财联社1月19日电，美光预计前所未有的存储芯片短缺将持续到2026年之后。

财联社1月19日电，存储芯片概念盘中震荡回升，普冉股份涨超9%，此前赛腾股份触及涨停，盈新发展、深科技、康强电子、开普云等跟涨。消息面上，有数据显示，2025年9月以来，DDR5内存条价格上涨超300%，DDR4内存条涨幅也超150%。有业内人士表示，此轮内存条涨价源于AI引爆的存储需求浪潮。

财联社1月19日电，通富微电19日在互动平台表示，公司存储芯片封测能力伴随中国存储半导体产业自主发展同步成长，以晶圆减薄与高堆叠封装能力为核心技术，业务范围已全面覆盖FLASH、DRAM中高端产品封测，能够满足大容量、高速度、高堆叠、高可靠性等多维度要求，并与领军企业建立了长期稳定合作关系，形成了完备的量产验证和产业化经验。同时，公司围绕下游市场与客户的升级需求，持续深耕超厚金属层晶圆处理、高堆叠处理、高可靠性产品解决方案等关键工艺，取得良好的技术积累。

《科创板日报》19日讯，据摩根士丹利研究报告指出，传统存储芯片供需缺口正持续扩大，2025年二季度至2026年行业将迎来新一波超级周期，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等产品供应紧张态势加剧，市场暂无悲观理由。报告指出，先进制程存储产品（如 DDR5、HBM）产能需求强劲，挤压了成熟制程产能分配。2026年1月，头部企业对DDR4采购态度积极，受供应限制，其一季度价格涨幅可能达50%，涨势将延续至二季度；而产能向DDR4转移，也导致高密度DDR3严重短缺，带动相关供应商业绩增长。闪存芯片领域，NOR Flash一季度报价预计上涨20%-30%，涨价趋势或延续至2026年下半年。

①我国科研团队攻克芯片散热世界难题，氮化镓功率器件有望站上风口。②AI对存储的需求推动SSD发展，高速SSD主控芯片或供应吃紧。③“国标”工作组成立，服务机器人领域迎来重磅催化。

财联社1月17日电，美光科技已签署一份意向书，拟以18亿美元从力晶积成电子制造股份有限公司（力积电）收购其位于中国台湾的一处晶圆厂设施，以扩充其存储芯片产能。美光周六发布公告称，公司将接管位于台湾铜锣的P5厂区，并计划在交易于第二季度完成后分阶段提升DRAM产量。美光预计，该交易将在2027年下半年带来显著的DRAM晶圆产出。美光还表示，双方将就美光的晶圆后段封装与组装展开合作，并支持力积电的传统DRAM产品组合。

财联社1月16日电，美光科技股价上涨8%，总市值首次突破4000亿美元。其董事TeyinLiu购买了2.32万股普通股，交易总金额约为780万美元。闪迪、希捷科技上涨超4%，股价创历史新高。美国知名资产管理公司ClearBridge Investments的新兴市场股票基金经理Divya Mathur表示，未来十年，随着人工智能（AI）持续推高芯片需求，存储芯片板块将是最佳的投资选择。

财联社1月16日电，存储芯片概念午后持续走强，佰维存储20cm涨停，江波龙涨超15%创历史新高，德明利、兆易创新、神工股份、恒烁股份、北京君正、香农芯创、普冉股份、开普云、时空科技跟涨。消息面上，Counterpoint Research发布报告指出，存储市场已进入“超级牛市”阶段。预计2026年Q1还将再涨40%–50%，2026年Q2预计再上涨约20%。

财联社1月16日电，存储芯片概念震荡拉升，佰维存储涨超8%续创新高，江波龙、德明利、开普云、香农芯创、北京君正、国科微、时空科技跟涨。消息面上，Counterpoint Research最新报告指出，内存市场已进入“超级牛市”阶段，当前行情甚至超越了2018年的历史高点。预计2026年Q1还将再涨40%–50%。

财联社1月15日电，BENCHMARK将闪迪目标价从260美元大幅上调至450美元。

《科创板日报》15日讯，据集邦数据，今日国际DRAM颗粒现货价格整体上涨，仍是DDR4 8Gb (512Mx16) 2666上涨幅度最大，为3.77%，均价18.333美元。此外，DDR4 8Gb (1Gx8) 2666今日上涨2.75%，均价23.375美元。

财联社1月15日电，美股存储概念股盘前普涨，SanDisk涨超3%，消息面上，伯恩斯坦将其目标价从300调整到580美元；美光科技、西部数据涨超2%。