财联社3月26日电，中芯国际发布业绩报告称，展望2026年，产业链海外回流、国内客户新产品替代海外老产品的效应将持续下去，为国内产业链带来持续的增长空间。人工智能对于存储的强劲需求，挤压了手机等其他应用领域特别是中低端领域能拿到的存储芯片供应，使得这些领域的终端厂商面临著存储芯片供应量不足和涨价的压力。即使终端厂商可以通过涨价的方式来消化成本上涨的压力，也会导致对终端产品的需求下降。公司凭借在BCD、模拟、存储、MCU、中高端显示驱动等细分领域中的技术储备与领先优势、客户的产品布局，在本轮行业发展周期中，仍能保持有利位置。公司将积极响应市场的需求，推动2026年收入继续增长。在外部环境无重大变化的前提下，公司给出的2026年指引为：销售收入增幅高于可比同业的平均值，资本开支与2025年相比大致持平。
财联社3月26日电，美股芯片存储板块盘前普跌。闪迪跌近4%，美光科技、西部数据跌近3%，希捷科技跌超2%。消息面上，谷歌推出压缩算法TurboQuant，宣称实现约6倍内存节省。
财联社3月26日电，SEMICON China 2026国际半导体展3月25日在上海正式拉开帷幕。SEMI中国总裁冯莉在致辞时表示，在AI算力以及全球数字化经济驱动下，全球半导体产业迎来了历史性时刻，原定于2030年才会达到的万亿美元芯时代有望于2026年底提前到来。她指出2026年半导体产业的三大趋势。 第一个趋势：AI算力。2026年全球AI基础设施支出将达到4500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%，由此拉动GPU、HBM及高速网络芯片的强劲需求，而这最终都转化为对晶圆厂和先进封装以及设备和材料的强劲需求。 第二个趋势：存储革命。存储是AI基础设施核心战略资源，全球存储产值将首次超越晶圆代工，成为半导体第一增长极。2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成，需求的徒增，导致供需失衡，尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增/可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口达50%—60%。 第三个趋势：技术驱动产业升级。随着2nm及以下制程逼近物理极限，遭遇量子隧穿与栅极控制难题，GAA架构边际效益递减；一座2nm晶圆厂建设成本超250亿美元，逼近7nm时代的3倍。先进封装的战略位置凸显，“先进制程+先进封装”的双轮驱动，从系统层面推动产业升级。
①谷歌发布超高效AI内存压缩算法TurboQuant，可在不损失准确性的前提下，将大型语言模型运行时的缓存内存占用至少减少6倍、性能提升8倍； ②一些市场人士担忧，TurboQuant可能会令内存芯片需求降温，但摩根士丹利却认为，该技术可能反而提振整体内存需求。
财联社3月26日电，谷歌近日推出了一种可能降低人工智能系统内存需求的压缩算法TurboQuant。根据谷歌介绍，TurboQuant压缩技术旨在降低大语言模型和向量搜索引擎的内存占用。该算法主要针对AI系统中用于存储高频访问信息的键值缓存（key-value cache）瓶颈问题。随着上下文窗口变大，这些缓存正成为主要的内存瓶颈。TurboQuant可在无需重新训练或微调模型的情况下，将键值缓存压缩至3bit精度，同时基本保持模型准确率不受影响。对包括Gemma、Mistral等开源模型的测试显示，该技术可实现约6倍的键值缓存内存压缩效果。此外，在英伟达H100加速器上的测试结果显示，与未量化的键向量相比，该算法最高可实现约8倍性能提升。研究人员也表示，这项技术的应用不局限于AI模型，还包括支撑大规模搜索引擎的向量检索能力。谷歌计划于4月的国际学习表征会议（ICLR 2026）上展示TurboQuant技术。
①其此次定增定价较今日收盘价仅折价1.15%。 ②认购名单中，铠侠、闪迪、SK海力士旗下Solidigm及思科四家公司现身。 ③尽管SK海力士自制DRAM等，但随着SSD需求快速增长，所需DRAM也大幅增加。
《科创板日报》25日讯，野村日前发布全球市场研究报告，大幅上调对存储芯片价格的预测，预计2026年第二季度DRAM与NAND价格将分别环比增长51%与50%，此前预估为6%与20%。野村强调，此轮涨势不仅反映短期供需失衡，更标志着产业结构正在发生根本性转变。
《科创板日报》25日讯，根据TrendForce最新发布的内存现货价格趋势报告，DRAM现货市场上涨势头受阻，其中DDR4细分市场表现尤为疲软。展望4月份，预计合约价格将进一步上涨。同时，NAND闪存方面，随着新季度合约价格谈判的临近，预计现货市场将逐步触底反弹。
财联社3月25日电，深圳市工业和信息化局近日印发《深圳市加快推进人工智能服务器产业链高质量发展行动计划（2026—2028年）》，计划提出，支持开展存储芯片研发及应用，加快存储芯片先进封装技术攻关，重点发展企业级SSD、企业级内存模组等高端存储产品；强化近存封装、存算一体等新型技术研发，提升高端存储供应能力，打造适配大模型训练、超算中心的高端存储产品供给体系。
财联社3月25日电，“原来我在内存涨价预判方面已经算是激进派，但实际结果来看，比我原来激进的判断还要更激进。”在3月24日小米业绩电话会上，小米总裁卢伟冰表示，内存涨价的速度和力度均超出预期，受其影响的不仅是手机行业，所有消费电子行业可能都会受影响。受存储芯片价格飙升影响，消费电子行业正迎来一轮罕见的“涨价潮”。继OPPO、vivo等手机厂商宣布涨价后，PC巨头华硕也预警二季度整机价格将大幅上涨。存储成本压力还从手机、PC向云服务等多领域扩散。惠誉评级亚太区企业评级董事张惠媛向记者表示，“存储芯片2026年-2027年的价格将保持坚挺，逐步的产能增加虽然能使行业避免出现严重短缺，但不能完全解决供给不足的问题。”
①佰维存储公告称，公司与某存储原厂签订日常经营性采购合同，承诺采购期总计24个月； ②据年报，公司2025年营业收入113.02亿元，同比增长68.82%； ③公司每12个月内对该产品的采购量，占2025年公司NAND Flash采购总量的11.1%。
财联社3月24日电，据集邦数据，今日DDR4和DDR5部分颗粒下跌。其中，DDR5 16Gb (2Gx8) 4800/5600下跌1.29%，均价38.167美元。
财联社3月24日电，存储芯片概念盘中震荡下挫，普冉股份跌超10%，太极实业、兆易创新、朗科科技、北京君正、江波龙等跟跌。
①Wedbush分析师周一表示，DRAM与NAND存储价格正快速上涨，预计在2025年第四季度基础上，2026年上半年价格涨幅将达到“三位数”水平； ②其中，DRAM价格涨幅有望达到130%至150%，NAND涨幅也接近这一水平，显示出存储市场正进入新一轮强劲周期。
财联社3月23日电，Wedbush最新报告指出，在需求激增与供应紧张的双重推动下，部分存储产品价格有望出现超过100%的涨幅。Wedbush分析师在周一发布的报告中表示，DRAM与NAND存储价格正快速上涨，预计2025年第四季度基础上，2026年上半年价格涨幅将达到“三位数”水平。其中，DRAM价格涨幅有望达到130%至150%，NAND涨幅也接近这一水平，显示出存储市场正进入新一轮强劲周期。
①存储芯片龙头聚辰股份在递表港股、业绩创新高之际，实控人阵营再次抛出减持计划； ②最新减持计划落地后，实控人阵营近一年累计减套现规模近10亿元。。
