财联社1月5日电，午后存储芯片概念持续走强，普冉股份20cm涨停，此前云汉芯城20cm涨停，兆易创新回封涨停，恒烁股份、江波龙、开普云、香农芯创均涨超10%。消息面上，在AI强劲需求带动下，2025年存储芯片价格大涨，其中DDR4 16Gb涨幅高达1800%，DDR5 16Gb涨幅高达500%，512Gb NAND闪存涨幅高达300%。

财联社1月5日电，存储芯片概念快速拉升，香农芯创涨超10%，大为股份、德明利、江波龙、北京君正、佰维存储、矽电股份跟涨。消息面上，美股存储芯片大涨，美光科技上涨涨10.51%，刷新历史新高；SanDisk上涨15.95%，西部数据上涨8.96%。

《科创板日报》4日讯，三星电子平泽工厂P5产线的主体结构建设将于今年2月正式恢复。据悉，该产线的建设系三星应对存储超级周期战略的一部分，其投产日期暂定于2028年。

《科创板日报》4日讯，SK海力士将于2027年3月在其位于龙仁半导体产业集群的生产基地启用首个洁净室，比原计划提前约两个月，为扩张DRAM产能做准备。据悉，该集群是下一代DRAM内存生产基地，其产能包括高带宽内存（HBM），目前正在建设中。

财联社1月3日电，美股存储概念股延续涨势，美光科技涨超10%，刷新历史新高，SanDisk涨超14%，西部数据涨超8%。

财联社12月30日电，存储芯片概念走强，东芯股份涨超11%，佰维存储、灿芯股份涨超7%，香农芯创、江波龙、神工股份、普冉股份、开普云跟涨。消息面上，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。

财联社12月26日电，据报道，富士通已加入由软银主导的下一代人工智能存储芯片项目。

财联社12月25日电，早盘存储芯片概念延续强势，恒烁股份涨超10%，北京君正、香农芯创、江波龙、德明利、普冉股份跟涨。消息面上，存储涨价潮蔓延，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。

财联社12月24日电，美股存储概念股拉升，美光科技涨4%，股价续创历史新高；SanDisk涨近5%，西部数据涨超1%。

《科创板日报》24日讯，根据TrendForce最新发布的内存现货价格趋势报告，DRAM、DDR4和DDR5芯片及模块价格持续攀升，尽管涨幅略有放缓。这并非由于供应短缺缓解，而是由于部分中间商为应对年末结算而释放库存所致。内存模块厂商中市场份额最大的金士顿本周大幅提高了DRAM价格，但整体现货价格并未出现疲软迹象。主流芯片的平均现货价格已从上周（12月17日）的19.86美元上涨至本周（12月23日）的21.75美元，涨幅达9.52%。

《科创板日报》24日讯，今日上午10点02分左右，存储大厂三星电子在韩国华诚设立的工厂发生火灾，或由工厂内一台泵的碳化所引起。火灾发生后，三星电子内部消防队率先实施了安全措施，并于上午10点23分与消防部门一同将火扑灭。三星电子表示：“生产没有中断，也没有人员伤亡。”

《科创板日报》24日讯，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格，因此本次涨价在业内较为罕见。

财联社12月24日电，存储芯片概念表现活跃，香农芯创、北京君正均涨超11%，时空科技涨超8%，德明利、神工股份、普冉股份、江波龙、大为股份、万润科技跟涨。消息面上，据报道，韩国两大存储芯片巨头三星与SK海力士正加快内存生产，以应对来自AI的需求。