财联社1月15日电，BENCHMARK将闪迪目标价从260美元大幅上调至450美元。

《科创板日报》15日讯，据集邦数据，今日国际DRAM颗粒现货价格整体上涨，仍是DDR4 8Gb (512Mx16) 2666上涨幅度最大，为3.77%，均价18.333美元。此外，DDR4 8Gb (1Gx8) 2666今日上涨2.75%，均价23.375美元。

财联社1月15日电，美股存储概念股盘前普涨，SanDisk涨超3%，消息面上，伯恩斯坦将其目标价从300调整到580美元；美光科技、西部数据涨超2%。

财联社1月15日电，据报道，SK海力士美国公司首席执行官Sungsoo Ryu表示，SK海力士在韩国龙仁新芯片生产基地的首座工厂计划2027年2月投产，比原计划提前三个月。

财联社1月15日电，存储芯片概念盘中震荡回升，佰维存储涨超9%，续创历史新高，伟测科技、大为股份、柏诚股份、江波龙、普冉股份冲高。消息面上，佰维存储预告2025年度实现归属于母公司所有者的净利润同比增加427.19%至520.22%。此外据供应链知情人士透露，闪迪已向部分下游客户提出了一项前所未有的供应合同：要求客户支付100%现金预付款，以锁定未来1至3年的存储芯片配额。

《科创板日报》15日讯，TrendForce最新发布报告显示，DRAM现货价格持续攀升，由于供应商和贸易商不愿释放库存，交易量依然受限，主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片的平均价格上涨9.64%。NAND闪存方面，现货价格近期持续上涨。然而，由于多种因素的共同作用，交易量依然低迷：现货价格大幅上涨、消费品需求疲软以及农历新年期间工厂即将停工。尽管一些买家采取了观望态度，但对未来价格走势持乐观态度的现货交易商拒绝降价刺激销售。这种僵局导致现货市场持续低迷。本周512Gb TLC晶圆的平均现货价格上涨了9.68%，达到15.052美元。

《科创板日报》15日讯，英伟达去年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。

财联社1月15日电，SK海力士美国公司首席执行官Sungsoo Ryu接受采访时表示，SK海力士在韩国龙仁的新芯片生产基地的首座工厂计划于2027年2月投产，比原计划提前三个月。该公司还计划下个月开始在韩国清州的新工厂M15X部署硅片，以生产高带宽存储芯片。

财联社1月14日电，存储芯片概念表现活跃，佰维存储涨超14%，开普云、国科微涨超8%，江波龙、德明利、北京君正、时空科技、普冉股份跟涨。消息面上，佰维存储公告称，公司预计2025年实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；2025年四季度单季营收同比增长105.09%-224.85%。

财联社1月14日电，合百集团14日在互动平台表示，为进一步拓宽公司产业投资布局，公司实缴出资1.8亿元参投了合肥市国联资本股权投资基金，合肥市国联资本股权投资基金通过产投壹号基金投资长鑫科技集团股份有限公司4.5亿元。

财联社1月14日电，受AI算力需求爆发影响，存储芯片产能供应吃紧，价格大幅上涨。机构分析师表示，今年第一、第二季度存储芯片及下游产品涨价预计还将延续。近期，多家国产存储芯片企业相继公布扩大产能项目，计划加大研发投入。

财联社1月12日电，Counterpoint Research发布存储市场内存月度价格追踪报告指出，存储市场已进入“超级牛市”阶段，当前行情甚至超越了2018年的历史高点。在AI与服务器容量需求持续激增的推动下，供应商议价能力已达到历史最高水平。预计2025年Q4存储价格将飙升40%–50%；2026年Q1还将再涨40%–50%，2026年Q2预计再上涨约20%。