财联社1月12日电，浙江省经信厅牵头编制了《浙江省“十五五”新型工业化规划（征求意见稿）》，现就文稿内容及公平竞争性向社会公开征求意见。征求意见指出，芯片设计与制造领域，突破低功耗芯片设计，发展高端通用芯片、专用芯片、智能芯片等，开发第五代精简指令集架构芯片。晶圆制造领域，加速突破3-7nm制程。关键材料领域，发展化合物半导体材料、电子气体、高纯靶材、光刻胶等。关键设备领域，发展离子注入机、涂胶显影、先进制程光刻机、刻蚀机等。封装测试领域，加快突破芯粒封装、三维异构集成封装、异质封装、脉冲序列测试等技术。新一代半导体领域，发展氧化镓、金刚石、碳化硅、氮化镓等。

财联社1月8日电，广州印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年），大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造，加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，培育壮大化合物半导体IDM（集成器件制造）、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化，推动化合物半导体产品的推广应用。

财联社1月8日电，广州市人民政府办公厅印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年）。规划指出，大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造，加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，培育壮大化合物半导体IDM（集成器件制造）、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化，推动化合物半导体产品的推广应用。

财联社12月27日电，中信证券研报表示，氮化镓（GaN）技术正成为驱动下一代机器人性能革命的关键使能力量。其“高频、高效、高功率密度”的物理特性能直接解决机器人关节“轻量化、高响应、高能效”的三大核心诉求，具体表现为：采用GaN方案的伺服驱动器可实现体积缩减约50%、损耗降低50%—70%，从而为机器人带来更紧凑的关节设计、更长的续航时间与更敏捷的运动控制。建议关注国内头部的可以帮助海外特斯拉厂商逐步降本的核心供应厂商。

财联社12月24日电，晶盛机电近日在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产，其独创的垂直分流进气方案，实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术，同时设备配备了自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能，大幅提升颗粒控制能力和维护效率。

财联社12月19日电，据安森美官微19日消息，安森美与格罗方德12月19日达成全新合作协议，共同研发并制造下一代氮化镓功率器件，合作将从650V器件开始。据介绍，安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米增强型硅基氮化镓工艺，以及自身行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，为AI数据中心、汽车、工业、航空航天等应用场景，提供更小、更高能效的优化系统解决方案。

财联社12月11日电，Wolfspeed公司当地时间12月9日宣布与丰田公司达成合作，丰田公司将在其车载充电系统采用Wolfspeed车规级MOSFET，Wolfspeed碳化硅器件将被集成到丰田公司的纯电动汽车中。

财联社12月11日电，中共江苏省委关于制定江苏省国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议发布，其中提到，培育壮大未来产业。探索多元技术路线、典型应用场景、可行商业模式、市场监管规则，加快壮大第三代半导体、氢能、生物制造等成长型未来产业，推动量子科技、脑机接口、具身智能、深海深地、原子级制造、第六代移动通信等一批前沿性未来产业形成现实生产力。创新监管方式，发展创业投资，建立健全未来产业投入增长和风险分担机制。支持有条件的地方争创国家级未来产业先导区。

①北京将建全球首个国家人形机器人赛训基地，人形机器人产业化持续加速。②一年可为超大型AI算力中心省3亿度电，第三代半导体有望迎来需求爆发。③全球AI算力爆发带动燃气轮机需求激增，国内企业有望受益于外溢需求。

《科创板日报》4日讯，九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果。100万个该模块装入一座容量1吉瓦（10亿瓦）的超大型AI算力中心机柜里，一年可省近3亿度电，约合2.4亿元电费。团队负责人李思超博士说，该成果目前已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内量产，届时可满足千亿级市场需求。

财联社11月19日电，根据中国国家知识产权局最新审查决定，全球氮化镓龙头英诺赛科（Innoscience）今日正式获得关于其两项核心氮化镓（GaN）专利有效性的胜利结果，该决定明确维持英诺赛科专利权利要求全面有效，驳回了英飞凌（Infineon）提出的无效请求。英飞凌在此案上彻底败诉。据悉，英诺赛科已于今年早些时候对英飞凌发起了基于该两项专利的专利侵权诉讼。

财联社11月17日电，财联社记者11月17日自北京产权交易所获悉，山西烁科晶体有限公司增资项目成交，增资方为国家军民融合产业投资基金二期有限责任公司、国调二期协同发展基金股份有限公司、建信金融资产投资有限公司，投资金额分别为5亿元、2亿元和1亿元。烁科晶体成立于2018年10月，是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。（记者 赵毅波）

财联社11月12日电，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布，正加速开发碳化硅（SiC）化合物功率半导体技术。该公司近期已完成对碳化硅领域关键企业SK powertech的收购。SK keyfoundry表示，正加速推进技术开发，目标在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工艺技术，并于2026年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务。

①特斯拉筹备扩建机器人超级工厂，相关零部件环节有望持续受益。②国内首次！脑机接口产品进入审批“绿色通道”，行业或进入爆发前夜。③第三代半导体突破供电瓶颈，有望在AI数据中心领域广泛应用。

财联社10月31日电，安森美（onsemi）宣布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体。据介绍，对于超高压器件，安森美的垂直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技术，使电流能够垂直流过芯片，而不是沿表面横向流动。，这一方案降低能量损耗和热量，损耗减少近50%。目前安森美向早期客户提供700V和1200V器件样品。

财联社10月22日电，中信建投研报称，随着半导体产业更先进制程迈进，芯片尺寸缩小而功率激增，“热点”问题突出，芯片表面温度过高会导致安全性和可靠性下降，催生对高效散热方案的需求。金刚石是理想散热材料，热导率可达2000W/m・K，是铜、银的4—5倍，也是硅、碳化硅等半导体材料的数倍至数十倍，且兼具高带隙、极高电流承载能力、优异机械强度与抗辐射性，在高功率密度、高温高压等严苛场景中优势显著。其应用形式包括金刚石衬底、热沉片及带微通道的金刚石结构，可适配半导体器件、服务器GPU等核心散热需求。在制备上，化学气相沉积法（CVD）为主流，可生产单晶、多晶、纳米金刚石，国内外企业已开发相关产品。伴随算力需求提升与第三代半导体发展，未来金刚石在高端散热市场空间广阔。