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存储芯片
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存储芯片是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用，以ASIC技术和FPGA 技术两种方式实现产品化。
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  • 昨天 15:07 来自 财联社 周子意
    SK海力士股票评级遭遇连降！大摩警告存储芯片市场恶化
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  • 昨天 08:25 来自 台湾经济日报
    大摩：存储器市场寒冬将至 供过于求问题将延续至2026年
    《科创板日报》19日讯，摩根士丹利最新报告直言存储器市场“寒冬将至”，DRAM市场恐从周期性高峰回落，预期最快将于四季度反转向下，开始面临供过于求压力，不仅接下来市况（订单、价格）更具挑战，供过于求问题更会一路延续至2026年。
    阅读 328.4w+
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  • 09-18 14:31 来自 闪存市场
    美光推出Gen4 SSD 性能较前代快两倍
    《科创板日报》18日讯，美光近日推出Crucial P310 2280 Gen4 NVMe SSD，其性能比Gen3 SSD快两倍，可满足个人电脑、笔记本电脑和PlayStation 5的需求。
    阅读 354.4w+
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  • 09-13 16:20 来自 科创板日报 宋子乔
    AI浪潮席卷固态硬盘 韩国出口数据揭示火热行情 三季度合约价或继续上涨
    阅读 117.1w+
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  • 09-11 12:00 来自 韩国IT时报
    SK海力士发布数据中心PCIe 5.0 SSD
    《科创板日报》11日讯，SK海力士宣布已成功开发出适用于数据中心的高性能固态硬盘PEB110 E1.S，这款新一代SSD基于已获得最高性能认证的238层NAND闪存，采用第五代PCIe技术，其带宽是现有第四代(Gen4)的两倍，数据传输速度达到了32GT/s。
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  • 08-29 13:55 来自 财联社
    机构：DRAM价格上涨幅度或低于预期
    《科创板日报》29日讯，TrendForce最新报告显示，2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash（闪存）零售渠道的出货量已大幅年减40%，下滑明显超出市场预期，这预示着下半年的需求不会大幅回温。TrendForce表示，从2025年的情况来看，虽然预期DRAM价格会逐季上扬，但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价，以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软，DRAM价格上涨的幅度将低于预期。
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  • 08-29 10:43 来自 财联社 周子意
    技术突破！SK海力士首发第六代10纳米DRAM芯片
    阅读 58.9w+
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  • 08-27 22:45 来自 财联社记者 王碧微
    江波龙：AI端侧需求或在Q4后体现 高库存并非应对原厂涨价|直击业绩会
    阅读 85.7w+
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  • 08-23 07:45 来自 科技日报 张佳欣
    新技术实现全方位DNA数据存储和计算功能
    阅读 53.7w+
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  • 08-16 09:52 来自 财联社
    存储芯片概念股震荡反弹 好上好涨停
    财联社8月16日电，好上好涨停，利尔达、英唐智控、中电港涨超5%，东方中科、深南电路、协创数据、香农芯创、大为股份等跟涨。消息面上，三星电子日前公布了2024年第二季度财报，二季度业绩显著提升，远超市场预期。三星表示，本次业绩大幅增长主要得益于人工智能（AI）技术对存储芯片的需求持续提升，存储芯片价格得到反弹。
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  • 08-14 10:51 来自 闪存市场
    AI服务器出货大幅增长 带动全球存储市场规模Q2环比增超22%
    《科创板日报》14日讯，在AI服务器出货大幅增长的推动下，eSSD、DDR5 RDIMM和HBM需求稳定提升，带动原厂NAND Flash和DRAM ASP逐季上涨。据CFM闪存市场数据显示，2024年二季度全球NAND Flash市场规模环比增长18.6%至180.0亿美元，DRAM市场规模环比增加24.9%至234.2亿美元。全球存储市场规模二季度环比增长22.1%至414.2亿美元，同比大增108.7%。
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  • 08-13 13:39 来自 Chosun Biz
    消息称SK海力士正在扩产DRAM
    《科创板日报》13日讯，据业内人士透露，SK海力士正在提高利川M16工厂的DRAM产能。公司已经向主要设备供应商订购核心设备，预计设备将从今年Q4开始供货，明年初开始增加产能。
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  • 08-13 12:54 来自 澎湃新闻 鞠文韬
    复旦团队研发超快闪存集成工艺：20纳秒超快编程、10年非易失
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  • 08-13 10:52 来自 digitimes
    报道称美国商务部拒绝三星德州存储芯片工厂投资计划
    《科创板日报》13日讯，据报道，三星电子拍板在美国兴建晶圆代工厂后，又提出一项包含在美国德州建立存储芯片工厂的大规模投资计划。美国商务部半导体支持法案办公室决定不提供与此计划相关的财务支持，等同于拒绝三星在美国建立存储芯片工厂。
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  • 08-09 13:47 来自 财联社
    SK海力士CEO：存储芯片需求将保持坚挺至明年年初
    《科创板日报》9日讯，SK海力士首席执行官郭鲁正表示，由于HBM等高性能存储器芯片的强劲需求，存储器芯片市场还将维持一段时间的乐观态势，预计存储器芯片市场将持续活跃到明年年初。SK海力士认为，随着人工智能市场的扩大，明年存储器的需求将持续增长，并制定了积极应对的战略。SK海力计划在本季度向主要客户供应12层HBM3E样品并开始量产，并将在明年下半年推出与台积电合作开发的12层HBM4。
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  • 08-02 13:45 来自 财联社
    亚洲芯片股领跑者生变：外国投资者三个月来首次抛售SK海力士 增持三星电子
    财联社8月2日电，亚洲芯片股领跑者正在发生变化，外国投资者的涌入正推动三星电子股价上涨，相当多投资者正在寻找人工智能行业的下一个表现最佳的公司。这家全球最大的内存制造商预计将从“AI总龙头”英伟达那里赢得更多业务，这可能有助于三星赶上规模较小的韩国竞争对手SK海力士。上周，有市场消息称，三星电子第四代高带宽存储芯片HBM3已获得英伟达批准在其处理器中使用。据知情人士最新对媒体透露，三星取得的重要进展不仅限于HBM3获得放行，而且下一代产品HBM3E预计将在两到四个月内通过认证。亚洲市场的海外基金已开始为这一转变做准备。外国投资者在7月份净抛售了15亿美元的SK海力士股票，为三个月来首次抛售，但增持了20亿美元的三星电子股票。
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  • 07-30 08:08 来自 财联社
    市场供需缺口持续扩大 国内厂商有望受益于HBM国产化
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  • 07-22 11:05 来自 Digitimes
    NAND Flash厂为iPhone 16积极备货 部分产品线缺货
    《科创板日报》22日讯，据报道，受惠AI，苹果iPhone 16换机潮需求将备受期待，NAND Flash原厂积极为大客户预备产能，部分产品线已出现缺货。
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  • 07-17 16:16 来自 日本经济新闻
    日经：客户抗拒涨价 DRAM价格涨势停歇
    《科创板日报》17日讯，据报道，用于手机、PC、数据中心服务器的DRAM价格涨势停歇。2024年6月份指针性产品DDR4 8Gb批发价（大宗交易价格）为每个2.10美元左右，容量较小的4Gb产品价格为每个1.62美元左右，均与上月持平，为4个月来第3度呈现持平。DRAM批发价格为存储器厂商和客户间每个月或每季度敲定一次。报道指出，DRAM批发价格未能上涨，主要是因为反映当前供需的DRAM即期价格持续呈现持平，客户对存储器厂商强势的涨价态度持抗拒姿态。即期交易敏感反映当前的供需，其占全球市场比重虽小，却是决定批发价的参考数据。
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  • 07-17 16:10 来自 ET News
    三星看好存储器市况 减产后新产线选择投资NAND Flash
    《科创板日报》17日讯，此前有消息称三星代工业务状况不断恶化，已暂停平泽厂晶圆代工产线建设，先行建设DRAM等内存生产线。据韩媒最新报道，三星依然看好存储器市况，减产后新产线选择投资NAND Flash。
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