财联社12月1日电，据宁夏银川市发改委消息，银川市目前已谋划储备1142个2025年重大项目，预计总投资3968亿元，年度计划投资1090亿元。其中，社会投资占比75%以上，装备制造、新材料、清洁能源等产业项目投资占比45%，亿元以上项目投资占比80%以上，创盛碳化硅等236个项目被列入宁夏重大项目库。

财联社11月21日电，商务部印发《支持苏州工业园区深化开放创新综合试验的若干措施》。其中提到，布局建设重大创新平台。加强重大科技基础设施和国家实验室统筹协同，打造以国家实验室为引领、全国重点实验室和江苏省重点实验室为支撑、苏州市重点实验室为基础的实验室创新体系，推进实验室管理体制和运营机制创新。推动苏州实验室、国家生物药技术创新中心、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）等先进技术平台高质量发展。高标准规划建设桑田科学岛。支持苏州工业园区建设一批海外离岸创新中心。

财联社11月15日电，上海市经济和信息化委员会、上海市发展和改革委员会、上海市教育委员会、上海市科学技术委员会印发 《上海市促进新材料产业高质量发展实施方案（2025-2027年）》，以应用需求为导向，围绕集成电路、新能源汽车、民用航空、船舶海工、能源装备等，实施“五链多品类多产品”的材料补链强链工程。支持企业加快先进制程电子化学品及原辅料、集成电路工艺及装备材料、第三代半导体（碳化硅、氮化镓等）、可降解植介入材料、新能源电池材料、航空复合材料、发动机叶片用高温合金、船用超低温耐蚀钢、深海探测用钛合金、核电大型结构材料、超硬材料等攻关，推动20个产品形成批量供应能力。

财联社11月14日电，SK集团旗下半导体晶圆制造商SK Siltron于14日宣布，已获美国能源部5.44亿美元规模的贷款融资。SK Siltron CSS将以美国能源部及密歇根州政府的资金支持为基础，到2027年完成该州贝城工厂的扩建工程。扩建完成后，SK Siltron CSS将依托奥本研发中心的技术成果，大力生产高性能碳化硅（SiC）晶圆。

财联社10月16日电，天眼查App显示，广东芯粤能半导体有限公司近日发生工商变更，新增国投（广东）科技成果转化创业投资基金合伙企业（有限合伙）、广东省半导体及集成电路产业股权投资基金二期合伙企业（有限合伙）、深圳市创新资本投资有限公司等为股东，同时公司注册资本由4亿人民币增至约4.55亿人民币。广东芯粤能半导体有限公司成立于2021年5月， 法定代表人为徐伟，现由广东芯聚能半导体有限公司、威睿电动汽车技术（宁波）有限公司及上述新增股东等共同出资。此前据媒体报道，该公司完成约十亿元人民币A轮融资。本轮融资由粤财基金管理的广东省集成电路基金二期与国投创业基金联合领投，社保湾区科创基金、深创投、广州产投、科金控股集团、大众聚鼎、博原资本、复朴投资与曦晨资本联合参与。本次融资募集的资金将加快公司在碳化硅芯片制造领域的产能建设。

财联社9月23日电，美国和印度达成一项协议，将共同在印度建立一家芯片制造厂，以强化印度总理纳伦德拉·莫迪加强该国制造业的努力。这家计划中的工厂将生产红外、氮化镓和碳化硅芯片。

财联社9月9日电，第二十四届中国国际投资贸易洽谈会正在福建厦门市举行，一批重大项目在展会上集中签约。福建50个重大项目在投洽会现场集中签约宣布开工，项目聚焦新能源、新材料、生物医药、第三代半导体等战略性新兴及未来产业领域，计划投资达1100.4亿元。

《科创板日报》23日讯，晶升股份在接受调研时表示，碳化硅切割设备进展顺利，目前正在两家客户现场进行多轮工艺测试，近几轮测试结果显示设备的主要技术指标与进口同类型产品指标接近，后续公司将在持续优化的同时，验证产品长期运行量产的可靠性和稳定性。碳化硅8英寸单片外延设备也已发往客户现场进行测试，另一款多片外延设备在内部完成了组装热试工作，内部调试结束后也会尽快与合作伙伴开始工艺验证。

财联社8月19日电，据万业企业消息，近日，万业企业与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）举行《协同创新发展全面战略合作协议》签署仪式。双方将瞄准第三代半导体产业应用需求，围绕先进半导体设备和工艺关键技术，共同培育和承担各类重大项目，开启推动第三代半导体产业自主可控发展“芯”征程之钥。

《科创板日报》8日讯，工业材料供应商Entegris表示，已与芯片制造商安森美半导体达成长期供应协议，提供制造碳化硅（SiC）半导体的技术解决方案。据此前消息，安森美计划在今年晚些时候对200mm（8英寸）碳化硅（SiC）晶圆进行认证，并于2025年投入生产。

《科创板日报》23日讯，安森美官微宣布，该公司已与大众汽车集团签署一项多年协议，成为其可扩展系统平台（SSP）下一代主驱逆变器的主要供应商，提供完整的电源箱解决方案。该解决方案在集成模块中采用了基于碳化硅的技术，可扩展至所有功率级别，从大功率到小功率主驱逆变器，兼容所有车辆类别。

财联社7月16日电，中信证券研报指出，以碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、饱和电子漂移速率高、击穿电场高、热导率高等特点，是半导体产业未来发展的重要方向。碳化硅衬底位于碳化硅产业链的核心上游，采用碳化硅功率器件的高压快充新能源汽车更能适应其增加续航里程、缩短充电时间和提升电池容量等需求，预计将成为未来的主流选择，驱动碳化硅衬底需求进一步增长。

财联社7月1日电，天眼查显示，近日，泰科天润半导体科技（北京）有限公司发生工商变更，新增泸州老窖旗下广州壹期金舵投资合伙企业（有限合伙）为股东。泰科天润半导体科技（北京）有限公司成立于2011年4月，法定代表人为陈彤，注册资本约2.77亿人民币，经营范围含研发、批发半导体器件，制造电子元器件设备等，现由陈彤、SK海力士（无锡）投资有限公司、广发乾和投资有限公司，以及三峡基金、国融工发、洪泰基金等多家投资基金共同持股。公开信息显示，泰科天润专注于碳化硅芯片和碳化硅功率器件研发制造及提供相关技术服务。

《科创板日报》26日讯，日本中央硝子开发出了利用含有硅和碳的溶液来制造碳化硅基板的技术。该技术更容易增大基板尺寸以及提高品质，可使基板的制造成本降低1成以上，不合格率也会大幅降低。中央硝子运用该技术成功量产出了6英寸口径基板。