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存储芯片
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存储芯片是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用,以ASIC技术和FPGA 技术两种方式实现产品化。
存储器
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佰维存储
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江波龙
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  • 9小时前 来自 科创板日报 张真
    HBM竞赛白热化!SK海力士探索封装新方案 或满足英伟达峰值性能目标
    阅读 53.2w+
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  • 9小时前 来自 财联社
    财联社3月4日电,早盘存储芯片概念反弹,佰维存储触及20cm涨停,江波龙、德明利、朗科科技、恒烁股份、普冉股份涨幅靠前。消息面上,佰维存储预告,1-2月净利润同比大增921.77%-1086.13%。
    江波龙
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    德明利
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    阅读 217.5w+
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  • 10小时前 来自 科创板日报记者 李佳怡 黄心怡
    内存涨价下手机将迎涨价潮?记者一线调查来了
    阅读 54.3w+
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  • 10小时前 来自 ZDnet
    《科创板日报》4日讯,SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新,其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距,目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化,将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。
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  • 昨天 18:55 来自 财联社
    财联社3月3日电,闪迪美股盘前跌幅扩大至8%,美光科技跌幅扩大至6.5%。
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  • 昨天 17:07 来自 财联社
    财联社3月3日电,美股芯片存储板块盘前大跌。闪迪、美光科技跌超5%,西部数据下跌4.5%,希捷科技跌近4%。
    阅读 256.9w+
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  • 昨天 15:45 来自 财联社
    财联社3月3日电,存储芯片制造商华邦电1月净利润同比增长562.3%。
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  • 昨天 08:45 来自 韩国经济日报
    《科创板日报》3日讯,设计高效且结构良好的电源分配网络正成为HBM行业面临的最关键挑战之一,三星预计将于今年开始量产HBM4E,并引入一种全新的供电架构——PDN分段技术。据悉,采用新的供电网络后,HBM4E的金属电路缺陷相比HBM4减少了97%,IR压降降低了41%。更低的IR压降扩大了电压裕度,从而提高了运行速度并增强了芯片的整体可靠性。
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  • 03-02 23:40 来自 财联社
    财联社3月2日电,美股存储概念持续走低,希捷科技跌近7%,闪迪、西部数据跌超5%,美光科技跌近3%。
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  • 03-02 14:53 来自 财联社
    财联社3月2日电,摩根士丹利已将英伟达重新列为其半导体板块的首选股票,取代美光科技。此前,存储芯片制造商美光的股价经历了一轮大幅上涨。“市场上一种普遍的看法是,存储芯片股票的定价,反映的是一个比处理器芯片更长、也更具持续性的周期,分析师Joseph Moore等人在一份报告中写道,“但我们在一定程度上并不认同这种观点。”市场对英伟达增长持续性的担忧,在未来几个月内,应该会为对其2027年前景的乐观情绪所取代。
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  • 03-02 12:04 来自 上证报
    财联社3月2日电,记者获悉,CMOS图像传感器公司思特威已经于2月26日向客户发出涨价函,宣布自3月1日起,对在三星晶圆厂生产的智慧安防和AIOT产品在原有价格基础上统一上调20%;对在晶合集成晶圆厂生产的智慧安防和AIOT产品在原有价格基础上统一上调10%。对于涨价原因,思特威表示,近期全球存储芯片严重短缺引发供应链失衡,公司承受上游晶圆厂的成本压力。为保障能够持续为客户提供稳定、高品质的产品及服务,经公司审慎评估,做出涨价决定。
    思特威-W
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  • 03-01 12:16 来自 财联社
    《科创板日报》1日讯,最新数据显示,韩国2月份出口额比去年同期增长29%,达到674.5亿美元,创下2月份历史新高。其中,半导体出口额同比增长160.8%,达到251.6亿美元,继续创下有史以来最高的月度业绩,并连续三个月超过200亿美元,主要得益于人工智能投资扩大带来的过剩需求以及由此导致的存储器价格飙升。
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  • 03-01 09:28 来自 科创板日报 张真
    HBM份额争夺战打响!三星率先亮出底牌 或增大DRAM尺寸
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  • 03-01 08:11 来自 财联社
    《科创板日报》1日讯,市场研究公司DRAMeXchange最新数据显示,2月份PC DRAM(DDR4 8Gb 1Gx8)产品的合约价格环比上涨13.04%,达到13美元。这是DDR4价格连续第11个月上涨。DDR4价格在一个季度内已翻了一番以上。
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  • 02-28 17:19 来自 财联社 刘蕊
    存储芯片“涨声”不断! DRAM短期或将见顶 NAND供需持续失衡
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  • 02-28 17:13 来自 财联社
    国家发改委价格监测中心:存储芯片价格持续上涨并向下游传导
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  • 02-28 17:05 来自 财联社
    财联社2月28日电,国家发改委价格监测中心发文称,2025年9月至今,受需求“爆发式”增长、产能“断崖式”紧缺等因素影响,全球存储器市场缺口扩大,存储芯片价格持续上涨,近1个月多以来,涨幅呈现扩大态势,建议关注存储芯片对下游价格的影响。调研反映,截至今年1月,存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最高。以主流型号为例,1月DARM(DDR4 8Gb 1G*8)合约平均价格为11.5美元,比上月上涨约24%,比2025年9月上涨约83%;NAND闪存(128Gb 16G*8 MLC)合约平均价格为9.5美元,比上月上涨约65%,比2025年9月上涨近1.5倍。

    国家发改委价格监测中心还表示,当前,存储芯片正处于上涨周期。年内来看,在AI服务器算力需求持续增长的带动下,全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续,存储芯片价格将延续上涨态势。存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品。随着AI应用渗透率提升,消费者对高端化、智能化的消费电子产品的偏好增强,消费升级趋势明显,对内存性能的要求更高。厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限,上调终端价格将成为普遍趋势。目前联想、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发布调价函,涨幅普遍在500~1500元之间,小米、vivo等国产新发售机型相同存储配置版本价格较上一代上涨300~500元。受存储芯片价格上涨及对下游的传导影响,PPI方面,计算机、通信及其他电子设备制造业分项价格有望止跌企稳,对PPI的拖累作用有所减弱。CPI方面,叠加提振消费政策效果持续显现,通讯工具分项价格将继续回升。
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  • 02-28 13:20 来自 财联社记者 王碧微
    PC、手机预期出货量跌至十年低点 业内坦言:“存储是今年最大的坎”
    阅读 93.8w+
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  • 02-27 21:24 来自 央视财经
    财联社2月27日电,由于IT行业多个领域成本急剧上涨,总部位于德国的欧洲大型数据中心运营商Hetzner近日宣布,将从4月1日起,再次上调服务价格。根据Hetzner的官方声明,此次调价将同时适用于其在德国、芬兰、美国和新加坡数据中心的现有客户与新订单。部分服务费用涨幅超过30%,最高涨幅达50%。该公司指出,内存市场目前由极少数制造商主导,其定价政策在短期内大幅推高了成本。
    阅读 307.6w+
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  • 02-27 17:13 来自 财联社
    财联社2月27日电,美股芯片存储板块盘前走低。闪迪跌1.5%,希捷科技跌1.0%,西部数据、美光科技跌0.5%。
    阅读 285.4w+
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