财联社9月26日电，早盘存储芯片概念再度走强，紫光国微涨停，聚辰股份、佰维存储、太龙股份、精智达、万润科技等跟涨。消息面上，受AI数据中心推升的存储器强劲需求，三星本周大幅上调NAND产品价格，DRAM产品涨幅高达30%，交期也从单月延长至半年以上。美光、闪迪等竞争对手同步跟进涨价措施。

财联社9月24日电，美东时间周二盘后，美光科技CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上指出，预计全球存储芯片（尤其 HBM）供需不平衡将加剧，因DRAM 库存低于目标，而NAND 库存持续下降；同时，明年HBM产能已基本锁定，需求增长显著，2026 年HBM出货量增速预计超整体DRAM，成存储板块核心增长动力。

财联社9月24日电，存储芯片概念股反复活跃，通富微电涨停，江波龙、赛腾股份、德明利、江丰电子跟涨。消息面上，由于供应紧张，三星对其DRAM和NAND闪存产品进行了大幅提价，部分产品提价幅度高至30%。这也使得三星成为继美光和闪迪之后，最新一家上调内存和闪存产品价格的存储巨头。

《科创板日报》23日讯，东芯股份在最新调研纪要中表示，从市场整体格局来看，存储市场的供需平衡正逐渐向有利于供应商的方向倾斜。而AI浪潮带来的高性能存储需求增长，与消费电子传统旺季催生的终端产品备货需求形成双因素叠加，进一步刺激了近期存储产品的市场需求，成为推动价格上涨的重要动力。公司涉及的利基型存储芯片随着市场需求的逐步好转，销售价格逐步回升，整体趋势向好。代工成本方面，随着下游需求的逐步修复，大陆代工厂稼动率均处于高位，产能趋于紧张，预计今年代工价格会有逐步提升。公司的成本处理是用加权平均，短期不影响公司持续向好的经营态势。

《科创板日报》23日讯，SK海力士已在其位于清州的M15X工厂启动了一条试验生产线，该生产线将生产1b DRAM，以满足日益增长的HBM需求。该公司计划在11月前将设备投入使用，并在第四季度举行工厂落成典礼，初始产量目标为每月1万片晶圆。

《科创板日报》22日讯，根据TrendForce集邦咨询最新研究，未来两年AI基础设施的建置重心将更偏向支持高效能的推理服务，在传统大容量HDD严重供不应求的情况下，CSP业者纷纷转向NAND Flash供应商寻求解方，催生专为AI推理设计的Nearline SSD（近线固态硬盘），以满足市场的迫切需求。随着AI推理应用扩张，预计这股需求热潮将延续到2027年，因此2026年Enterprise SSD（企业级固态硬盘）的供应将呈吃紧状态。

财联社9月22日电，早盘存储芯片概念延续强势，德明利2连板，续创历史新高，江波龙、古鳌科技、佰维存储、万润科技等跟涨。消息面上，继闪迪宣布将存储产品价格上调10%以上之后，美光向渠道通知存储产品即将上涨20%-30%。此外，三星近日通知大客户第四季度DRAM类LPDDR4X、LPDDR5/5X协议价格，预计上涨15%-30%以上。

财联社9月19日电，午后存储芯片概念持续走强， 江波龙涨超15%，香农芯创涨超5%，双双创历史新高，大为股份直线涨停，普冉股份、太龙股份、开普云、佰维存储、万润科技等跟涨。消息面上，继上周美光向渠道通知存储产品即将上涨20%—30%之后，三星近日通知大客户第四季度DRAM类LPDDR4X、LPDDR5/5X协议价格，预计上涨15%—30%以上。

财联社9月19日电，存储芯片概念股震荡拉升，德明利涨超9%，江波龙、普冉股份、力源信息跟涨。消息面上，隔夜美股存储公司再度大涨，美光科技、闪迪、西部数据均创历史新高。东方证券研报指出，AI算力需求持续增长下，全球DRAM市场规模将持续扩张，利好存储产业链。

《科创板日报》18日讯，三星正在将用于存储芯片的低端光掩模外包，公司于月初已向在天安（Cheonan）设有工厂的光掩模制造商PKL下订单。

《科创板日报》17日讯，根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，虽然DDR4供应依然吃紧，但价格飙升导致买家难以跟进，导致价格上涨但交易量有限。NAND方面，现货市场价格上涨，询盘回暖，成交量有所回升，尤其QLC产品表现尤为突出。

①九部门联合发布扩大服务消费“19条”，机构称体育消费潜力巨大。②需求达到前所未有水平，存储芯片涨价趋势或将延续。③多条热门线路“秒光”，“十一”黄金周旅游市场有望迎来爆发。

《科创板日报》17日讯，三星电子第九代高容量QLC NAND上市时间或推迟至2026年上半年，原因是设计缺陷导致的性能问题。