《科创板日报》17日讯，受NAND Flash大厂铠侠拖累，日本代表性的总合电机厂东芝上年度陷入亏损，且东芝宣布最高将在日本国内裁员4,000人。东芝表示，目前在东京都港区和川崎市皆设有总部办公室，之后计划在2025年度上半年内、将总部机能集中至川崎市，且会将营运资源转向功率半导体、量子技术等成长领域。（小K注：东芝持有铠侠约4成股权）

《科创板日报》16日讯，随着三星、SK海力士等公司的存储芯片产量增加，韩国材料企业的开工率维持在较高水平，但公司业绩并未得到相应改善。一位半导体材料行业相关人士表示，尽管开工率较去年有所提高，但销售价格与去年相似，加之能源价格上涨，营业利润率恶化不可避免。此外，之前存储芯片行业状况恶化时，三星、SK海力士要求材料供应商降低价格，目前仍维持这一价格水平，供应商提出提高产品价格，但这些请求尚未得到反馈。

财联社5月14日电，分析师警告称，高带宽内存(HBM)等高性能存储芯片今年可能仍将面临供应紧张局面，因为人工智能热潮推动了对这类存储芯片需求的爆炸性增长。

财联社5月9日电，灿芯股份20CM涨停，香农芯创、东芯股份、佰维存储、朗科科技、华海诚科、恒烁股份等跟涨。消息面上，据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。

①合成生物产业政策暖风不断，产业化应用蓄势待发。②政策继续加码，房地产行业预期有望修复。③下半年存储芯片需求或保持强劲，厂商有望迎业绩与估值双击。

财联社5月2日电，在媒体招待会上，韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍，由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求，公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前，公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。

财联社4月26日电，德明利涨停，深南电路、佰维存储涨超5%，澜起科技、协创数据、香农芯创、江波龙等跟涨。消息面上，近日，存储板块上市公司兆易创新、澜起科技等个股陆续披露了2024年一季度报告或一季度业绩预告，多家公司一季度业绩大幅增长，其中江波龙今年一季度净利润同比增长236.93%。

①北京推进数据中心升级改造，液冷技术将从“可选”变成“必选”。②下半年整体内存供应可能面临不足，存储产业链有望延续高景气。③国务院集中力量打造金融业“国家队”，券业并购政策窗口期开启。

财联社4月25日电，据Choice数据统计，截至发稿包括澜起科技、兆易创新、佰维存储、德明利、江波龙、北京君正和香农芯创在内的7家存储芯片上市公司披露一季报或一季度业绩预告。其中，澜起科技一季度净利同比增长1032.86%，兆易创新Q1净利同比增长36.45%；佰维存储和德明利均预计一季度净利同比扭亏为盈；北京君正和香农芯创一季度净利同比分别下降23.9%和下降83.49%。环比表现方面，江波龙Q1净利环比增长598%。

财联社4月25日电，美国最大计算机存储芯片制造商美光科技获得总额高达136亿美元的美国政府拨款和贷款。

财联社4月25日电，江丰电子涨近10%。佰维存储、华海诚科涨超5%，香龙芯创、金太阳、盈方微、恒烁股份等跟涨。消息面上，近日SK海力士计划斥资约20万亿韩元（146亿美元）在韩国构建新的存储芯片产能，进行重大的产能升级，以满足快速增长的人工智能开发需求。

财联社4月24日电，SK海力士计划斥资约20万亿韩元（146亿美元）在韩国构建新的存储芯片产能，进行重大的产能升级，以满足快速增长的人工智能开发需求。这家韩国公司将初步拨出5.3万亿韩元，于4月底左右开始建设一家新工厂或晶圆厂，计划在2025年11月完工。根据声明，SK海力士将长期逐步发展该设施，总投资将超过20万亿韩元。

财联社4月24日电，联电第一季度营收546.3亿元台币，预估534.1亿元台币；第一季度净利润104.6亿元台币，预估107.8亿元台币。