《科创板日报》17日讯，根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，虽然DDR4供应依然吃紧，但价格飙升导致买家难以跟进，导致价格上涨但交易量有限。NAND方面，现货市场价格上涨，询盘回暖，成交量有所回升，尤其QLC产品表现尤为突出。

①九部门联合发布扩大服务消费“19条”，机构称体育消费潜力巨大。②需求达到前所未有水平，存储芯片涨价趋势或将延续。③多条热门线路“秒光”，“十一”黄金周旅游市场有望迎来爆发。

《科创板日报》17日讯，三星电子第九代高容量QLC NAND上市时间或推迟至2026年上半年，原因是设计缺陷导致的性能问题。

《科创板日报》16日讯，据TrendForce报道，西部数据近日通知客户将逐步提高所有HDD（机械硬盘）产品的价格。西部数据声称，其存储产品组合中每种容量的需求都达到了前所未有的水平，并且该公司正在投资先进的创新技术。

《科创板日报》15日讯，被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。

财联社9月15日电，存储芯片概念股再度爆发，德明利涨停，开普云涨超10%、香农芯创、普冉股份、江波龙跟涨。消息面上，继闪迪宣布将存储产品价格上调10%以上之后，美光向渠道通知存储产品即将上涨20%-30%。所有存储产品全部停止报价，协议客户价格全部取消，暂停报价，预计所有产品停止报价一周。

《科创板日报》12日讯，三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资，力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出，三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。

财联社9月12日电，午后存储芯片概念股涨幅进一步扩大 香农芯创直线拉升触及20cm涨停，精智达、普冉股份、佰维存储涨超10%。消息面上，隔夜美股存储公司集体大涨，闪迪涨超14%，美光科技涨7.55%。近日闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上。

财联社9月12日电，早盘存储芯片概念走强，德明利涨停，香农芯创涨超3%续创历史新高，江波龙、普冉股份、朗科科技、佰维存储、万润科技等跟涨。消息面上，9月11日，存储大厂铠侠（Kioxia）宣布与英伟达展开合作，打造读取速度较传统SSD快近百倍的固态硬盘。铠侠SSD表示，公司正依循NVIDIA的提案与要求推进开发，这种新型SSD将达成GPU的直接连接与数据交换。

①美光科技七连阳暴力拉升，AI推动存储行业景气持续上行。②固态电池产业进展持续加速，机构称产业化拐点在即。③蚂蚁数科宣布成立“蚂蚁链信”，RWA市场投资机遇凸显。

财联社9月11日电，知名存储芯片厂商闪迪（Sandisk）股价跃升16%，将连续上涨七日的势头延续至68%。