《科创板日报》2日讯，据中建三局一公司，近日，该公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目（一期）首台设备提前搬入。该项目是2025年福建省及厦门市重点建设项目也是厦门最大的碳化硅项目。
《科创板日报》2日讯，纳微半导体（Navitas）今日宣布，与力积电建立战略合作伙伴关系，将采用力积电8寸0.18微米制程生产氮化镓（GaN）产品。
《科创板日报》2日讯，消息称，台积电为专注在高成长市场，近期已陆续缩减在成熟制程的资源，并有意淡出氮化镓（GaN）市场，GaN产品所在的晶圆五厂仅供应至2027年7月1日，之后将改做先进封装使用。
《科创板日报》30日讯，香港特区政府创新科技及工业局辖下的创新科技署宣布，杰立方半导体（香港）有限公司提交的“新型工业加速计划”申请已获评审委员会支持。该项目计划在香港兴建一座第三代半导体碳化硅（SiC）晶圆生产设施。
财联社5月29日电，据“湖北发布”，长飞先进武汉基地首批碳化硅晶圆日前正式投产，这是目前国内规模最大的碳化硅半导体基地，可贡献国产碳化硅晶圆产能的30%，有望破解我国新能源产业缺芯困局。碳化硅是新一代信息技术的基础材料，被称为新能源时代的“技术心脏”，是全球争相抢占的科技制高点。这座总投资超200亿元的半导体超级工厂，一期项目聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，可年产36万片6英寸碳化硅晶圆，产能跻身全球前列，达产后可满足144万辆新能源汽车的制造需求，推动我国第三代半导体实现从“跟跑”到“并跑”的关键跨越。
财联社5月22日电，第三代半导体概念持续走强，海特高新封涨停，此前希荻微、中恒电气涨停，派瑞股份、欣锐科技、星徽股份、台基股份、富满微等涨幅靠前。消息面上，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代800V高压直流(HVDC)架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的"Kyber"机架级系统供电。纳微的氮化镓和碳化硅技术将在这一合作中发挥关键作用。受此消息刺激，纳微盘后价格暴涨195%。
①公司碳化硅衬底全球市占率第一。 ②为了体现对碳化硅业务的重视其决心改名，岂料改名后股价却一路下跌。 ③碳化硅衬底领域，中国厂商正在快速崛起。
《科创板日报》4月29日讯，芯联集成董事长赵奇在电话会上表示，预计2025年公司收入将保持双位数增长，预计2025年将实现单季度净利率转正，目标2026年实现全面盈利。分产品来看，2024年碳化硅实现10亿元以上收入，预计2025年收入同比增超50%，其获得的碳化硅定点项目未来4年的需求量合计超过百亿元；模拟IC方面，预计2025年将实现5倍的收入增长；功率模组方面，预计2025年收入将同比增长3倍左右。（记者 郭辉）
《科创板日报》1日讯，《科创板日报》记者获悉，三安光电与国外头部AR终端厂商、国内光学元件代工厂等重点客户紧密合作，目前已向多家客户送样验证，产品持续迭代。据了解，碳化硅折射率约为2.7，优于传统玻璃等材料，且具备耐高温跟散热优势。据三安光电相关人士表示，一片6英寸碳化硅衬底能够制作2副AR眼镜、8英寸衬底则对应3-4副，从预估的2024年全年出货量150万台来计算，折算成6英寸衬底约对应75万片/年的需求，市场规模为10.8亿元。（记者 郭辉）
《科创板日报》27日讯，今日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。据介绍，预计该项目将在2025年四季度实现批量生产，项目规划全面达产后将年产约48万片的8英寸碳化硅晶圆。在重庆高新区西永微电子产业园内，三安光电还同期配套一条年产48万片的8英寸碳化硅衬底生产线，用于安意法碳化硅晶圆厂生产供应，已于2024年9月通线投产。以上两大项目合计投资达300亿元。三安光电总经理、安意法董事长林科闯在通线仪式上表示，安意法半导体碳化硅晶圆厂用时仅16个月就正式通线，是双方携手并进、强强联合的共同成果，安意法未来和发展非常值得期待。（记者 郭辉）
财联社2月20日电，据杭州光学精密机械研究所消息，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，经测试单晶质量达到国际先进水平，现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。测试结果表明，使用富加镓业设备生长出的4英寸VB晶体内无孪晶，单晶衬底XRD半高全宽（FWHM）优于50arcsec，与导模法制备的氧化镓单晶衬底质量相当，性能达到国际先进水平；衬底表面粗糙度（Ra）小于0.2nm，弯曲度（Bow）达到1.8μm，翘曲度（warp）达到9.3μm，总厚度偏差（TTV）<10.0μm，相关加工指标达到4英寸碳化硅衬底产品要求。VB法装备的成功研制，标志着公司在技术创新上取得了重大突破，是公司于2024年5月在国际上率先突破导模法“一键长晶”技术后又一里程碑事件。资料显示，富加镓业为衢州发展(600208)参股的高科技投资企业。
财联社2月2日电，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍，功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为“电力电子系统的心脏”，是最为基础、应用最为广泛的器件之一。随着硅基功率器件的性能逼近极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以其独特优势可满足空间电源系统高能效、小型化、轻量化需求，对新一代航天技术发展具有重要战略意义。 业内专家认为，我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代，为未来我国在探月工程、载人登月、深空探测等领域提供新一代功率器件。
《科创板日报》22日讯，中国科学院微电子研究所宣布，该院刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅 (SiC) 功率器件及其电源系统，已成功通过太空第一阶段验证并实现其在电源系统中的在轨应用。
财联社12月31日电，TechInsights发布报告，碳化硅（SiC）正以其高效率、紧凑的设计和更低的成本改变着功率半导体行业。除了数据中心外，SiC在电动汽车充电器、光伏、储能和工业应用等领域扩展。汽车行业是主要驱动力，预计到2025年，汽车SiC市场规模将达到20亿美元以上。为满足日益增长的需求，行业正在转向200毫米晶圆，这将提高产能并降低成本，推动更广泛的采用和行业竞争。
①本次制裁仍然是主要围绕先进制程的“小院高墙”式策略，市场已有所预期； ②短期实际影响有限，长期而言则需放弃幻想，自立自强，有望进一步加速全产业链国产化进程。
财联社12月1日电，据宁夏银川市发改委消息，银川市目前已谋划储备1142个2025年重大项目，预计总投资3968亿元，年度计划投资1090亿元。其中，社会投资占比75%以上，装备制造、新材料、清洁能源等产业项目投资占比45%，亿元以上项目投资占比80%以上，创盛碳化硅等236个项目被列入宁夏重大项目库。
《科创板日报》26日讯，据芯联集成官方公众号，蔚来旗下全新品牌乐道首款车型乐道L60近日上市，芯联集成为乐道L60供应碳化硅模块。
①推动苏州实验室、国家生物药技术创新中心、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）等先进技术平台高质量发展； ②鼓励境内外银行、证券、保险等金融机构按照审慎监管原则在苏州工业园区布局； ③支持苏州工业园区开展生物医药全产业链开放创新试点。
财联社11月21日电，商务部印发《支持苏州工业园区深化开放创新综合试验的若干措施》。其中提到，布局建设重大创新平台。加强重大科技基础设施和国家实验室统筹协同，打造以国家实验室为引领、全国重点实验室和江苏省重点实验室为支撑、苏州市重点实验室为基础的实验室创新体系，推进实验室管理体制和运营机制创新。推动苏州实验室、国家生物药技术创新中心、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）等先进技术平台高质量发展。高标准规划建设桑田科学岛。支持苏州工业园区建设一批海外离岸创新中心。
