财联社10月22日电，中信建投研报称，随着半导体产业更先进制程迈进，芯片尺寸缩小而功率激增，“热点”问题突出，芯片表面温度过高会导致安全性和可靠性下降，催生对高效散热方案的需求。金刚石是理想散热材料，热导率可达2000W/m・K，是铜、银的4—5倍，也是硅、碳化硅等半导体材料的数倍至数十倍，且兼具高带隙、极高电流承载能力、优异机械强度与抗辐射性，在高功率密度、高温高压等严苛场景中优势显著。其应用形式包括金刚石衬底、热沉片及带微通道的金刚石结构，可适配半导体器件、服务器GPU等核心散热需求。在制备上，化学气相沉积法（CVD）为主流，可生产单晶、多晶、纳米金刚石，国内外企业已开发相关产品。伴随算力需求提升与第三代半导体发展，未来金刚石在高端散热市场空间广阔。

财联社9月26日电，据晶盛机电官微消息，9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化。

财联社9月19日电，早盘碳化硅概念走强，天富能源涨停，天通股份触及涨停，东尼电子、晶升股份、天岳先进、晶盛机电等跟涨。消息面上，日前，华为公布两项专利，均涉及碳化硅散热，包括《导热组合物及其制备方法和应用》和《一种导热吸波组合物及其应用》，两项专利均用碳化硅做填料，提高电子设备的导热能力。

《科创板日报》19日讯，近日，华为公布《导热组合物及其制备方法和应用》和《一种导热吸波组合物及其应用》两项专利。两项专利均用碳化硅做填料，提高电子设备的导热能力。

财联社9月12日电，赛晶科技在港交所公告，9月12日，公司旗下子公司赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司（简称“赛晶半导体”）与湖南三安半导体有限责任公司（简称“三安半导体”）签订战略合作框架协议，正式建立全面战略合作伙伴关系。赛晶半导体主要从事研发及制造功率半导体器件。三安半导体是三安光电(600703)的全资子公司，拥有碳化硅全产业链垂直整合制造服务平台。目前，三安半导体的8英寸碳化硅芯片产线已通线。三安半导体将根据赛晶半导体的需求，确保稳定及时地向赛晶半导体供应产品；赛晶半导体在三安半导体的生产计划中享有优先供应权。双方将共同评估市场增长潜力，制订产能扩展计划。

财联社9月11日电，全球碳化硅厂商Wolfspeed公司宣布，公司200mm碳化硅材料产品开启大规模商用。此前，公司在初步向部分客户提供200mm碳化硅产品之后，市场反响积极且效益显著。

财联社9月8日电，早盘碳化硅概念延续上周强势，露笑科技2连板，天岳先进、天通股份、时代电气、斯达半导、三安光电等跟涨。消息面上，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅。

财联社9月6日电，据天科合达官方消息称，公司2025年初即实现导电型SiC衬底累计百万片级的出货突破，另外在“上车”应用方面也不断取得突破进展，公司正成为推动Si基功率芯片升级为SiC功率芯片，实现主驱规模化替代的重要力量。在实现碳化硅衬底规模化量产的基础上，充分发挥技术整合优势，成功实现6英寸650V、1200V及1700V等多电压等级碳化硅外延片的规模化供应，并已获得多家国内外头部企业8英寸外延中小批量订单。

《科创板日报》3日讯，据报道，瑞萨电子已放弃制造碳化硅 (SiC) 功率半导体，原定于 2025 年初在群马县高崎市工厂启动生产的计划破灭，相关生产团队已于今年早些时候解散。

《科创板日报》20日讯，据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球SiC功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲成长，前五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%，其中ST以32.6%市占率持续领先，onsemi则是由2022年的第四名上升至第二名。集邦咨询认为，2024年来自AI服务器等领域的需求则显著大增，然而，纯电动汽车销量成长速度的明显放缓和工业需求走弱正在影响SiC供应链，预计2024年全球SiC功率元件产业营收年成长幅度将较过去几年显著收敛。

《科创板日报》28日讯，据Digitimes今日报道，由于碳化硅（SiC）长晶、基板新产能陆续开出，2024年以来该产品价格不断下降，目前比国际SiC基板价格低三成，随着二季度产量持续加大、参与砍价抢单者众多，SiC基板价格将继续下探。