《科创板日报》22日讯，三星电子正在开发的第七代高带宽存储器（HBM4E）的基础芯片已进入后端设计阶段。此外，该公司最近制定了新的HBM路线图，旨在加快实现HBM4、HBM4E、HBM5三代产品量产。

财联社1月22日电，美股存储板块盘前走强，西部数据涨超4%，美光科技涨超3%，闪迪涨2.7%，希捷科技涨2.5%。

《科创板日报》22日讯，铠侠存储事业部总经理中户俊介日前表示，铠侠2026年的全部产能已经售罄，预计这一趋势至少会持续到2027年。其表示，公司不会优先向出价最高的供应商供货，而是与长期合作伙伴共同制定年度供货计划，并据此进行分配。

财联社1月22日电，存储芯片概念延续强势，盈方微3连板，朗科科技高开超11%，德明利、普冉股份、江波龙、佰维存储、兆易创新、大为股份、香农芯创高开。消息面上，存储大厂华邦电、南亚科目前对外签订的长期供货合约（LTA），模式多为锁量不锁价，时间由一年期拉长至至少两年起，部分大客户甚至谈到接近2030年的长期合作框架。此外，美股存储概念股美光科技、西部数据、希捷科技、闪迪齐创历史新高。

财联社1月21日电，美股存储概念新高不断，存储概念指数涨4.8%。美光科技、西部数据涨超5%，SanDisk涨近4%，希捷科技涨近1%，齐创历史新高。正在交易中的道琼斯指数涨0.83%，标普500指数涨0.80%，纳斯达克综合指数涨0.79%。

《科创板日报》21日讯，据韩国金融信息企业FnGuide预估，SK海力士2025年第四季度营收预期为30.70万亿韩元，营业利润预计为16.18万亿韩元。全年营业收入预计为95.21万亿韩元，营业利润预计为44.23万亿韩元。这些数据均创下季度和年度历史新高。KB证券分析指出，DRAM业务是SK海力士去年第四季度业绩增长的主要驱动力。

《科创板日报》21日讯，供应链指出，存储大厂华邦电、南亚科目前对外签订的长期供货合约（LTA），模式多为“锁量不锁价”，时间由一年期拉长至至少两年起，部分大客户甚至谈到接近2030年的长期合作框架。过去存储厂与大客户签订的长单模式多为“锁价又锁量”，目前“锁量、不锁价”的主流模式核心在于确保产能优先顺序与出货稳定性，但价格仍随市场浮动，保留报价弹性空间。产业人士直言，这种模式能替供应商带来最低获利保障与产能利用率稳定度，但在不锁价前提下，毛利率天花板同样被锁死，“不会亏，但也赚不大”。

财联社1月21日电，午后存储芯片概念再度拉升，金太阳、兴森科技涨停，此前盈方微、至正股份、大港股份、通富微电涨停，兆易创新涨超6%，续创历史新高，赛腾股份、紫光国微、中电港等涨幅靠前。消息面上，三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。

财联社1月21日电，存储芯片概念延续强势，盈方微2连板，普冉股份、佰维存储、江波龙、香农芯创、兆易创新、恒烁股份、大为股份跟涨。消息面上，美股闪迪涨8%，再创历史新高。花旗集团将闪迪目标股价从280美元上调至490美元，将希捷科技目标股价从320美元上调至385美元。

财联社1月20日电，美光科技公司股价上涨5%，再创历史新高，至少两家券商上调该公司股票目标价。闪迪涨8%，再创历史新高。希捷科技涨超2%，西部数据涨超3%，股价同样刷新历史新高。今日，花旗集团将闪迪目标股价从280美元上调至490美元，将希捷科技目标股价从320美元上调至385美元。就在四天前，美国资产管理公司ClearBridge Investments的新兴市场股票基金经理Divya Mathur表示，人工智能发展所驱动的存储芯片需求，被市场显著低估。与存储芯片板块相反的是，正在交易中的美股低迷，道琼斯指数跌1.34%，标普500指数跌1.39%，纳斯达克综合指数跌1.63%。

财联社1月20日电，花旗集团将闪迪目标股价从280美元上调至490美元。

财联社1月20日电，据集邦数据，今日国际DRAM颗粒现货价格整体上涨，普涨之下DDR3部分颗粒也保持回温态势，其中DDR3 4Gb 256Mx16 1600/1866上涨3.86%，均价3.095美元；DDR3 4Gb 512Mx8 eTT上涨2.72%，均价1.133美元；DDR3 2Gb 128Mx16 1600/1866上涨2.72%，均价2.492美元。