《科创板日报》12日讯，三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资，力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出，三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。

财联社9月12日电，午后存储芯片概念股涨幅进一步扩大 香农芯创直线拉升触及20cm涨停，精智达、普冉股份、佰维存储涨超10%。消息面上，隔夜美股存储公司集体大涨，闪迪涨超14%，美光科技涨7.55%。近日闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上。

财联社9月12日电，早盘存储芯片概念走强，德明利涨停，香农芯创涨超3%续创历史新高，江波龙、普冉股份、朗科科技、佰维存储、万润科技等跟涨。消息面上，9月11日，存储大厂铠侠（Kioxia）宣布与英伟达展开合作，打造读取速度较传统SSD快近百倍的固态硬盘。铠侠SSD表示，公司正依循NVIDIA的提案与要求推进开发，这种新型SSD将达成GPU的直接连接与数据交换。

①美光科技七连阳暴力拉升，AI推动存储行业景气持续上行。②固态电池产业进展持续加速，机构称产业化拐点在即。③蚂蚁数科宣布成立“蚂蚁链信”，RWA市场投资机遇凸显。

财联社9月11日电，知名存储芯片厂商闪迪（Sandisk）股价跃升16%，将连续上涨七日的势头延续至68%。

《科创板日报》11日讯，日本铠侠计划到2027年实现AI SSD的商业化，其数据读取速度将比传统产品快近100倍。该SSD将与英伟达合作开发并用于处理生成式AI计算的服务器，旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。

《科创板日报》10日讯，CFM闪存市场最新报告显示，预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情，为明年春季行情走势奠定基调。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上，预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅，手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。

财联社9月5日电，午后存储芯片概念走强，佰维存储涨超15%，万润科技触及涨停，江波龙、德明利、香农芯创、大港股份等跟涨。消息面上，由于DDR4 DRAM供不应求，三星和SK海力士将DDR4的生产计划延长至2026年，以应对市场需求。

《科创板日报》2日讯，由于DDR4价格在供应紧张的情况下保持坚挺，三星电子计划将原定于今年结束的DDR4 DRAM生产延长至明年。SK海力士近期也制定了类似的政策，决定增加DDR4产量，并已将此告知客户。

①国务院印发“人工智能+”行动意见，AI应用有望迎来爆发。②中国信通院成立“先进存力AI推理工作组”，存储产业价值有望得到重塑。③民营大运力液体火箭逐步成熟，我国卫星产业链加速发展。

财联社8月21日电，存储芯片概念盘中持续走高，兆易创新、德明利涨停，香农芯创涨近10%，普冉股份、江波龙、佰维存储、同有科技涨幅靠前。消息面上，据媒体报道，AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。

《科创板日报》18日讯，据闪存市场最新统计，在AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL（产品生命周期终止）通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。其中，SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势，二季度以38.2%的市场份额蝉联第一，并扩大了与三星的差距。

财联社8月12日电，网传美国存储芯片厂商美光中国区业务调整。美光公司针对此变动回应称，鉴于移动NAND产品在市场持续疲软的财务表现，以及相较于其他NAND机会增长放缓，公司将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发，包括终止UFS5（第五代通用闪存存储）的开发。美光表示，此项决策仅影响全球移动NAND产品的开发工作，美光将继续开发并支持其他NAND解决方案，如SSD和面向汽车及其他终端市场的NAND解决方案。美光还将继续在全球范围内开发和支持移动DRAM（内存芯片）市场，并提供业界领先的DRAM产品组合。