财联社6月24日电，美国银行在最新研报中大幅上调全球半导体行业预测，认为AI需求正从验证投资回报转向解决芯片、存储和电力等结构性供给约束，存储芯片短缺与价格上涨将成为未来数年行业增长的核心驱动力。美银预计，全球半导体市场规模将从2025年的7870亿美元增至2030年的2.734万亿美元，2025—2030年复合增长率达28%，高于此前预期的2.3万亿美元和23%。美银预计，芯片行业用约50年实现首个1万亿美元销售额，而AI有望在未来5年再创造1万亿美元增量。

财联社6月24日电，三星电子正在考虑进行股票回购，但目前尚未确定具体的回购规模和时间表。

财联社6月24日电，美光科技周三盘后将公布财报，在投资者突然开始对AI涨势能否持续感到不安之际，恐成为近几个月来最重要的财报之一。在数据中心开发商需求旺盛的推动下，这家存储芯片制造商股价今年已累计飙升269%。嘉信理财首席交易和衍生品策略师Joe表示：“如果美光业绩令人失望，可能会强化这种瀑布式下跌态势，但如果成绩单没有瑕疵，买家可能会重新回到这个板块。”

《科创板日报》24日讯，SK海力士正加大力度开拓通用DRAM市场，同时放缓第六代高带宽内存（HBM4）的量产步伐。该公司表示，由于HBM已占其营收的40%以上，并占据绝对优势，因此正在重新分配资源，以确保从供应严重短缺的通用DRAM市场获得更多营收，而不是盲目地进行产能扩张。

财联社6月23日电，美银将美光科技目标价从950美元大幅上调至1500美元。

《科创板日报》23日讯，杰富瑞投资银行发布研报，认为AI需求持续推高全球存储芯片市场，价格上涨趋势将在2026年下半年延续，并可能贯穿2027年。该报告预估2026年第三季度全球存储芯片价格环比上涨约40%~50%，而在第四季度还可能环比上涨30%~40%，将出现价格连续2个月大幅跳升。对于拐点时间，报告认为2028年才可能首次看到缓和迹象。届时随着产能增加、市场供应走高，存储芯片平均售价可能下跌15%至20%。

《科创板日报》23日讯，三星电子宣布，已开发出通用闪存存储（UFS）5.0产品。其基于第九代V-NAND（V9）闪存技术开发而成，特点是针对端侧AI进行了优化。其数据传输带宽为10.8 GB/s，顺序读取速度为10.8 GB/s，顺序写入速度为9.5 GB/s。与上一代UFS 4.1相比，UFS 5.0的传输带宽提升了一倍，能够快速处理海量数据。

财联社6月23日电，存储芯片概念震荡拉升，同有科技涨超10%，普冉股份、北京君正、德明利、香农芯创、大港股份、时空科技跟涨。消息面上，据报道，三星电子第六代高带宽内存销售额突破10亿美元大关。三星电子今年2月12日全球率先实现HBM4量产出货，仅4个多月就取得上述成果。

《科创板日报》23日讯，三星电子HBM4于今年2月全球首发并正式量产出货，仅时隔约4个月，其销售额便已突破10亿美元。

财联社6月23日电，存储芯片的供需关系，要到2027年才会有改善迹象；AI带动的需求正在扩散，下半年功率、模拟芯片的供应会持续紧张……展望下半年半导体产业发展趋势，多位业内人士表示，AI给半导体带来的成长动力愈发强劲，并持续辐射到更多的细分领域。随着AI发展提速，半导体产业对于新材料、新技术的需求也在持续增强，超高密度高速互联、玻璃基板封装、碳化硅和金刚石散热等技术加速突破，成为半导体板块的另一条投资主线。

财联社6月22日电，截至发稿，闪迪股价上涨6.2%，报2319.26美元/股，续刷记录新高，成交额达89亿元，仅次于美光科技和SpaceX，位居美股所有股票成交额第三，甚至高于英伟达、特斯拉、英特尔、AMD、谷歌、微软等明星公司，反映出资金正在加速向半导体细分领域聚集。美光科技以213.86亿元高居榜首，当日股价上涨4.71%；SpaceX虽然位居第二，但股价大跌10.65%，成交额达到95.34亿元，显示市场分歧明显。当前美股市场呈现出“高成交、高波动”的特征。一方面，AI产业长期逻辑未改，另一方面，资金开始重新审视细分赛道的盈利兑现能力。未来一段时间，存储芯片、先进制造或将继续成为资金博弈的重要方向。

财联社6月22日电，南方两倍做多海力士今日延续强劲涨势。截至今日收盘，该ETF今日的二级市场涨幅为16.55%，今年累计涨幅达1061.92%，最新规模达1130亿港元。该ETF的持续上涨得益于SK海力士的强劲涨势。截止今日收盘，SK海力士的今日涨幅达5.61%，今年涨幅达348.39%。今日盘中，SK海力士一度涨超6%，再创新高，且市值短暂超过三星电子，成为韩国市值最高的企业。

《科创板日报》22日讯，三星电子平泽P5 Fab 2工地近日已新部署了多台打桩机。行业人士表示，施工设备陆续进场，意味着P5 Fab 2的实质性施工即将开始，下个月左右破土动工的可能性很大。随着AI基础设施投资浪潮带动存储芯片订单激增，三星已将资本投资的时间表较原计划提前了约六个月。P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂，也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算，预计其月产能可达20万至30万片，目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和先进制程代工（合同制造）产线在内的全部产品。

财联社6月22日电，韩国金融监管机构负责人表示，后悔让三星、SK海力士杠杆ETF上线，并称这些高风险产品的负面影响已显著增大。

《科创板日报》22日讯，近日，闪迪披露的一项专利显示，其正探索将NAND闪存与计算单元堆叠在单芯片封装中的方案，以缓解当前HBM供应紧张、容量受限及延迟等问题，其核心思路是在主计算芯片下方集成基于CBA技术的NAND存储单元，该计算芯片可以是GPU或AI处理器，同时在同一中介层上继续配置HBM堆栈。这种方案试图结合HBM的高带宽与NAND的大容量、低成本优势，并通过更宽的连接方式改善数据传输效率，同时降低成本和功耗压力。