《科创板日报》26日讯，三星已成功大幅减少3D NAND闪存生产光刻工艺中光刻胶的使用量。据消息人士透露，其已制定未来NAND的生产路线图，仅使用目前光刻胶量的一半。

财联社11月25日电，万润科技、宏昌电子涨停，国芯科技涨超10%，赛腾股份、甬矽电子、雅克科技、香农芯创等涨幅靠前。消息面上，英伟达首席执行官黄仁勋表示,英伟达正在尽快认证三星的AI内存芯片。英伟达正在评估三星的8层堆叠和12层堆叠HBM3E内存。

《科创板日报》18日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年DRAM价格将转为下跌。其中，制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势。DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确，加上部分买卖方库存水位偏高，价格不排除于今年第四季底开始下跌。

财联社11月18日电，服务器市场继续拉动对存储需求的增长，三季度的全球存储市场规模延续二季度的增长趋势。据CFM闪存市场数据显示，2024年三季度全球NAND Flash市场规模环比增长5.7%至190.21亿美元，DRAM市场规模环比增加10.4%至258.5亿美元。全球存储市场规模三季度环比增长8.3%至448.71亿美元。2024年前三季度，全球存储市场规模累计达1202.25亿美元，同比增长96.8%。

《科创板日报》14日讯，SK海力士近日在SK AI峰会2024上公布了其正在开发的HBM3e 16hi内存，每个立方体的容量为48 GB，样品定于2025年上半年推出。TrendForce最新发现显示，该产品内存面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在内的应用，其有望在HBM4代推出之前突破内存容量限制。

财联社11月11日电，日本存储芯片制造商铠侠日前透露，力争今年12月至明年6月期间在东京证券交易所上市。若良好业绩持续，铠侠将继续探讨年内尽早上市。铠侠8日向关东财务局提交有价证券申请上市登记表。铠侠曾计划最早10月上市，但以市场行情疲软为由暂缓。

《科创板日报》8日讯，三星电子已确定韩国平泽第四园区(P4)第一条生产线的投资方向，并已更改了生产线名称为P4H，准备同时量产NAND和DRAM。其中，每月对NAND生产规模为1万片，DRAM产能预计至少每月3万至4万片。

《科创板日报》4日讯，三星电子计划于本月第四周开始在“NRD-K”项目引进设备，预计将加速下一代存储器的开发，特别是1d DRAM和V11、V12 NAND。NRD-K项目是三星电子建设的下一代半导体研发综合体，尖端半导体工艺的研究、生产和分销均在此进行。

财联社11月1日电，合肥海恒控股集团有限公司10月25日在上海证券交易所成功发行全国首单科技成果转化债，募集资金7亿元，聚焦科技成果转化，重点投向集成电路领域的新型存储芯片制造技术研发项目及存储芯片自主研发制造的某国家级战略项目，旨在在中试熟化和成果产业化两个阶段加大投入，助力新型存储芯片实现技术产业化，助力DRAM领域技术成果实现产业化转化。

财联社10月31日电，韩国半导体产量一年多来首次同比下降，这是全球人工智能发展推动的繁荣周期可能开始降温的另一个迹象。根据政府统计部门周四发布的数据，9月全国半导体产量下滑3%，此前一个月增长11%。出货量增速也从8月的17%降至0.7%。不过，库存水平显示库存仍在快速消耗，9月同比下降41.5%。这些数字显示，随着存储芯片需求见顶，该行业可能正在逐渐降温。

《科创板日报》29日讯，模组厂预期，第四季度仅eSSD与HBM产品出货量和价格增加，其他存储产品如DRAM及NAND将停滞不前。这是由于消费性产品如手机及PC将与需求持平，仅服务器相关需求持续走强。

财联社10月25日电，SK海力士与特斯拉洽谈向后者供应价值高达1万亿韩元企业级固态硬盘（SSD或eSSD）的事宜。

财联社10月24日电，早盘存储芯片概念异动拉升，万润科技直线涨停，朗科科技、上海贝岭、同有科技、香农芯创、好上好等快速跟涨。消息面上，存储芯片巨头SK海力士第三季度的营业利润达到7.03万亿韩元(51亿美元)，上年同期为亏损1.8万亿韩元，高于分析师预期的6.9万亿韩元。营收大增94%，达到17.6万亿韩元，而市场预期为18.2万亿韩元。

《科创板日报》22日讯，三星电子计划在今年年底前建成第一条1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）量产线，三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片，并计划于明年底发布。