《科创板日报》8日讯，三星电子已确定韩国平泽第四园区(P4)第一条生产线的投资方向，并已更改了生产线名称为P4H，准备同时量产NAND和DRAM。其中，每月对NAND生产规模为1万片，DRAM产能预计至少每月3万至4万片。
《科创板日报》4日讯，三星电子计划于本月第四周开始在“NRD-K”项目引进设备，预计将加速下一代存储器的开发，特别是1d DRAM和V11、V12 NAND。NRD-K项目是三星电子建设的下一代半导体研发综合体，尖端半导体工艺的研究、生产和分销均在此进行。
财联社11月1日电，合肥海恒控股集团有限公司10月25日在上海证券交易所成功发行全国首单科技成果转化债，募集资金7亿元，聚焦科技成果转化，重点投向集成电路领域的新型存储芯片制造技术研发项目及存储芯片自主研发制造的某国家级战略项目，旨在在中试熟化和成果产业化两个阶段加大投入，助力新型存储芯片实现技术产业化，助力DRAM领域技术成果实现产业化转化。
财联社10月31日电，韩国半导体产量一年多来首次同比下降，这是全球人工智能发展推动的繁荣周期可能开始降温的另一个迹象。根据政府统计部门周四发布的数据，9月全国半导体产量下滑3%，此前一个月增长11%。出货量增速也从8月的17%降至0.7%。不过，库存水平显示库存仍在快速消耗，9月同比下降41.5%。这些数字显示，随着存储芯片需求见顶，该行业可能正在逐渐降温。
《科创板日报》29日讯，模组厂预期，第四季度仅eSSD与HBM产品出货量和价格增加，其他存储产品如DRAM及NAND将停滞不前。这是由于消费性产品如手机及PC将与需求持平，仅服务器相关需求持续走强。
①SK海力士公布第三季度业绩，其中HBM销售同比增超330%； ②美银预计，SK海力士今明两年的HBM销售额将达92亿和158亿美元； ③券商观点，建议关注AI投资主线下算力、存储和先进封装相关的新材料。
《科创板日报》22日讯，三星电子计划在今年年底前建成第一条1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）量产线，三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片，并计划于明年底发布。
《科创板日报》22日讯，由于PC、智能手机需求不振，用于暂时储存数据的DRAM价格1年5个月来首次下跌，2024年9月指标性产品DDR4 8GB批发价为每个2.04美元左右，容量较小的4GB产品价格为每个1.57美元左右，两者均较前一个月份环比下跌3%。
《科创板日报》15日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，NAND Flash产品受2024年下半年旺季不旺影响，wafer合约价于第三季率先下跌，预期第四季跌幅将扩大至10%以上。模组产品部分，除了Enterprise SSD因订单动能支撑，有望于第四季小涨0%至5%；PC SSD及UFS因买家的终端产品销售不如预期，采购策略更加保守。TrendForce预估，第四季NAND Flash产品整体合约价将出现季减3%至8%的情况。
①韩国统计厅周一公布的数据显示，上个月韩国的半导体库存以2009年以来最快的速度减少，这表明用于AI开发的高性能存储芯片的需求持续增长。 ②数据显示，8月份韩国芯片库存同比下降了42.6%，比7月份同比下滑34.3%的降幅更大。
①存储模组龙头厂金士顿已启动降价以刺激销售，主要聚焦在中低阶产品。 ②针对存储行业前景，业内机构分析师看法各异。 ③美光最新财报显示，第四财季营收取得十多年来最大涨幅，下一财季业绩预测也超出预期。
《科创板日报》19日讯，摩根士丹利最新报告直言存储器市场“寒冬将至”，DRAM市场恐从周期性高峰回落，预期最快将于四季度反转向下，开始面临供过于求压力，不仅接下来市况（订单、价格）更具挑战，供过于求问题更会一路延续至2026年。
《科创板日报》18日讯，美光近日推出Crucial P310 2280 Gen4 NVMe SSD，其性能比Gen3 SSD快两倍，可满足个人电脑、笔记本电脑和PlayStation 5的需求。
①韩国8月份固态硬盘出口额同比大增249.8%； ②AI服务器拉动需求复苏，海外大厂集体调涨固态硬盘价格； ③机构预估，三季度固态硬盘合约价将环比上涨15%，原厂营收将季增近20%。
《科创板日报》11日讯，SK海力士宣布已成功开发出适用于数据中心的高性能固态硬盘PEB110 E1.S，这款新一代SSD基于已获得最高性能认证的238层NAND闪存，采用第五代PCIe技术，其带宽是现有第四代(Gen4)的两倍，数据传输速度达到了32GT/s。
《科创板日报》29日讯，TrendForce最新报告显示，2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash（闪存）零售渠道的出货量已大幅年减40%，下滑明显超出市场预期，这预示着下半年的需求不会大幅回温。TrendForce表示，从2025年的情况来看，虽然预期DRAM价格会逐季上扬，但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价，以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软，DRAM价格上涨的幅度将低于预期。
①韩国存储芯片制造商SK海力士周四（8月29日）称，已开发出第六代10纳米级DRAM芯片； ②该芯片采用了1c工艺，是以1β工艺（第五代10纳米技术）为基础而开发的； ③新研发的DRAM将主要用于高性能数据中心，运行速度提高了11%，且功耗更低。
《科创板日报》14日讯，在AI服务器出货大幅增长的推动下，eSSD、DDR5 RDIMM和HBM需求稳定提升，带动原厂NAND Flash和DRAM ASP逐季上涨。据CFM闪存市场数据显示，2024年二季度全球NAND Flash市场规模环比增长18.6%至180.0亿美元，DRAM市场规模环比增加24.9%至234.2亿美元。全球存储市场规模二季度环比增长22.1%至414.2亿美元，同比大增108.7%。
