《科创板日报》4日讯，据媒体报道，3月4日，三星电子已于上月与主要客户完成一季度DRAM供货价格的最终谈判，服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约100%，价格较去年四季度翻倍，部分客户及产品的涨幅甚至超过100%。该报道援引业内知情人士透露，谈判已全面收尾，部分海外客户已完成付款。这一涨幅较今年1月协商的70%水平，在短短一个月内再度扩大约30个百分点。

财联社3月4日电，2026年初，一场由上游核心元器件驱动的涨价风暴正席卷整个消费电子市场。国家发展改革委价格监测中心2月28日发布的数据显示，截至2026年1月，全球存储芯片两大主要产品DRAM（内存）和NAND闪存价格均创下自2016年有统计数据以来的最高值。以主流型号DDR4 8Gb颗粒为例，部分型号的现货价格更是从2025年低点的3.2美元飙升至15美元，累计涨幅高达369%。在此背景下，记者从知情人士处独家获悉，“联想已向其渠道商发布价格调整函，决定对旗下部分电脑产品进行价格上调。”据前述人士透露，此次涨价的信号其实在线上渠道早已显现。“线上从3月份前就已经开始调整了，要么是商品标价直接上调，要么是此前的优惠活动撤了。”他表示，本次下发的调价函主要针对部分线下门店体系，“我们已经收到了新的价格表。对比去年，部分电脑型号的终端零售价涨幅最高超过了1000元。”不过他补充道，针对学生的购机补贴政策仍在执行，因此学生群体的购机价格目前暂未受到此次涨价潮的波及。（蓝鲸新闻记者 翟智超）

财联社3月4日电，早盘存储芯片概念反弹，佰维存储触及20cm涨停，江波龙、德明利、朗科科技、恒烁股份、普冉股份涨幅靠前。消息面上，佰维存储预告，1-2月净利润同比大增921.77%-1086.13%。

《科创板日报》4日讯，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化，将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。

财联社3月3日电，闪迪美股盘前跌幅扩大至8%，美光科技跌幅扩大至6.5%。

财联社3月3日电，美股芯片存储板块盘前大跌。闪迪、美光科技跌超5%，西部数据下跌4.5%，希捷科技跌近4%。

财联社3月3日电，存储芯片制造商华邦电1月净利润同比增长562.3%。

《科创板日报》3日讯，设计高效且结构良好的电源分配网络正成为HBM行业面临的最关键挑战之一，三星预计将于今年开始量产HBM4E，并引入一种全新的供电架构——PDN分段技术。据悉，采用新的供电网络后，HBM4E的金属电路缺陷相比HBM4减少了97%，IR压降降低了41%。更低的IR压降扩大了电压裕度，从而提高了运行速度并增强了芯片的整体可靠性。

财联社3月2日电，美股存储概念持续走低，希捷科技跌近7%，闪迪、西部数据跌超5%，美光科技跌近3%。

财联社3月2日电，摩根士丹利已将英伟达重新列为其半导体板块的首选股票，取代美光科技。此前，存储芯片制造商美光的股价经历了一轮大幅上涨。“市场上一种普遍的看法是，存储芯片股票的定价，反映的是一个比处理器芯片更长、也更具持续性的周期，分析师Joseph Moore等人在一份报告中写道，“但我们在一定程度上并不认同这种观点。”市场对英伟达增长持续性的担忧，在未来几个月内，应该会为对其2027年前景的乐观情绪所取代。

财联社3月2日电，记者获悉，CMOS图像传感器公司思特威已经于2月26日向客户发出涨价函，宣布自3月1日起，对在三星晶圆厂生产的智慧安防和AIOT产品在原有价格基础上统一上调20%；对在晶合集成晶圆厂生产的智慧安防和AIOT产品在原有价格基础上统一上调10%。对于涨价原因，思特威表示，近期全球存储芯片严重短缺引发供应链失衡，公司承受上游晶圆厂的成本压力。为保障能够持续为客户提供稳定、高品质的产品及服务，经公司审慎评估，做出涨价决定。

《科创板日报》1日讯，最新数据显示，韩国2月份出口额比去年同期增长29%，达到674.5亿美元，创下2月份历史新高。其中，半导体出口额同比增长160.8%，达到251.6亿美元，继续创下有史以来最高的月度业绩，并连续三个月超过200亿美元，主要得益于人工智能投资扩大带来的过剩需求以及由此导致的存储器价格飙升。

《科创板日报》1日讯，市场研究公司DRAMeXchange最新数据显示，2月份PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）产品的合约价格环比上涨13.04%，达到13美元。这是DDR4价格连续第11个月上涨。DDR4价格在一个季度内已翻了一番以上。