《科创板日报》23日讯，人工智能驱动的存储“超级周期”或将比以往的繁荣时期持续时间更长、强度更大。三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在今年第四季度向客户调整报价，DRAM和NAND闪存价格上调幅度将高达30%，以满足AI驱动的存储芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力。

《科创板日报》22日讯，根据集邦咨询最新内存现货价格趋势报告，DRAM方面，为规避价格进一步上涨的需求，DDR4及DDR5交易量激增，DDR4 1Gx8 3200 MT/s现货均价环比上涨9.86%。与此同时，NAND Flash价格本周持续上涨，受供应商报价上涨带动，各容量Wafer价格平均涨幅达15%-20%。

财联社10月22日电，存储芯片板块集体走弱，雅创电子跌超9%，兆易创新、佰维存储、华虹公司、香农芯创、北京君正、江波龙跟跌。

《科创板日报》22日讯，随着数据中心扩张加速，以及云计算领导者将重点从AI训练转向推理，大容量存储器的需求激增，推动全球NAND闪存市场快速复苏。消息人士称，三星电子已扩大其位于平泽的主要NAND工厂的运营，其第八代（V8）NAND生产线的利用率在第三季度较上一季度提升了10%以上，达到了80%左右。

财联社10月22日电，伴随着存储芯片市场的涨价潮，A股存储芯片相关公司的盈利预期改善、股价一路高涨，存储芯片“超级周期”来临。业内人士认为，这轮“超级周期”由AI驱动，数据中心大容量存储需求高速增长，叠加智能手机、智能汽车等智能终端渗透率提升，共同推动本轮存储技术创新与市场扩容。展望后市，分析人士预计AI服务器存储产品的涨价潮或延续至2026年。国内存储公司有望继续受益于“价格回升+国产替代”的双重驱动。叠加消费电子需求提升，国内存储芯片公司开工情况稳中向好。

财联社10月21日电，存储芯片概念快速走强，香农芯创涨超10%，云汉芯城涨超9%，普冉股份、江波龙、德明利涨超5%。消息面上，美光科技执行副总裁近日表示，2026年的DRAM内存供应局面将比现在更为严峻。其称这是因为HBM对晶圆的消耗约是传统DRAM产品的三倍，三大内存原厂的大量产能已投入到HBM上；而目前建设新的DRAM晶圆厂所需的时间和金钱成本也在上升，短时间内无法大规模扩产。

《科创板日报》20日讯，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana预计，到2026年，DRAM市场仍将保持极度紧张，供需失衡将加剧。

财联社10月20日电，据江波龙官微20日消息，江波龙10月20日推出集成封装mSSD（全称“Micro SSD”）。目前，这项创新产品已完成开发、测试，并申请了国内外相关技术专利，处于量产爬坡阶段。mSSD是通过特定的封装工艺，将控制器芯片/存储芯片（Die）、无源元件（电阻、电容等）以及不同功能的集成电路集成在一个封装体内，实现它们之间的电气连接、物理保护与热管理。

《科创板日报》20日讯，三星正在加紧推进HBM4的研发，其计划于10月27日至31日在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，并计划于今年晚些时候量产。

财联社10月17日电，午后存储芯片概念局部回暖，万润科技直线涨停，雅创电子、同有科技、大港股份、大为股份等快速冲高。

财联社10月17日电，午后存储芯片概念持续走弱，深科技触及跌停，灿芯股份跌近10%，中电港、开普云、德明利、佰维存储等多股跌超5%。

财联社10月17日电，针对近期市场上存储产品涨价情况，深科技近日在接待调研时表示，公司在封测环节收取的是加工费，加工费波动相比终端产品价格波动相对有限。深科技进一步表示，公司目前存储半导体封测业务产能有序推进，产能利用可以满足订单需求，公司将持续关注市场机遇，如未来客户需求增长，公司将以满足主要客户需求来推进扩产计划。

财联社10月16日电，存储芯片概念股持续拉升涨幅进一步扩大，香农芯创涨超19%创历史新高，德明利快速涨停，佰维存储、江波龙、普冉股份、开普云、聚辰股份涨超7%。

财联社10月16日电，存储芯片概念股再度走强，德明利涨超9%，佰维存储、江波龙、香农芯创跟涨。消息面上，据报道过去半年全球存储芯片价格持续上涨。CFM闪存市场发布2025年Q4存储市场展望报告。报告指出，预计四季度，服务器eSSD涨幅将达到10%以上，DDR5 RDIMM价格涨幅约10%~15%。

财联社10月15日电，尾盘存储芯片概念拉升，恒烁股份涨超10%，普冉股份、朗科科技、协创数据、同有科技、深科技跟涨。消息面上，10月13日，存储模组大厂威刚董事长陈立白表示，目前存储产业行情“好到让我们头痛”。他指出，此前韩国厂商在放长假，预计近期将宣布新品价格，合约价格或将上涨20%-30%。

财联社10月14日电，美股存储概念股开盘迅速走低，SanDisk跌近8%，西部数据跌超3%，希捷科技跌超2%。