财联社11月21日电，存储芯片概念集体走弱，德明利、大为股份双双跌停，普冉股份、江波龙低开超10%，香农芯创、时空科技、佰维存储、北京君正跟跌。

财联社11月20日电，美银将闪迪（SanDisk）目标价从270美元上调至300美元。

财联社11月20日电，联想集团董事长杨元庆认为，内存、闪存固态硬盘这类零部件的短缺和价格上涨不会是短期的，预计整个2026年都将维持这一态势。他说，如果把手机、电脑以及AI服务器等业务加起来，联想可能是行业里零部件最大的买家之一，联想在供应链里有更密切的供应商关系，尤其和关键零部件有长期合作，能够更好地管理好当前供应短缺、价格上升的情况。他透露，联想已与核心零部件供应商签订了最优合约，确保明年有足够的供应保障。

《科创板日报》20日讯，由于内存成本上涨，英伟达和AMD据称正在考虑停止生产中低端游戏显卡。

①英伟达Rubin芯片或于明年下半年量产，高功耗芯片推动液冷产业爆发。②机构预计内存价格将再上涨约50%，存储企业利润有望加速释放。③工信部推动AI玩具产业高质量发展，产业链有望迎来需求爆发。

财联社11月19日电，2025数据存储产业大会11月19日在广州召开，大会由中国电子工业标准化技术协会主办，中电标协数据存储专业委员会承办。会上，中科曙光正式出任专委会当值会长，宣布专委会将发起编写AI存储标准，并联合牵头成立Future Storage工作组，以推动中国存储产业在全球竞争中抢占先机。

《科创板日报》19日讯，闪迪在存储芯片价格上涨的背景下，正积极寻求外包产能，并计划与力积电展开合作。双方计划将利用力积电铜锣新厂，闪迪将提供半导体设备，最快于明年上半年正式启动。

财联社11月19日电，尾盘存储芯片概念局部异动，朗科科技涨超10%，德明利、同有科技、航宇微、兆易创新、香农芯创等冲高。消息面上，继DRAM大幅涨价后，闪存(Flash)也全面涨价。据CFM闪存市场最新报价，11月19日，Flash Wafer(闪存晶圆)价格全面上涨，最高涨幅38.46%。

财联社11月19日电，继DRAM大幅涨价后，闪存（Flash）也全面涨价。据CFM闪存市场最新报价，11月19日，Flash Wafer（闪存晶圆）价格全面上涨，最高涨幅38.46%。具体来看，1Tb QLC涨25.00%至12.50美元，1Tb TLC涨23.81%至13.00美元，512Gb TLC涨38.46%至9.00美元，256Gb TLC涨14.58%至5.50美元。

《科创板日报》19日讯，为重夺DRAM市场领导地位，三星计划到2026年底将其10纳米第六代DRAM（1c DRAM）的月产能扩大到20万片晶圆。

《科创板日报》18日讯，三季度以来，上游相继控制资源供应并放缓出货节奏，甚至部分DRAM资源供应按下暂停键。而转眼间，时间来到今年最后一个季度的后半段，上游供应未见好转的同时市场持续消耗库存，现货市场存储供需矛盾愈演愈烈，更加强化了存储厂商控货惜售心态。资源供应全面收紧持续影响下，存储成品端多数产品延续涨价趋势。存储芯片价格飙涨正对消费市场产生强烈的多米诺骨牌效应。

财联社11月17日电，海光信息高管17日在第三季度业绩说明会上表示，存储芯片的价格波动可能会导致服务器厂商的成本有一定程度的上升。存储芯片涨价的主要原因是AI服务器的需求爆发，公司作为国内少数同时拥有高端通用处理器和AI加速处理器的芯片厂商，借助国内服务器市场对高性能计算芯片的需求增长，将持续深化与整机厂商合作，推动产品市场版图扩展。