严重,由于三星等大厂退出DDR3制造,但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加,单一设备搭载容量直线上升,将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析,随着主要DRAM厂减产效应持续发酵,带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在,且后面涨势依然可期,DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季,对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言,DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。
①存储成为苹果AI的关键与瓶颈。 ②知名分析师郭明錤认为,能否支持Apple Intelligence端侧模型的关键是DRAM大小,而非AI算力。 ③IDC指出,16GB RAM将成新一代AI手机基础配置。
《科创板日报》12日讯,记忆体价格经历半年大幅上涨,且通端客户库存逐步回补完成,加上终端需求复苏较预期缓慢,市场法人预期,2024年下半年存储器报价涨势将转为缓和。就DRAM而言,中长线供需仍乐观,主要是在AI发展趋势下,将大量消耗高带宽记忆体( HBM)产能。
《科创板日报》6日讯,消息称,消费性市场需求第二季表现平淡,但存储器模块厂5月营收维持强劲的年增率表现,看好AI带动终端应用换机潮,而存储器价格可望持续走扬,DRAM现货价将从8月后与合约价回归齐涨模式,下半年营运乐观成长。
《科创板日报》3日讯,受到终端消费需求疲弱,存储器现货市场5月价格显露疲态,DDR产品、Flash wafer及SSD应用等均呈现下滑,尤其是主流DDR4受到库存调整压力,单月跌价较大,而高端DDR5模块跌幅则相对缓和。
《科创板日报》31日讯,存储器模块厂威刚董事长陈立白表示,DRAM合约市场价格稳定上涨,现货市场虽然短期出现调整现象,但对下半年DRAM价格无须担心,预料将逐季往上拉。
财联社5月20日电,据集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。
《科创板日报》20日讯,尽管消费性电子产品需求疲弱,但AI及云端服务器等高端应用供不应求,持续拉动合约市场价格上扬,上游存储器原场看好涨势将有望延续至2025年。 存储器模块厂积极备货,截至2024年第一季的存货金额攀升高点,各家存货周转天数约接近6~8个月。
《科创板日报》17日讯,全球第二大储存型快闪存储器厂日商铠侠看旺市况,强调本季PC、手机等NAND关键终端应用全面复苏,加上AI驱动新一波笔电与手机换机潮可期,上季NAND芯片涨价两成之后,本季报价有望续涨,产业后市相当乐观。
《科创板日报》17日讯,利基型存储器价格2024年仅微幅上涨,但随着产业供需调整,业界预期,2025年下半年将有望回到疫情前的价格水准,这也意味着随着大厂停产,市场价格将逐渐水涨船高。
①头部内存大厂全力抢占HBM、DDR5等新兴市场,新产能均投入相关新品,逐渐退出DDR3市场; ②DDR3下半年报价逐季看涨,涨幅有望扩大; ③三大内存厂不仅今年高带宽内存产能全被包走,明年相关产能也已销售一空。
《科创板日报》7日讯,三星电子与超微(AMD)近期因AI半导体市场发展,在高带宽存储器(HBM)等领域合作日渐紧密。 不过近期有传闻指出,三星将于2026年推出搭载自主研发GPU的高端Exynos芯片组,终止与超微的手机用GPU研发合作。
财联社5月6日电,美国宾夕法尼亚大学科学家研制出一款可在600℃高温下持续工作60小时的存储器。这一耐受温度是目前商用存储设备的两倍多,表明该存储器具有极强的可靠性和稳定性,有望在可导致电子或存储设备故障的极端环境下大显身手,也为在恶劣条件下进行密集计算的人工智能系统奠定了基础。相关论文发表于新一期《自然·电子学》杂志。
财联社5月2日电,在媒体招待会上,韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍,由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求,公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前,公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测,未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增,目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年可以达到61%。