《科创板日报》9日讯，芯联集成与广汽埃安签订长期合作战略协议，根据协议，芯联集成将为广汽埃安旗下全系新车型提供高性能的碳化硅（SiC）MOSFET与硅基IGBT芯片和模块，这些芯片和模块将被应用于广汽埃安未来几年内生产的上百万辆新能源汽车上。

《科创板日报》28日讯，华润微在接待调研时表示，公司二季度针对部分MOSFET、IGBT产品有价格调涨动作。公司认为产品价格基本触底，年内有望逐步修复。

①英伟达开源最强模型Nemotron-4 340B，有望带动光模块需求持续增长。②最坏的时刻已经过去，机构看好功率半导体行业景气度回升。③AI创新赋能消费电子新未来，中国消费电子市场有望持续复苏。

财联社5月22日电，东风汽车消息，东风与中车合作在武汉成立智新半导体，开展自主攻关，研发生产车规级的IGBT模块，并顺利实现了IGBT产品量产，一期产能30万只，主要生产400V硅基IGBT模块，与国外产品相比，价格降低50%，实现了国产IGBT模块从无到有的突破。智新半导体第二条生产线今年4月已经投用，规划产能40万只，兼容生产400V硅基IGBT模块和800V碳化硅模块，产线的国产化率达到70%，预计7月批量投产，10月大批量投用。此外，智新半导体正规划第三条生产线，规划年产能50万只，到2025年，智新半导体将达到总产能120万只IGBT模块，全力支撑“十四五”东风公司100万辆新能源车的销量目标。

财联社5月14日电，中信证券研报表示，IGBT技术+新能源大规模并网推动柔性直流技术发展。直流电网可以平抑新能源波动，海风、海外柔直建设刚刚拉开序幕。对比不同线路的招标成本，换流阀是关键设备，IGBT是柔直换流阀价值量最高部分。伴随国内项目招标提速、海风及海外柔直项目建设逐步推进，建议围绕直流核心设备、其他核心装备及核心零部件三条主线进行布局。

①400亿国企存量资产优化升级基金成立，国企价值重估持续迎来催化。②供需关系有望迎来优化，功率半导体正在积蓄涨价动能。③华为2024智能光伏发布会召开，机构称行业有望在24H1走出底部。

财联社1月23日电，IGBT概念震荡走高，新洁能涨停，扬杰科技、捷捷微电、斯达半导、宏微科技、时代电气等涨幅靠前。消息面上，上周起功率半导体陆续迎来提价，捷捷微电、三联盛、蓝彩电子、扬州晶新、深微公司等功率半导体企业陆续发布涨价通知函。方正证券指出，目前伴随全球新增产能节奏放缓以及下游需求平稳增加，供需关系有望迎来优化，中短期维度下将利好于产品价格提升。

《科创板日报》15日讯，今日多家A股功率半导体企业表示，公司功率产品价格总体稳定，近期下游行情并无重大变动。其中，华润微证券部工作人员向《科创板日报》记者表示，目前该公司产品价格保持稳定，“公司此前关注到有企业释出涨价信号，不过主要系部分小型企业前期降价幅度较大，今年下游一些领域可以看到复苏迹象，但还需要到二季度或之后进一步明确”。《科创板日报》记者以投资者身份向士兰微了解到，由于该公司客户和产品线较多，（价格策略）不一样，当前的市场环境下，仅看到局部有所回暖，汽车、家电、消费电子行情没有特别大的变化。《科创板日报》记者以投资者身份从斯达半导获悉，该公司近期没有发布类似涨价函，价格没有重要变动，目前下游需求较为平稳。（记者 郭辉）

财联社12月6日电，据广汽集团官微，12月5日，广州青蓝半导体有限公司IGBT（绝缘栅双极型晶体管）项目（一期）投产。广州青蓝由广汽部件与株洲中车时代半导体共同投资成立，项目计划总投资4.63亿元，主要围绕新能源汽车自主IGBT领域开展技术研发和产业化应用。一期规划产能为年产40万只汽车IGBT模块；二期规划产能为年产40万只汽车IGBT模块，计划2025年投产。项目全部完成后，可实现总产能80万只/年。

《科创板日报》28日讯，时代电气披露调研纪要显示，预计在三季度末，IGBT二期芯片投片率能够达到额定产能的1.3倍左右。今年IGBT车规模块海外小批量交付，预计是公司之前公告订单的1/10水平，今年先做推广，明年会放量。目前在建的无锡产线预计在明年下半年试生产。目前公司IGBT的在手订单非常充足。

《科创板日报》8日讯，宏微科技披露调研纪要显示，公司在电动汽车主驱IGBT模块产品上形成了批量化供应，主要出货给整车和Tier1客户，汽车端订单饱满，但目前封测方面的产能仍在爬坡中，导致汽车短产品整体销售占比偏低。

《科创板日报》26日讯，中芯集成披露调研纪要显示，公司目前IGBT产能约8万片/月、MOSFET产能约7万片/月。产品目前主要应用在汽车的主驱逆变，技术含量较高，产品价格稳定。公司生产的MEMS产品目前大范围应用在智能手机、TWS耳机、智能手表、智慧家电等众多的消费品上。

《科创板日报》5日讯，安世半导体今日宣布，推出新款600 V单管IGBT。据介绍，新款600 V单管IGBT采用载流子储存沟槽栅场截止（FS）结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。