财联社1月23日电，IGBT概念震荡走高，新洁能涨停，扬杰科技、捷捷微电、斯达半导、宏微科技、时代电气等涨幅靠前。消息面上，上周起功率半导体陆续迎来提价，捷捷微电、三联盛、蓝彩电子、扬州晶新、深微公司等功率半导体企业陆续发布涨价通知函。方正证券指出，目前伴随全球新增产能节奏放缓以及下游需求平稳增加，供需关系有望迎来优化，中短期维度下将利好于产品价格提升。
《科创板日报》15日讯，今日多家A股功率半导体企业表示，公司功率产品价格总体稳定，近期下游行情并无重大变动。其中，华润微证券部工作人员向《科创板日报》记者表示，目前该公司产品价格保持稳定，“公司此前关注到有企业释出涨价信号，不过主要系部分小型企业前期降价幅度较大，今年下游一些领域可以看到复苏迹象，但还需要到二季度或之后进一步明确”。《科创板日报》记者以投资者身份向士兰微了解到，由于该公司客户和产品线较多，（价格策略）不一样，当前的市场环境下，仅看到局部有所回暖，汽车、家电、消费电子行情没有特别大的变化。《科创板日报》记者以投资者身份从斯达半导获悉，该公司近期没有发布类似涨价函，价格没有重要变动，目前下游需求较为平稳。（记者 郭辉）
①宏微科技表示，预计明年公司将继续保持不低于50%的高速增长。2023年，公司预测累计向A客户交付模块产品将达上百万只； ②机构接待量排名靠前公司中，电子板块的公司数量较多； ③股价涨幅较大的是生物医药板块的艾力斯，本周累计涨幅达21.27%。
《科创板日报》21日讯，近日，瑶芯微完成数亿元产业轮融资，尚颀资本、晨道资本、芯联资本、碧鸿投资、三花弘道、万向一二三等共同参与，本轮融资资金将用于新产品研发、量产以及市场开拓。瑶芯科技是一家MEMS传感器芯片提供商，致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售，主营产品为功率器件（中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS，IGBT，FRD，SiC MOS和SiC 二极管）和MEMS传感器以及信号链IC。
《科创板日报》15日讯，近日，云潼科技获得两江产业集团旗下创投公司千万级投资。本轮资金将主要用于新品研发、工厂设备投入，及加速现有产品量产等方面。云潼科技是一家致力于车规级IGBT国产化替代的半导体设计公司，当前业务主要以新能源汽车市场为主，产品涵盖IGBT、MOSFET、功率TVS和小功率器件。
①宏微科技第三季度实现营收3.7亿元，归母净利润为2304万元，不过环比二季度均有所下滑，财务总监薛红霞表示波动系股权激励摊销； ②在与华为问界合作方面，宏微科技称其IGBT模块产品已完成赛力斯汽车问界新款车型主驱产品定点验证测试，后续将根据客户需求逐步批量交付。
①对于业绩下滑原因，华润微解释系公司加大研发投入力度，同时深圳12吋线、封测基地等新业务逐步开展，整体期间费用有所增长； ②上半年华润微的研发投入达到5.47亿元，同比增长42.29%； ③IGBT产品线销售收入同比增长127%，碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比增长约3.6倍。
《科创板日报》28日讯，时代电气披露调研纪要显示，预计在三季度末，IGBT二期芯片投片率能够达到额定产能的1.3倍左右。今年IGBT车规模块海外小批量交付，预计是公司之前公告订单的1/10水平，今年先做推广，明年会放量。目前在建的无锡产线预计在明年下半年试生产。目前公司IGBT的在手订单非常充足。
《科创板日报》8日讯，宏微科技披露调研纪要显示，公司在电动汽车主驱IGBT模块产品上形成了批量化供应，主要出货给整车和Tier1客户，汽车端订单饱满，但目前封测方面的产能仍在爬坡中，导致汽车短产品整体销售占比偏低。
《科创板日报》28日讯，近日，赛晶半导体完成1.6亿人民币A轮融资，投资方为安创空间、河床资本、亚禾资本。投后估值27.2亿人民币。本次融资所得资金，将重点用于最新的IGBT模块和SiC模块生产线建设。赛晶半导体是一家IGBT模块生产制造商，致力于打造国际领先水平的国产精品IGBT、SiC芯片及模块。自主研发的IGBT芯片，使用目前主流的FS-Trench结构，并在设计中进行了N型增强、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、3D结构等多项优化。
《科创板日报》26日讯，中芯集成披露调研纪要显示，公司目前IGBT产能约8万片/月、MOSFET产能约7万片/月。产品目前主要应用在汽车的主驱逆变，技术含量较高，产品价格稳定。公司生产的MEMS产品目前大范围应用在智能手机、TWS耳机、智能手表、智慧家电等众多的消费品上。
《科创板日报》20日讯，据丽水经济技术开发区消息，目前，浙江旺荣年8英寸功率器件项目处于主体建设阶段，土建已基本完成，机电已完成全部进度的80%。预计8月份可实现设备进场及调试，9月份实现通线试生产。该项目总投资50亿元，一期计划投资24亿元，主要建设两条年产24万片的8英寸功率器件生产线，其中FRD芯片2.4万片/年、MOSFET芯片10.8万片/年、IGBT芯片10.8万片/年。建成达产后，预计可实现年产值16.8亿元。二期计划投资26亿元，主要对8英寸功率器件生产线进行扩产，最终形成年产72万片8英寸功率器件芯片及模组生产能力。全部建成达产后，预计可实现年产值60亿元。
《科创板日报》19日讯，德汇电子获得战略投资，国投创业领投。德汇电子是一家高性能电子陶瓷及其相关电子元器件研发商，集开发、生产和销售于一体，提供氮化铝陶瓷电路板，应用于IGBT模块、5G射频器件、光通讯器件、高功率LED、半导体激光器、半导体制冷器等领域。
《科创板日报》5日讯，安世半导体今日宣布，推出新款600 V单管IGBT。据介绍，新款600 V单管IGBT采用载流子储存沟槽栅场截止（FS）结构，在最高175℃的工作温度下可提供超低导通和开关损耗性能与高耐用性。
财联社6月30日电，工信部等五部门印发《制造业可靠性提升实施意见》。其中指出，汽车行业重点聚焦线控转向、线控制动、自动换挡、电子油门、悬架系统等线控底盘系统，高精度摄像头、激光雷达、基础计算平台、操作系统等自动驾驶系统，车载信息娱乐、车内监控、车机显示屏等智能座舱系统，车载联网终端、通信模块等网联关键部件，以及核心控制、电源驱动、IGBT、大算力计算、高容量存储、信息通信、功率模拟、高精度传感器等车规级汽车芯片，通过多层推进、多方协同，深入推进相关产品可靠性水平持续提升。
《科创板日报》29日讯，在浙江瑞安召开的2023国际新能源智能网联汽车创新生态大会上，中国工程院院士丁荣军表示，以碳化硅为代表的第三代半导体技术（包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术）已经开始获得应用，并具有很大的性能及市场潜力，将在未来十年获得高达年复合20%以上的快速增长。丁荣军指出，在电动汽车的应用驱动、性价比权衡、消费惯性等因素影响下，未来十年Si-IGBT仍将是功率半导体器件的主流，并将与碳化硅功率器件长期并存。
《科创板日报》18日讯，中芯集成三期12英寸中试线量产暨第10000片晶圆下线仪式17日举行。6月1日，中芯集成公告称，其及子公司中芯先锋与绍兴滨海新区芯瑞基金签订《中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司之投资协议》，投资建设中芯绍兴三期12英寸特色工艺晶圆制造中试线项目（计划今年完成建设），主要生产IGBT、SJ等功率芯片，HVIC（BCD）等功率驱动芯片。该项目总投资42亿元，用于建设一条集研发和月产1万片12寸集成电路特色工艺晶圆小规模工程化、国产验证及生产验证的中试实验线。
《科创板日报》25日讯，据业内人士透露，IGBT在工业、车用领域供货仍吃紧，且主流IDM厂一路看好其长期需求；只是这波缺货，没有吸引太多6、8吋晶圆厂投入IGBT扩产行列。
①公司目前8吋产能不足，6吋线满产。 ②公司指出，目前为止，8吋、12吋IGBT的衬底都缺。 ③公司目前已有每月10万颗模块的生产能力，今年年内将提升至20万颗以上。
①据公司判断，半导体行业将迎来拐点、走出低谷，下半年功率器件芯片价格有望随着清洁能源的快速成长迎来恢复性涨价。 ②公司单管IGBT芯片产品下游主要应用于光伏领域，目前小批量出货，处于产能爬坡阶段；12英寸硅片目前也处于产能爬坡阶段，产品价格稳定。
