《科创板日报》2日讯，《科创板日报》记者从安徽省量子计算芯片重点实验室获悉，本源量子联合中国科学技术大学、合肥综合性国家科学中心人工智能研究院等科研团队，在“本源悟空”自主超导量子计算机上成功研发出面向桶式QRAM （量子随机存取存储器）的“相干量子路由系统”，相当于为数据中心架设了“快速路”，有效解决了QRAM扩展的行业难题。相关论文已发表于国际物理期刊《Physical Review X》。

①HBM抢货情况相当激烈，就连英伟达、微软及谷歌都无法取得合约约定的全部供货量；
②供应压力正从HBM蔓延至一般DRAM。

《科创板日报》1日讯，AI建设热潮引爆HBM需求，并排挤传统DRAM供给、加剧内存缺货。韩媒报道，三星的存储器业务部门已将2031年前约70%的产能分配给长约订单（long-term agreements，简称LTAs），主要签约客户包括英伟达，微软及谷歌等大型科技公司。然而，HBM抢货情况相当激烈，就连这些大型科技公司都无法取得合约约定的全部供货量，使现货价格进一步飙升。

《科创板日报》31日讯，据报道，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。

《科创板日报》25日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，全球主要云端服务供应商（CSP）为加速建设AI基础设施，资本支出预估于2026年将年增98%，2027年再成长50%，大幅成长的原因，部分可归因于存储器合约价剧增、采购需求的强劲成长。TrendForce集邦咨询预估，DRAM、NAND Flash合计在CSP资本支出的占比，将从2026年的47%，进一步扩张至2027年的68%。

①机构预计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%；
②每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备；
③机构称，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级。

财联社8月20日电，紫光国微8月19日在业绩说明会上表示，公司在特种集成电路领域，除市场较为熟知的FPGA产品外，产品布局还涵盖AI+视觉感知、处理器、可编程器件、存储器、网络与接口、模拟器件、ASIC/SoPC等多个专业领域。其中，公司在特种存储领域的市场占有率达80%左右。价格策略方面，出于国家战略考虑及公司长期客户关系，公司存储产品此前基本未涨价。目前受晶圆等上游原材料成本上涨影响，未来不排除涨价的可能。未来，随着下游应用逐步向智能化演进，数据存储需求持续增长，公司对特种存储芯片市场的长期发展前景持乐观态度。

财联社8月19日电，根据摩根士丹利的最新预测，2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。摩根士丹利表示，成熟的DRAM和NAND芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。而造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。大摩还强调，SLC NAND闪存的价格涨幅可能将更加激进，该机构预计该品类在今年剩余的两个季度中每个季度都将上涨50%。

财联社8月19日电，AI芯片公司Cerebras System于当地时间周二发布了全新机架式AI系统CS-4，该公司称，CS-4系统在单用户场景下，每秒输出token的能力可达传统GPU服务器的30倍。Cerebras CS-4内置3颗WSE-3 Turbo晶圆级处理器。公司表示，WSE-3 Turbo是迄今为止规模最大的AI处理器，集成了4万亿个晶体管。业内指出，这套系统面向AI推理，而非模型训练。它采用静态随机存取存储器（SRAM），而非行业常用的动态随机存取存储器（DRAM）。

①A股市值“一哥”长鑫科技大幅拉升，收涨12%，截至收盘报61.8元/股；
②SK海力士董事长崔泰源强调了存储需求的爆发式增长，并表示明年将出现最严重的“存储荒”；
③据Counterpoint Research，长鑫存储市场份额同比增长716%，成为全球增长最快的DRAM厂商。

①聚辰股份上半年实现营业收入6.02亿元，同比增长4.71%；归母净利润5.25亿元，同比增长156.07%。
②进入第二季度以来，聚辰股份DDR5SPD芯片、应用于汽车电子和工业控制领域的高可靠性EEPROM芯片的出货量较第一季度实现增长。

财联社8月14日电，从中国科学技术大学获悉，该校潘建伟、包小辉、张强等与济南量子技术研究院等单位合作，成功实现两个冷原子量子存储器间跨越420公里光纤的量子纠缠，并在230公里以上距离突破无中继量子纠缠分发的理论极限。这一成果大幅提升了物质量子比特间的纠缠距离，为城际尺度量子网络构建奠定了基础。日前相关研究以编辑推荐的形式发表在《物理评论快报》上。

财联社8月12日电，Omdia发文称，由于AI需求持续超过全球供应能力，推动DRAM和NAND市场实现强劲增长，Omdia将2026年全球半导体市场营收增长预测上调至同比增长94.1%。预计2026年存储器芯片（MemoryIC）收入将占全球半导体总营收的50%以上。与此同时，AI需求已超出当前半导体产业的芯片制造和封装能力，高带宽内存（HBM）、先进封装以及先进制程产能等关键环节的瓶颈预计至少将持续至2027年。

财联社8月11日电，据报道，SK海力士重启了中国大连NAND闪存生产基地2号工厂的建设，将产能扩大约50%。大连2号工厂于4年前动工，但受存储器行业低迷影响，工程长期处于停滞状态。SK海力士计划在今年年底前引入半导体生产设备，并于明年上半年正式投产。据悉，新生产线的晶圆投片量约为每月5万片。如果加上大连1号工厂现有的每月10万片产能，大连当地总产能将增加约50%。

①SK海力士正致力于推进其极紫外（EUV）光刻技术，以实现下一代DRAM的量产；
②公司已开始全面引入PSM等新型材料，其意为相移掩模版，是半导体生产制造过程中不可或缺的材料；
③与此同时，三星电子也计划将High-NA EUV技术应用于存储芯片量产。

①余承东表示，内存高昂涨价，所有的手机之后可能都要大规模涨价，否则在原来的价格都是亏损销售；
②苹果曾试图与长鑫存储商谈更低的DRAM采购价格，但遭到拒绝；
③今年已有多家手机厂商宣布涨价，非头部厂商已进行几轮涨价。

财联社8月5日电，据媒体报道，苹果公司曾试图与长鑫存储（CXMT）商谈更低的DRAM（动态随机存取存储器）采购价格，但遭到拒绝。长鑫存储坚持要求报价不低于三星电子和SK海力士，甚至更高。原因很简单，华为和小米等中国本土企业已通过长期合同锁定了长鑫存储的产能，因此长鑫存储无需迁就苹果公司苛刻的条件。报道指出，大型科技公司此前常利用“若诉求未获满足便转而采购中国制造产品”作为谈判筹码，而这一途径如今实际上已被切断。

财联社8月5日电，据TrendForce集邦咨询最新发布的存储现货价格趋势报告，DRAM现货价格上涨势头自7月下旬以来有所减弱，4Gb DDR4和2Gb DDR3价格在交易量有限的情况下小幅上涨。NAND闪存方面，尽管本周512GbTLC Wafer的现货价格上涨了4.55%，但由于缺乏强劲的购买需求，价格反弹势头依然疲软。