财联社7月3日电，台积电据称两年内将退出氮化镓业务。

《科创板日报》2日讯，据中建三局一公司，近日，该公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）首台设备提前搬入。该项目是2025年福建省及厦门市重点建设项目也是厦门最大的碳化硅项目。

《科创板日报》2日讯，纳微半导体（Navitas）今日宣布，与力积电建立战略合作伙伴关系，将采用力积电8寸0.18微米制程生产氮化镓（GaN）产品。

《科创板日报》2日讯，消息称，台积电为专注在高成长市场，近期已陆续缩减在成熟制程的资源，并有意淡出氮化镓（GaN）市场，GaN产品所在的晶圆五厂仅供应至2027年7月1日，之后将改做先进封装使用。

《科创板日报》30日讯，香港特区政府创新科技及工业局辖下的创新科技署宣布，杰立方半导体（香港）有限公司提交的“新型工业加速计划”申请已获评审委员会支持。该项目计划在香港兴建一座第三代半导体碳化硅（SiC）晶圆生产设施。

①特斯拉启动Robotaxi试运营，机构称Robotaxi商业化奇点已至。②头部企业中试样品陆续落地，固态电池板块有望迎来密集催化。③AI数据中心+AR眼镜驱动，碳化硅行业有望快速增长。

财联社5月29日电，据“湖北发布”，长飞先进武汉基地首批碳化硅晶圆日前正式投产，这是目前国内规模最大的碳化硅半导体基地，可贡献国产碳化硅晶圆产能的30%，有望破解我国新能源产业缺芯困局。碳化硅是新一代信息技术的基础材料，被称为新能源时代的“技术心脏”，是全球争相抢占的科技制高点。这座总投资超200亿元的半导体超级工厂，一期项目聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，可年产36万片6英寸碳化硅晶圆，产能跻身全球前列，达产后可满足144万辆新能源汽车的制造需求，推动我国第三代半导体实现从“跟跑”到“并跑”的关键跨越。

财联社5月22日电，第三代半导体概念持续走强，海特高新封涨停，此前希荻微、中恒电气涨停，派瑞股份、欣锐科技、星徽股份、台基股份、富满微等涨幅靠前。消息面上，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代800V高压直流(HVDC)架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的"Kyber"机架级系统供电。纳微的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。受此消息刺激，纳微盘后价格暴涨195%。

①英伟达将开发基于AI的6G无线技术，“AI+6G”云网融合市场前景广阔。②SpaceX带回四名滞留宇航员，商业航天市场前景不断拓宽。③新能源汽车+光伏储能+数据中心拉动，碳化硅器件市场规模将快速增长。

财联社3月15日电，随着碳化硅产业逐步迈入8英寸时代，企业竞争也将愈发白热化。多位专家在日前举行的2025功率半导体制造及供应链高峰论坛上表示，对于已经进入汽车等高端市场的产业链玩家而言，过硬的产品质量和稳定的供应能力才是长期立足发展之本。受益于成本下降，国产碳化硅加速“上车”，一方面促进其在新能源汽车等行业的应用。但另一方面，价格的下降也让这个行业的竞争加剧。碳化硅是目前半导体行业中最景气的赛道之一。市场研究机构Yole数据显示，碳化硅市场规模在2023年达到27.46亿美元，预计到2029年将达到98.73亿美元，年复合增长率约为24%。

《科创板日报》1日讯，《科创板日报》记者获悉，三安光电与国外头部AR终端厂商、国内光学元件代工厂等重点客户紧密合作，目前已向多家客户送样验证，产品持续迭代。据了解，碳化硅折射率约为2.7，优于传统玻璃等材料，且具备耐高温跟散热优势。据三安光电相关人士表示，一片6英寸碳化硅衬底能够制作2副AR眼镜、8英寸衬底则对应3-4副，从预估的2024年全年出货量150万台来计算，折算成6英寸衬底约对应75万片/年的需求，市场规模为10.8亿元。（记者 郭辉）

《科创板日报》27日讯，今日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。据介绍，预计该项目将在2025年四季度实现批量生产，项目规划全面达产后将年产约48万片的8英寸碳化硅晶圆。在重庆高新区西永微电子产业园内，三安光电还同期配套一条年产48万片的8英寸碳化硅衬底生产线，用于安意法碳化硅晶圆厂生产供应，已于2024年9月通线投产。以上两大项目合计投资达300亿元。三安光电总经理、安意法董事长林科闯在通线仪式上表示，安意法半导体碳化硅晶圆厂用时仅16个月就正式通线，是双方携手并进、强强联合的共同成果，安意法未来和发展非常值得期待。（记者 郭辉）

财联社2月20日电，据杭州光学精密机械研究所消息，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，经测试单晶质量达到国际先进水平，现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。测试结果表明，使用富加镓业设备生长出的4英寸VB晶体内无孪晶，单晶衬底XRD半高全宽（FWHM）优于50arcsec，与导模法制备的氧化镓单晶衬底质量相当，性能达到国际先进水平；衬底表面粗糙度（Ra）小于0.2nm，弯曲度（Bow）达到1.8μm，翘曲度（warp）达到9.3μm，总厚度偏差（TTV）<10.0μm，相关加工指标达到4英寸碳化硅衬底产品要求。VB法装备的成功研制，标志着公司在技术创新上取得了重大突破，是公司于2024年5月在国际上率先突破导模法“一键长晶”技术后又一里程碑事件。资料显示，富加镓业为衢州发展(600208)参股的高科技投资企业。