财联社8月27日电，福建省人民政府印发《福建省“十五五”新兴产业和未来产业发展规划》。其中提到，以厦门为核心联动泉州、龙岩等，构建全链条化合物半导体产业。提升碳化硅（SiC）等衬底与外延片量产能力，提升高品质氮化镓（GaN）单晶衬底产能与良率。引进核心装备企业，培育单晶生长炉、特种刻蚀机、离子注入机等，发展高纯碳化硅粉体、石墨碳毡等关键耗材本地配套。加快研发提升车规级高功率器件，开发面向5G/6G宏基站及低轨卫星通信的射频芯片与微波组件。

财联社8月25日电，据晶升股份消息，近日，晶升股份自主研发的大尺寸CVD SiC化学气相沉积涂层成套设备完成整机出厂检验，正式装车发运交付客户，标志着公司在大尺寸碳化硅涂层工艺装备领域取得重要进展，为半导体热场关键部件的国产化制造提供了有力支撑。

财联社8月23日电，据富加镓业消息，近日，富加镓业采用自主垂直布里奇曼法（VB法）成功生长出厚度超70mm的6英寸氧化镓单晶晶锭，经平湖实验室HRXRD检测，结晶质量优异；同时经中国计量科学研究院检测，电学性能可满足碳化硅行业对衬底的要求。晶锭厚度是衡量单晶生长技术成熟度与产业化程度的关键指标，更厚的晶锭意味着单根晶体可切割出更多衬底片，直接降低单片成本。

财联社8月21日电，在2026世界机器人大会上，优必选与深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）正式签署战略合作协议。双方将围绕人形机器人能源效率优化、低功耗高续航产品打造等方向开展深度合作，加速碳化硅功率器件在具身智能机器人领域的规模化应用。

财联社8月20日电，美股碳化硅龙头Wolfspeed股价盘前下跌9.4%，此前公司公布的第四季度营收不及预期。

财联社8月13日电，据“中国光谷”消息，日前，国内半导体零部件领域上市企业臻宝科技落子光谷，将投资建设半导体零部件研发生产基地项目。项目总投资5.2亿元，建设周期为三年。基地核心布局碳化硅零部件、高纯硅精密零部件、氮化铝陶瓷材料及配套零部件三大品类，属于芯片刻蚀、薄膜沉积等前道制造环节刚需耗材。基地投产后，可快速扩充公司现有产能，就近服务华中区域晶圆制造企业，缩短交付周期。

财联社8月4日电，美股碳化硅龙头Wolfspeed盘初上涨8%。

财联社7月16日电，美股碳化硅龙头Wolfspeed低开低走，跌幅扩大至8.5%。

财联社7月14日电，露笑科技14日在互动平台表示，公司重点推进8英寸和12英寸碳化硅衬底片业务。当前，8英寸和12英寸碳化硅衬底片的市场尚处于持续开拓阶段，市场空间广阔，公司将利用发展6英寸碳化硅业务积累的研发、生产、客户等资源持续拓展8英寸和12英寸碳化硅业务。

财联社7月7日电，美股碳化硅龙头Wolfspeed盘初走低，最新跌超7%。

财联社7月7日电，午后碳化硅概念局部异动，露笑科技直线拉升触及涨停，此前东微半导20cm涨停，易事特、英杰电气、扬杰科技、三安光电、华微电子跟涨。消息面上，英伟达已在算力中心供电白皮书中将SST确立为下一代800V高压直流供电架构的核心设备，其依托碳化硅功率器件的高频特性，可实现10kV中压交流至800V直流的一步式转换。

财联社7月7日电，由西北师范大学主办、甘肃烛龙科技有限公司承办的“千纪启源·核能革新”自主可控碳-14核电池全链条技术成果发布会7月6日在兰州举行。会上正式对外发布全新自主品牌“千纪源天枢碳-14核电池”与“千纪源能枢碳化硅换能器”两大核心科研成果。此次发布的“千纪源”系列成果相较于2024年11月发布的“烛龙一号”微型核电池工程样机完成了五大突破，涵盖全新放射源适配体系、高效换能技术、三维叠层封装结构、智能储能电源管理系统、高精度传感与无线传输系统，构建了国产化自主可控的技术体系与知识产权体系。放射源比活度提升1.5倍，放射源用量仅为前代的22％，大幅降低核心物料成本；短路电流提升至2.5倍，填充因子由0.73提升至0.77，最大输出功率达到前代的2.6倍；在保持开路电压一致、输出稳定性不变的前提下，产品有效体积缩减至前代的17％，体积功率密度提升15.5倍。此次“千纪源”系列成果的发布，标志着我国碳-14核电池完成全链条自主化关键突破，多项突破性指标彻底打破了传统技术效率低、用料多、体积大、功率密度低的局限，实现了小型化、高功率、低成本、高集成的系统性升级，具备极高的产业价值。

财联社6月30日电，美股碳化硅龙头Wolfspeed延续涨势，涨幅扩大至9%。

财联社6月30日电，美股碳化硅龙头Wolfspeed盘初走高，涨幅扩大至5%。

财联社6月24日电，捷捷微电在互动平台表示，公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。

财联社6月23日电，存储芯片的供需关系，要到2027年才会有改善迹象；AI带动的需求正在扩散，下半年功率、模拟芯片的供应会持续紧张……展望下半年半导体产业发展趋势，多位业内人士表示，AI给半导体带来的成长动力愈发强劲，并持续辐射到更多的细分领域。随着AI发展提速，半导体产业对于新材料、新技术的需求也在持续增强，超高密度高速互联、玻璃基板封装、碳化硅和金刚石散热等技术加速突破，成为半导体板块的另一条投资主线。

财联社6月11日电，近日，美国麻省理工学院研究团队给氮化镓芯片嵌入一层超薄单晶金刚石，突破了高功率无线芯片散热瓶颈，并制备出性能创纪录的无线功率放大器，此事引起广泛关注。记者注意到，随着AI算力快速发展，人工智能数据中心（AIDC）和AI算力芯片的散热成为产业发展新瓶颈，金刚石（及金刚石复合材料）、碳化硅（SiC）等新材料以及由此制备的新器件成为产业“刚需”和资本市场关注焦点，力量钻石、晶盛机电等多家A股上市公司积极加码布局。

财联社6月9日电，Wolfspeed公司6月9日宣布推出第五代（Gen 5）碳化硅（SiC）MOSFET技术。据该公司介绍，与目前市售的竞品1200-V解决方案相对比，其最高可降低27%的比导通电阻RSP，显著改善了系统级导通损耗。目前，QEM50120-025D10和QEM50075-025D10的样品通过Wolfspeed的直接销售代表向特定客户提供。随着市场需求和客户要求最终确定，预计从2026年至2027年初将陆续推出更多750V至1200V的新产品。