《科创板日报》19日讯，存储短缺影响持续外溢，光碟产业迎来价格反弹。据光碟大厂铼德指出，由于市场需求回温叠加供给收敛，今年首季报价调涨逾10%，预期下一季仍有10%至20%的上涨空间，近10年首现报价调涨。

财联社3月19日电，美东时间周三盘后，美光科技首席执行官桑杰・梅赫罗特拉在财报电话会上表示，人工智能技术的快速迭代，正大幅提升机器人的性能，机器人行业即将迎来为期20年的增长周期，未来有望成为科技领域最大的产品品类之一，“我们预计，这一极具潜力的新兴增长品类将进一步夯实存储行业长期向好的发展格局。美光科技已做好充分准备，把握机器人领域的发展机遇。”

财联社3月19日电，美东时间周三盘后，美光科技首席执行官桑杰・梅赫罗特拉在财报电话会上表示，当前存储芯片行业处于供应短缺状态，且这种状况将持续至2026年以后，这为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。为解决供需之间的巨大缺口，美光科技正积极推进全球产能布局，预计2027财年，公司资本支出将大幅增加，主要用于高带宽存储器（HBM）和 DRAM 相关投资。

财联社3月19日电，存储芯片概念集体走弱，恒烁股份跌超11%，云汉芯城、德明利、香农芯创、大为股份、江波龙跟跌。

财联社3月19日电，阿里云、百度智能云等云厂商3月18日同步上调AI算力与存储产品价格，最高涨幅达34%。2025年下半年以来，全球存储芯片进入新一轮涨价周期，如今其连锁反应正持续发酵。近日，OPPO、vivo宣布手机涨价。据报道，韩国三星电子或发生大规模罢工，这为本就紧张的存储产品供需再添压力。业内人士表示，2026年-2027年存储芯片价格将保持坚挺，全产业链正迎来新一轮成本考验。

财联社3月18日电，周三，美股存储概念股逆市上涨，延续近期上涨趋势。截至发稿，闪迪(SNDK.US)涨超3%，美光科技(MU.US)涨超1.5%，西部数据(WDC.US)涨0.6%，齐破新高。

财联社3月18日电，腾讯高管18日晚回应存储芯片涨价问题时表示，人工智能需求激增不仅带动DRAM及高带宽内存（HBM）需求回升，乃至CPU、固态硬盘、机械硬盘等需求全面回升。目前订单已需提前几个月、几个季度甚至数年预定。供应商优先保障规模最大、合作最稳定的客户，比如腾讯云。规模较小的云厂商如今已难以确保获得稳定的供应链支持。腾讯高管表示，在此背景下行业或别无选择，只能将成本上涨转嫁至售价。过去24小时内，已目睹多家中国云厂商在多方面的价格上调。

财联社记者近日走访多个品牌门店了解到，受上游内存涨价暴涨影响，此前市场传闻的“手机涨价”预期开始落地，除了已经发布调价声明的OPPO、vivo等，其他品牌也有涨价计划或预期。总体来看，各品牌的低端机涨价幅度在200-500元不等，新款的高端机型涨价幅度则在1000元左右，但部分低端机价格未涨。业内人士向财联社记者表示，部分低端机目前的涨价幅度不及成本涨幅，以中低端产品为主的厂商处境仍然艰难，短期或将面临亏损。存储芯片价格暴涨之下，手机厂商们一方面改变备货策略，一方面将战略重点转向了高单价产品；而上游的零部件厂商已开始将资源向可穿戴、家居等其他对存储需求较小的产线转移。（财联社记者 王碧微 张校毓）

财联社3月18日电，美股芯片存储板块盘前普涨。美光科技涨近3%，上一交易日收涨4.5%，总市值首次突破5000亿美元。公司即将于美东时间周三盘后公布财报。闪迪涨近4%，西部数据、希捷科技涨超2%。

财联社3月18日电，存储芯片概念表现活跃，佰维存储涨超5%续创历史新高，朗科科技涨超8%，江波龙、北京君正、恒烁股份、香农芯创、兆易创新跟涨。消息面上，美股存储芯片股普涨，西部数据涨超9%，希捷科技涨超5%，美光科技股价涨超4%，创下历史新高。韩国三星电子工会本周三将就三星史上最大规模罢工计划进行投票，若通过5月将中断芯片生产。

《科创板日报》18日讯，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

①美光科技再创历史新高，存储行业供不应求或将持续至27年。②技术领先+政策驱动，发改委推动北斗万亿产业赛道启航。③算力需求呈指数级爆发，算电协同建设有望加速。

财联社3月17日电，群智咨询发布2026年一季度存储价格风向标。2026年第一季度，全球存储芯片市场在AI算力需求与消费电子供需格局的双重作用下，呈现出价格超预期上涨、结构性分化加剧的显著特征。AI服务器需求持续强劲，叠加消费端需求不确定性增强，存储原厂将产能优先向HBM、DDR5等高利润产品倾斜，导致消费电子用DRAM与NAND供应规模进一步收缩。与此同时，存储厂商与终端厂商的库存水位持续处于低位，补库存需求强烈，进一步放大了市场供应紧张缺口。根据群智咨询数据，2026年第一季度存储价格涨幅超预期，其中消费电子存储价格环比2025年第四季度涨幅超60%，NAND环比涨幅更是突破70%。

《科创板日报》17日讯，近期，随着个别上游供应端释出NAND报价，带动512Gb NAND单GB价格已向上突破$0.35，1Tb则上涨至$0.22左右。不过，当前现货倒挂形势严峻，贸易端wafer价格高位站岗，市场买盘情绪偏弱。成品方面，受近期新采购资源价格上涨影响，LPDDR4X生产成本已涨至$1.6/Gb以上，存储厂商再度上调LPDDR4X价格，大容量产品成交相对更加艰难。行业厂商仍在持续消化资源成本上涨的压力，缓慢推动部分低容量SSD成品价格小幅攀升。而渠道市场虽有部分客户询单，但经过多轮涨价后，存储成品价格过高已明显打击客户的采购意愿，市场实际成交十分有限。整体来看渠道市场以持稳为主 ，仍需时间等待更多的客户接受当前价位水平。