财联社1月8日电，广州印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年），大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造，加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，培育壮大化合物半导体IDM（集成器件制造）、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化，推动化合物半导体产品的推广应用。
财联社1月8日电，广州市人民政府办公厅印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年）。规划指出，大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造，加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，培育壮大化合物半导体IDM（集成器件制造）、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化，推动化合物半导体产品的推广应用。
①从收入结构看，报告期内公司营收及利润主要来自PSS、MMS等主营业务，其中，PSS是核心收入支柱，2022年至2025年上半年贡献收入占比均超61%； ②目前，公司PSS平均单价已从2022年的71.26元/片降至2025年6月的52.79元/片，降幅达25.92%。
财联社12月19日电，据安森美官微19日消息，安森美与格罗方德12月19日达成全新合作协议，共同研发并制造下一代氮化镓功率器件，合作将从650V器件开始。据介绍，安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米增强型硅基氮化镓工艺，以及自身行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，为AI数据中心、汽车、工业、航空航天等应用场景，提供更小、更高能效的优化系统解决方案。
财联社12月11日电，Wolfspeed公司当地时间12月9日宣布与丰田公司达成合作，丰田公司将在其车载充电系统采用Wolfspeed车规级MOSFET，Wolfspeed碳化硅器件将被集成到丰田公司的纯电动汽车中。
财联社12月11日电，中共江苏省委关于制定江苏省国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议发布，其中提到，培育壮大未来产业。探索多元技术路线、典型应用场景、可行商业模式、市场监管规则，加快壮大第三代半导体、氢能、生物制造等成长型未来产业，推动量子科技、脑机接口、具身智能、深海深地、原子级制造、第六代移动通信等一批前沿性未来产业形成现实生产力。创新监管方式，发展创业投资，建立健全未来产业投入增长和风险分担机制。支持有条件的地方争创国家级未来产业先导区。
《科创板日报》4日讯，九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果。100万个该模块装入一座容量1吉瓦（10亿瓦）的超大型AI算力中心机柜里，一年可省近3亿度电，约合2.4亿元电费。团队负责人李思超博士说，该成果目前已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内量产，届时可满足千亿级市场需求。
财联社11月19日电，根据中国国家知识产权局最新审查决定，全球氮化镓龙头英诺赛科（Innoscience）今日正式获得关于其两项核心氮化镓（GaN）专利有效性的胜利结果，该决定明确维持英诺赛科专利权利要求全面有效，驳回了英飞凌（Infineon）提出的无效请求。英飞凌在此案上彻底败诉。据悉，英诺赛科已于今年早些时候对英飞凌发起了基于该两项专利的专利侵权诉讼。
财联社10月31日电，安森美（onsemi）宣布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体。据介绍，对于超高压器件，安森美的垂直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技术，使电流能够垂直流过芯片，而不是沿表面横向流动。，这一方案降低能量损耗和热量，损耗减少近50%。目前安森美向早期客户提供700V和1200V器件样品。
财联社10月22日电，中信建投研报称，随着半导体产业更先进制程迈进，芯片尺寸缩小而功率激增，“热点”问题突出，芯片表面温度过高会导致安全性和可靠性下降，催生对高效散热方案的需求。金刚石是理想散热材料，热导率可达2000W/m・K，是铜、银的4—5倍，也是硅、碳化硅等半导体材料的数倍至数十倍，且兼具高带隙、极高电流承载能力、优异机械强度与抗辐射性，在高功率密度、高温高压等严苛场景中优势显著。其应用形式包括金刚石衬底、热沉片及带微通道的金刚石结构，可适配半导体器件、服务器GPU等核心散热需求。在制备上，化学气相沉积法（CVD）为主流，可生产单晶、多晶、纳米金刚石，国内外企业已开发相关产品。伴随算力需求提升与第三代半导体发展，未来金刚石在高端散热市场空间广阔。
①此前，公司在初步向部分客户提供200毫米碳化硅产品之后，市场反响积极。 ②当地时间9月8日，Wolfspeed宣布，公司重组计划已获得法院批准，预计将在未来数周内完成重整程序。 ③英伟达计划在新一代Rubin处理器中，把CoWoS中间基板材料换成碳化硅。
财联社9月11日电，全球碳化硅厂商Wolfspeed公司宣布，公司200mm碳化硅材料产品开启大规模商用。此前，公司在初步向部分客户提供200mm碳化硅产品之后，市场反响积极且效益显著。
财联社9月5日电，午后碳化硅概念持续走强，天岳先进、科创新材涨停，此前露笑科技、天通股份、中恒电气涨停，晶盛机电、三安光电、天富能源、东尼电子涨幅靠前。消息面上，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。
《科创板日报》5日讯，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术，英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。但由于英伟达对性能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就会进入先进封装。
财联社8月1日电，英诺赛科午后股价直线拉升，盘中一度涨超60%。消息面上，当日英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科是本次入选英伟达合作伙伴中唯一的中国芯片企业。对于合作细节，英诺赛科向以投资者身份采访的记者表示，与英伟达的合作已有一段时间，公司主要凭借大功率氮化镓技术入围。不过，目前合作尚处于测试阶段，暂未产生实质性订单。因公司正处于半年报发布阶段，不便对此次合作前景与影响作出回应。
①英伟达最新800V架构供应商名单曝光，英诺赛科入选； ②公司拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力； ③未来AI数据中心800V供电有望成为主流趋势，更高电压的应用可以减少电源线占用的空间。
《科创板日报》2日讯，据中建三局一公司，近日，该公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）首台设备提前搬入。该项目是2025年福建省及厦门市重点建设项目也是厦门最大的碳化硅项目。
《科创板日报》2日讯，纳微半导体（Navitas）今日宣布，与力积电建立战略合作伙伴关系，将采用力积电8寸0.18微米制程生产氮化镓（GaN）产品。
