财联社5月27日电，长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO获上市委会议通过，符合发行条件、上市条件和信息披露要求。长鑫科技招股说明书（申报稿）显示，公司预计2026年上半年实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；实现归母净利润500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。公司此次IPO拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。

财联社5月27日电，深科技开盘后一度逼近涨停，随后股价有所回落。消息面上，26日晚间，深科技发布关于子公司拟扩大高端存储芯片封测产能的公告。值得注意的是，在公告披露前，深科技股价于5月26日尾盘突然大幅拉升，这一股价“抢跑”现象引发市场对其是否存在消息提前泄露的猜测。对此，5月27日上午，记者致电深科技证券部，相关工作人员回应称：“对于扩产计划，公司已持续（释放）三四个月的时间，扩产是一直有计划的，不是突然放出来的利好消息。”

财联社5月27日电，据Counterpoint咨询统计，在强劲市场需求与存储价格双双走强的推动下，全球DRAM营收于2026年第一季度环比增长80%，创下历史新高。高带宽内存（HBM）以及AI数据中心基础设施中LPDDR5应用占比提升，也成为推动这一增长的重要因素。其中，三星存储业务持续保持领先地位，SK海力士与美光分列第二、第三位。预计2026年第二季度价格将继续环比增长50%（包括HBM及标准型DRAM），预示市场将迎来又一个表现强劲的季度。

财联社5月27日电，据成都旭光电子股份有限公司消息，近日，韩国某客户一行到成都旭瓷新材料有限公司（简称“旭瓷新材料”）全资子公司宁夏北瓷新材料有限公司考察交流。双方在原有小批量合作基础上，围绕氮化铝陶瓷结构件存量扩量、新品拓展开展深度洽谈，成功达成增量及新产品合作意向，本次来访的韩国某客户，深耕全球高端半导体配套领域，终端主要服务三星等国际头部存储芯片企业。此前，公司已对该客户实现小批量供货，产品性能与交付质量获得认可，双方建立了扎实的合作基础。

财联社5月27日电，据报道，三星正计划在越南建设一座投资15亿美元的存储芯片测试工厂，测试工厂将于2027年11月投入运营。

财联社5月27日电，早盘存储芯片概念大幅高开，北京君正涨超15%，深科技竞价涨停，普冉股份、太极实业、国科微、大普微、香农芯创跟涨。消息面上，隔夜美股存储芯片板块再度飙升，美光科技大涨超19%，总市值首次突破1万亿美元；闪迪涨超7%，西部数据涨超8%，希捷科技涨4%。

①大涨超19%！美光总市值突破1万亿美元，存储行业景气度爆表。②英特尔欲打造全球首座玻璃基板量产基地，玻璃基板有望崭露头角。③AIDC供电架构变革，超级电容有望成为结构性必需品。

财联社5月27日电，美光科技股价涨幅扩大至20%以上，创2011年以来最大单日涨幅，最新股价报901.78美元。

财联社5月26日电，工信部发布2026年汽车标准化工作要点。其中包括，加速汽车芯片标准发布实施。贯彻落实汽车芯片标准体系，提升汽车芯片环境可靠性、电磁兼容、功能安全和信息安全水平，推进汽车芯片应力试验要求、信息安全技术规范等标准审查报批。系统性推进汽车芯片产品与技术应用标准研究，推动电源管理芯片等标准发布，推进控制芯片、计算芯片、车内通信芯片、安全芯片、功率芯片等标准审查报批，加快传感芯片、车外通信芯片等标准研制，开展汽车存储芯片、驱动芯片等标准预研及汽车芯片匹配试验方法标准研究。

财联社5月26日电，早盘存储芯片概念震荡下挫，大普微跌超10%，同有科技、朗科科技、江波龙、德明利、大为股份等跌幅靠前。

《科创板日报》25日讯，日前美光位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片。据介绍，1α DRAM节点是美国本土有史以来最先进的内存技术，非常适合用于关键应用的长生命周期内存，包括DDR4和LPDDR4产品。美光也表示，其1α DRAM技术是全球最先进的DDR4技术，将在未来几年与公司在爱达荷州博伊西和纽约克莱的领先内存技术同步支持长生命周期产品需求。美光预计马纳萨斯工厂将在2026年底前完成合格的1α DRAM生产。这项超过20亿美元的投资将使美光在马纳萨斯的DDR4晶圆供应增加4倍。