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第三代半导体
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第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。
第三代半导体
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  • 04-18 16:21 来自 科技日报
    财联社4月18日电,记者从电子科技大学信息与量子实验室获悉,近日,该实验室研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作,在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片,这也是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展,相关成果发表在《物理评论快报》上。
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  • 04-09 01:03 来自 财联社
    财联社4月9日电,智己汽车发布致歉函称,在刚刚结束的「超越一切向往」智己L6超级智能轿车发布会过程中,对标近期同级流量热议的小米SU7产品力介绍过程中,由于团队内容审核疏漏,造成一处关键参数的错误标注,澄清如下:小米SU7 Max版前后电机均采用SIC碳化硅模块,与智己L6所采用的技术一致,均为行业顶尖的技术标准。小米汽车及旗下产品SU7,是我们尊敬的竞争队友!由于内审出现疏漏,造成对小米汽车的负面影响,我们深表歉意,也向所有粉丝、用户们诚挚致歉!
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  • 03-05 17:27 来自 财联社
    《科创板日报》5日讯,德州仪器正在将GaN(氮化镓)生产工艺从6英寸向8英寸过渡,以提高产能、获得成本优势。德州仪器韩国总监Ju-Yong Shin表示,公司传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体,达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺,日本会津工厂则正在将现有的硅基8英寸产线转换为GaN半导体产线。
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  • 03-01 20:21 来自 财联社
    财联社3月1日电,科创板公司芯联集成宣布与理想汽车正式签署战略合作框架协议,双方将在碳化硅领域展开全面战略合作。按照相关协议签署,芯联集成和理想汽车将在碳化硅领域一起积极推动产品化进程,共同提升双方的市场竞争力。同时,双方也在积极讨论下一步将在模拟IC等领域展开深度合作。
    芯联集成
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  • 02-20 15:28 来自 财联社
    财联社2月20日电,江苏省工信厅2月20日发布2024年江苏重大工业项目清单。据介绍,今年江苏全省实施重大工业项目600个,项目数较上年增加100个;项目计划总投资15498亿元,年度计划投资3696.8亿元,较上年度分别增加17.8%、15.0%。清单中10亿-50亿元项目有322个,50亿-100亿元项目68个、100亿元以上项目35个,较上年度分别增加25.8%、51.1%、16.7%。外资及合资项目(含港澳台)共125个,占全部项目的25.5%。这600项省重大工业项目中有106项属于传统产业焕新项目,占比17.7%,将进一步巩固提升江苏机械、纺织等传统产业在国内外市场的竞争优势;战略性新兴产业项目共417个,占比69.5%;第三代半导体、氢能、新型储能、前沿新材料、未来网络通信等未来产业项目共77个,占比12.8%。
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  • 02-17 09:49 来自 财联社 俞琪
    美股芯片龙头ARM股价4日暴涨1.3倍!A股小伙伴有这些
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  • 02-04 21:01 来自 科创板日报记者 朱凌
    新势力背后的芯片“预亏王” 瞄准12寸与碳化硅|直击股东会
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  • 02-01 19:29 来自 财联社
    财联社2月1日电,2024年北京市政府工作报告重点任务清单发布,其中提到,加快推进集成电路重大项目,增强装备研发生产能力,在光电集成、芯粒技术等领域实现更大突破。深化拓展第三代半导体产业发展。
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  • 01-28 13:07 来自 财联社记者 陈美
    人均可支配收入稳居全国第一!民生与科创成上海发展“底色”|城市观察
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  • 01-20 09:27 来自 财联社 平方
    功率半导体价格拐点已现?受益上市公司一览
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  • 01-15 19:49 来自 财联社
    《科创板日报》15日讯,英飞凌已与碳化硅供应商SK Siltron CSS正式签署长约,根据该协议,SK Siltron将为英飞凌供应6英寸SiC晶圆;在后续阶段,SK Siltron将协助英飞凌向8英寸SiC晶圆直径过渡。
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  • 01-12 09:56 来自 财联社
    《科创板日报》12日讯,日本半导体设备大厂Disco开发出一款新型SiC(碳化硅)晶圆切割设备DFG8541,可加工最大尺寸为8英寸的硅和碳化硅晶圆,并将SiC晶圆的切割速度提升至原来的10倍。
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  • 01-05 15:48 来自 财联社 黄君芝
    “石墨烯功能半导体”全球首发!电子设备将更小更快 还可用于量子计算
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  • 01-04 09:53 来自 财联社
    财联社1月4日电,日前,美国佐治亚理工学院研究人员创造了世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体。研究团队使用特殊熔炉在碳化硅晶圆上生长石墨烯时取得了突破。他们生产了外延石墨烯,这是在碳化硅晶面上生长的单层。研究发现,当制造得当时,外延石墨烯会与碳化硅发生化学键合,并开始表现出半导体特性。测量表明,他们的石墨烯半导体的迁移率是硅的10倍。该项突破为开发全新电子产品打开了大门。研究发表在《自然》杂志上。
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  • 12-28 14:32 来自 财联社
    财联社12月28日电,在小米汽车技术发布会上,小米集团董事长雷军宣布,发布CTB一体化电池技术,全球最高体积效率达77.8%,采用小米800V碳化硅高压平台,最高电压达871V。雷军介绍,小米电池通过全球最严苛的热失效安全标准,采用17层高压绝缘防护,7.8m²同级最大冷却面积,并使用165片气凝胶隔热。同时,采用行业首创电芯倒置技术,最大程度保证乘员舱安全。雷军称,小米汽车立志做电动车冬季续航之王。
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  • 12-22 08:16 来自 财联社
    财联社12月22日电,意法半导体官微宣布,该公司与理想汽车签署了一项碳化硅(SiC)长期供货协议。按照协议,意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET,支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。据介绍,理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET技术。
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  • 12-21 19:07 来自 财联社
    财联社12月21日电,罗姆株式会社和东芝电子元件及存储装置株式会社在功率器件的制造和增产方面的一项合作计划已得到日本经济产业省的认可。罗姆和东芝将分别对碳化硅(SiC)和硅(Si)功率器件进行增效投资,提升其供应能力,并以互补的方式利用对方的产能。
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  • 12-15 07:43 来自 财联社
    财联社12月15日电,中金公司研报指出,近期,随着多款搭载800V平台的车型发布,以及头部材料厂商扩产计划超预期,碳化硅产业链迎来频繁催化。我们认为,需求端新能源车+光伏上量与供给端良率突破或于2024年迎来共振,碳化硅有望迎接大规模放量;国内厂商产能规划亦积极,提升了设备国产化需求,建议关注价值量占比较高的衬底+外延设备。考虑到国产设备将率先应用于国内市场与设备前置投资,我们测算明年国内衬底+外延设备空间将增至90亿元。若后续技术趋于成熟、考虑设备出口,市场空间或还将更为广阔。
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  • 12-12 15:10 来自 财联社
    《科创板日报》12日讯,半导体切割设备制造商迪思科(DISCO)开发出了车用节能半导体的新型切割机,速度是过去的10倍。据悉,碳化硅(SiC)作为半导体材料的功率效率很高,但材质偏硬很难加工,新设备的研发将确立新一代功率半导体的量产技术,有望推动纯电动汽车的普及。目前,迪思科已开始面向部分客户供货,将在订单增加之后正式量产。
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  • 12-11 16:00 来自 财联社 黄君芝
    半导体技术突破有望?“极化子”可开辟一条传热高速公路……
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