《科创板日报》4日讯，铠侠产线稼动率据悉已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品，借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉，铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据存储元件，和现行产品相比，存储容量提高约50%，写入数据时所需的电力缩减约30%。

财联社7月4日电，由于对人工智能(AI)技术的需求推动了存储芯片价格的反弹，预计三星电子第二季度的利润将同比增长12倍。根据LSEG SmartEstimate统计的27位分析师预估均值显示，三星电子在截至6月30日当季的营业利润可能增至8.8万亿韩元(63.4亿美元)。

①国内首个人形机器人大模型发布，或将助力机器人产业提速。②北京楼市新政落地，房地产行业估值有望迎来整体修复。③三星调涨DRAM和NAND三季度价格，存储板块景气持续上行。

财联社6月26日电，全志科技涨超10%，金太阳涨超5%，精测电子、大为股份、佰维存储、盈方微、万润科技、德明利等跟涨。消息面上，存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载。

财联社6月19日电，知情人士透露，美光科技正在美国建设先进的高带宽存储器测试生产线，并考虑首次在马来西亚生产HBM，以抓住人工智能热潮带来的更多需求。知情人士透露，美光科技正在扩建位于爱达荷州博伊西总部的HMB相关研发设施，包括生产和验证线。他们说，该公司还在考虑在马来西亚建立HBM生产能力。

财联社6月19日电，科翔股份涨超10%，普冉股份、佰维存储、雅创电子、兆易创新、万润科技等跟涨。消息面上，佰维存储昨晚发布业绩预告，预计上半年净利润2.8亿元至3.3亿元，同比扭亏。

《科创板日报》18日讯，存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载，估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。但HBM排挤太多DRAM产能，势必将推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为，DDR5价格持续走扬态势明确，预期到了年底前还有10~20%涨幅，但若DDR5价格太高，反而可能拖延市场渗透率的起飞速度，影响下游客户采用的意愿。

财联社6月13日电，好上好3连板，古鳌科技、华虹公司、金太阳、上海贝岭、南大光电、兆易创新等跟涨。消息面上，高盛分析师公布报告预计，全球 HBM（高带宽存储芯片）市场规模将在 2023-2026 年期间以约 100% 的复合年增长率增长，并在 2026 年达到 300 亿美元，较 3 月份的预测上调 30% 以上。

《科创板日报》13日讯，据报道，标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际，DDR3产能不足状况更显严重，由于三星等大厂退出DDR3制造，但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加，单一设备搭载容量直线上升，将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析，随着主要DRAM厂减产效应持续发酵，带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在，且后面涨势依然可期，DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言，DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。

①AI需求推动叠加资本支出不足，存储产业链有望迎“超级周期”。②全球迎核电建设浪潮，本轮核电景气周期有望超预期。③德国eVTOL巨头登陆中国市场，低空经济产业化落地有望提速。