财联社1月21日电，美股存储概念新高不断，存储概念指数涨4.8%。美光科技、西部数据涨超5%，SanDisk涨近4%，希捷科技涨近1%，齐创历史新高。正在交易中的道琼斯指数涨0.83%，标普500指数涨0.80%，纳斯达克综合指数涨0.79%。

《科创板日报》21日讯，据韩国金融信息企业FnGuide预估，SK海力士2025年第四季度营收预期为30.70万亿韩元，营业利润预计为16.18万亿韩元。全年营业收入预计为95.21万亿韩元，营业利润预计为44.23万亿韩元。这些数据均创下季度和年度历史新高。KB证券分析指出，DRAM业务是SK海力士去年第四季度业绩增长的主要驱动力。

《科创板日报》21日讯，供应链指出，存储大厂华邦电、南亚科目前对外签订的长期供货合约（LTA），模式多为“锁量不锁价”，时间由一年期拉长至至少两年起，部分大客户甚至谈到接近2030年的长期合作框架。过去存储厂与大客户签订的长单模式多为“锁价又锁量”，目前“锁量、不锁价”的主流模式核心在于确保产能优先顺序与出货稳定性，但价格仍随市场浮动，保留报价弹性空间。产业人士直言，这种模式能替供应商带来最低获利保障与产能利用率稳定度，但在不锁价前提下，毛利率天花板同样被锁死，“不会亏，但也赚不大”。

财联社1月21日电，午后存储芯片概念再度拉升，金太阳、兴森科技涨停，此前盈方微、至正股份、大港股份、通富微电涨停，兆易创新涨超6%，续创历史新高，赛腾股份、紫光国微、中电港等涨幅靠前。消息面上，三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。

财联社1月21日电，存储芯片概念延续强势，盈方微2连板，普冉股份、佰维存储、江波龙、香农芯创、兆易创新、恒烁股份、大为股份跟涨。消息面上，美股闪迪涨8%，再创历史新高。花旗集团将闪迪目标股价从280美元上调至490美元，将希捷科技目标股价从320美元上调至385美元。

财联社1月20日电，美光科技公司股价上涨5%，再创历史新高，至少两家券商上调该公司股票目标价。闪迪涨8%，再创历史新高。希捷科技涨超2%，西部数据涨超3%，股价同样刷新历史新高。今日，花旗集团将闪迪目标股价从280美元上调至490美元，将希捷科技目标股价从320美元上调至385美元。就在四天前，美国资产管理公司ClearBridge Investments的新兴市场股票基金经理Divya Mathur表示，人工智能发展所驱动的存储芯片需求，被市场显著低估。与存储芯片板块相反的是，正在交易中的美股低迷，道琼斯指数跌1.34%，标普500指数跌1.39%，纳斯达克综合指数跌1.63%。

财联社1月20日电，花旗集团将闪迪目标股价从280美元上调至490美元。

财联社1月20日电，据集邦数据，今日国际DRAM颗粒现货价格整体上涨，普涨之下DDR3部分颗粒也保持回温态势，其中DDR3 4Gb 256Mx16 1600/1866上涨3.86%，均价3.095美元；DDR3 4Gb 512Mx8 eTT上涨2.72%，均价1.133美元；DDR3 2Gb 128Mx16 1600/1866上涨2.72%，均价2.492美元。

财联社1月20日电，存储芯片概念开盘活跃，普冉股份涨超8%再创新高，盈方微涨停，北京君正、佰维存储、神工股份、大为股份、香农芯创、恒烁股份跟涨。消息面上，美光科技公司表示，内存芯片短缺在过去一个季度愈演愈烈，并重申供应紧张状况将持续到今年之后，原因是人工智能基础设施建设对高端半导体的需求激增。“我们当前看到的短缺程度的确前所未见。”

财联社1月19日电，美光预计前所未有的存储芯片短缺将持续到2026年之后。

财联社1月19日电，存储芯片概念盘中震荡回升，普冉股份涨超9%，此前赛腾股份触及涨停，盈新发展、深科技、康强电子、开普云等跟涨。消息面上，有数据显示，2025年9月以来，DDR5内存条价格上涨超300%，DDR4内存条涨幅也超150%。有业内人士表示，此轮内存条涨价源于AI引爆的存储需求浪潮。

财联社1月19日电，通富微电19日在互动平台表示，公司存储芯片封测能力伴随中国存储半导体产业自主发展同步成长，以晶圆减薄与高堆叠封装能力为核心技术，业务范围已全面覆盖FLASH、DRAM中高端产品封测，能够满足大容量、高速度、高堆叠、高可靠性等多维度要求，并与领军企业建立了长期稳定合作关系，形成了完备的量产验证和产业化经验。同时，公司围绕下游市场与客户的升级需求，持续深耕超厚金属层晶圆处理、高堆叠处理、高可靠性产品解决方案等关键工艺，取得良好的技术积累。

《科创板日报》19日讯，据摩根士丹利研究报告指出，传统存储芯片供需缺口正持续扩大，2025年二季度至2026年行业将迎来新一波超级周期，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等产品供应紧张态势加剧，市场暂无悲观理由。报告指出，先进制程存储产品（如 DDR5、HBM）产能需求强劲，挤压了成熟制程产能分配。2026年1月，头部企业对DDR4采购态度积极，受供应限制，其一季度价格涨幅可能达50%，涨势将延续至二季度；而产能向DDR4转移，也导致高密度DDR3严重短缺，带动相关供应商业绩增长。闪存芯片领域，NOR Flash一季度报价预计上涨20%-30%，涨价趋势或延续至2026年下半年。