财联社12月13日电，普冉股份20CM涨停，兆易创新逼近涨停，恒烁股份、朗科科技、聚辰股份、佰维存储均涨超5%。中泰证券研报指出，NOR有快速启动、低功耗、高可靠性等特点，配套SOC主控芯片使用。未来随着AI耳机、眼镜、玩家等硬件持续创新，NOR市场有望再次扩容。

财联社12月10日电，白宫周二在一份声明中表示，美国商务部已敲定向存储芯片制造商美光科技提供逾61亿美元补贴的方案，以支持美光在国内建设几家半导体工厂。

财联社12月9日电，日本存储芯片制造商铠侠将IPO发行价定为每股1455日元。

财联社12月8日电，长江存储发布声明称，近期多家媒体捏造、散布和传播长江存储“借壳上市”的不实传闻。为澄清事实，公司发表声明如下：一、长江存储从无任何“借壳上市”的意愿。二、长江存储与“万润科技”等上市公司无直接业务合作。三、请相关单位自重并立即停止一切失实报道。公司将保留追究相关单位法律责任的权利。

《科创板日报》2日讯，日本存储大厂铠侠预计下个月开始减少NAND产量。预计三星电子也将采取减产措施来保持NAND供应价格稳定。

《科创板日报》27日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%，但平均销售单价（ASP）上涨7%，带动产业整体营收达176亿美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨询表示，不同应用领域的NAND Flash价格走势在今年第三季出现分化，企业级SSD需求强劲，推升价格季增近15%，消费级SSD价格虽有小幅上涨，但订单需求较前一季衰退。智能手机用产品因中国手机品牌严守低库存策略，订单大量减少，第三季合约价几乎与上季持平。Wafer受零售市场需求疲软影响，合约价反转下跌。

《科创板日报》26日讯，三星已成功大幅减少3D NAND闪存生产光刻工艺中光刻胶的使用量。据消息人士透露，其已制定未来NAND的生产路线图，仅使用目前光刻胶量的一半。

财联社11月25日电，万润科技、宏昌电子涨停，国芯科技涨超10%，赛腾股份、甬矽电子、雅克科技、香农芯创等涨幅靠前。消息面上，英伟达首席执行官黄仁勋表示,英伟达正在尽快认证三星的AI内存芯片。英伟达正在评估三星的8层堆叠和12层堆叠HBM3E内存。

《科创板日报》18日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年DRAM价格将转为下跌。其中，制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势。DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确，加上部分买卖方库存水位偏高，价格不排除于今年第四季底开始下跌。

财联社11月18日电，服务器市场继续拉动对存储需求的增长，三季度的全球存储市场规模延续二季度的增长趋势。据CFM闪存市场数据显示，2024年三季度全球NAND Flash市场规模环比增长5.7%至190.21亿美元，DRAM市场规模环比增加10.4%至258.5亿美元。全球存储市场规模三季度环比增长8.3%至448.71亿美元。2024年前三季度，全球存储市场规模累计达1202.25亿美元，同比增长96.8%。

《科创板日报》14日讯，SK海力士近日在SK AI峰会2024上公布了其正在开发的HBM3e 16hi内存，每个立方体的容量为48 GB，样品定于2025年上半年推出。TrendForce最新发现显示，该产品内存面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在内的应用，其有望在HBM4代推出之前突破内存容量限制。

财联社11月11日电，日本存储芯片制造商铠侠日前透露，力争今年12月至明年6月期间在东京证券交易所上市。若良好业绩持续，铠侠将继续探讨年内尽早上市。铠侠8日向关东财务局提交有价证券申请上市登记表。铠侠曾计划最早10月上市，但以市场行情疲软为由暂缓。