财联社5月26日电，早盘存储芯片概念震荡下挫，大普微跌超10%，同有科技、朗科科技、江波龙、德明利、大为股份等跌幅靠前。

《科创板日报》25日讯，日前美光位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片。据介绍，1α DRAM节点是美国本土有史以来最先进的内存技术，非常适合用于关键应用的长生命周期内存，包括DDR4和LPDDR4产品。美光也表示，其1α DRAM技术是全球最先进的DDR4技术，将在未来几年与公司在爱达荷州博伊西和纽约克莱的领先内存技术同步支持长生命周期产品需求。美光预计马纳萨斯工厂将在2026年底前完成合格的1α DRAM生产。这项超过20亿美元的投资将使美光在马纳萨斯的DDR4晶圆供应增加4倍。

财联社5月25日电，存储芯片概念盘中持续走高，商络电子20cm涨停，盈方微触及涨停，云汉芯城、兆易创新、深科技、香农芯创、紫光国微、雅创电子跟涨。消息面上，根据TrendForce，2026年第二季MobileDRAM合约价持续大幅上扬，第二季LPDDR4X平均销售单价（ASP）将至少季增70%–75%，LPDDR5X则季增78%–83%。

财联社5月23日电，黄仁勋表示，内存价格是消费者面临的挑战，希望内存供应商尽快增加产能。

财联社5月23日电，美光CEO认为存储芯片短缺问题将持续到2026年以后。

财联社5月22日电，午后存储芯片概念持续走强，兆易创新涨超9%，续创历史新高，A+H股总市值超3300亿；大普微一度涨超10%刷新上市新高，早盘一度跌超14%，国科微涨超15%，盈方微触及涨停，兆易创新、恒烁股份、联芸科技、香农芯创跟涨。消息面上，周四，美股存储板块走强，闪迪涨超10%，希捷科技涨近8%，西部数据涨超5%，美光科技涨超4%。闪迪首席执行官戴维・戈克勒向投资者表示，闪存市场将在“很长一段时间内”持续供不应求，这为这家存储器制造商改造其业务创造了绝佳契机。

财联社5月22日电，AMD首席执行官表示，将继续在今年每个季度增加供应，并计划在2027年及以后继续增加供应；未来数年CPU需求将持续攀升，CPU市场供应吃紧。

财联社5月20日电，美光科技表示，自上次财报电话会议以来，财务前景已有所增强，并有望在第三财季再次实现可观的创纪录自由现金流。

财联社5月20日电，美股芯片存储板块盘前上涨。希捷科技涨1.6%，西部数据涨1.7%，闪迪涨2.5%，美光科技涨近4%。

财联社5月20日电，韩国总统李在明表示，部分工会可争取自身权益，但行事必须恪守底线、严守界限。

财联社5月20日电，韩国总统府敦促三星电子劳资双方全力以赴，直至达成协议。