①普冉股份副总经理徐小祥表示，上海张江拥有国内最为齐全的半导体产业链，对公司及产业发展带来了极大的便利；
②普冉股份作为一家以存储产品为特色的芯片企业，正在凭借“存储+”战略实现内生增长，拓展通用微控制器和存储结合模拟的全新产品线，扩充应用场景及终端市场空间。

《科创板日报》19日讯，因PC需求疲弱，拖累SSD价格转跌。2024年10-12月期间SSD指标性产品TLC 256GB批发价（大宗交易价格）敲定为每个32.5美元左右、容量较大的512GB价格为每个60.9美元左右，皆较前一季（2024年7- 9月）下跌约10%，价格皆为五个季度来首跌。据悉在部分交易中，价格甚至还较前一季大跌约20%。

①机构指出，近期字节Ola等耳机类产品走热成为NOR Flash市场重要增长驱动力。
②今日多只存储芯片个股表现活跃，其中兆易创新涨停，普冉股份涨超15%。
③WSTS数据预测，2024年存储芯片占据整个半导体市场的22%，营收规模有望暴增44.8%。

财联社12月13日电，普冉股份20CM涨停，兆易创新逼近涨停，恒烁股份、朗科科技、聚辰股份、佰维存储均涨超5%。中泰证券研报指出，NOR有快速启动、低功耗、高可靠性等特点，配套SOC主控芯片使用。未来随着AI耳机、眼镜、玩家等硬件持续创新，NOR市场有望再次扩容。

财联社12月8日电，长江存储发布声明称，近期多家媒体捏造、散布和传播长江存储“借壳上市”的不实传闻。为澄清事实，公司发表声明如下：一、长江存储从无任何“借壳上市”的意愿。二、长江存储与“万润科技”等上市公司无直接业务合作。三、请相关单位自重并立即停止一切失实报道。公司将保留追究相关单位法律责任的权利。

财联社12月2日电，商务部新闻发言人表示，中方注意到，美方于12月2日发布了对华半导体出口管制措施。该措施进一步加严对半导体制造设备、存储芯片等物项的对华出口管制，并将136家中国实体增列至出口管制实体清单，还拓展长臂管辖，对中国与第三国贸易横加干涉，是典型的经济胁迫行为和非市场做法。美方说一套做一套，不断泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，实施单边霸凌行径。中方对此坚决反对。

半导体产业高度全球化，美方滥用管制措施严重阻碍各国正常经贸往来，严重破坏市场规则和国际经贸秩序，严重威胁全球产业链供应链稳定。包括美国企业在内的全球半导体业界都受到严重影响。中方将采取必要措施，坚决维护自身正当权益。

《科创板日报》2日讯，日本存储大厂铠侠预计下个月开始减少NAND产量。预计三星电子也将采取减产措施来保持NAND供应价格稳定。

《科创板日报》27日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%，但平均销售单价（ASP）上涨7%，带动产业整体营收达176亿美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨询表示，不同应用领域的NAND Flash价格走势在今年第三季出现分化，企业级SSD需求强劲，推升价格季增近15%，消费级SSD价格虽有小幅上涨，但订单需求较前一季衰退。智能手机用产品因中国手机品牌严守低库存策略，订单大量减少，第三季合约价几乎与上季持平。Wafer受零售市场需求疲软影响，合约价反转下跌。

①多位产业链人士表示，因为AI对市场的促进仍停留在数据中心端，目前存储市场出现“冰火两重天”；
②传统存储产品明年需求分化仍预计延续，消费型产品压力较大；
③HBM预计持续需求高涨，分析称国产HBM2-3年内或面市。

《科创板日报》26日讯，三星已成功大幅减少3D NAND闪存生产光刻工艺中光刻胶的使用量。据消息人士透露，其已制定未来NAND的生产路线图，仅使用目前光刻胶量的一半。

《科创板日报》26日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季DRAM（内存）产业营收为260.2亿美元，季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响，尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降，但供应数据中心的DDR5及HBM（高带宽内存）需求上升。平均销售单价部分，三大原厂延续前一季的上涨趋势，加上HBM持续挤压整体DRAM产能，合约价于第三季达成8%至13%的涨幅。

展望2024年第四季，TrendForce集邦咨询预估整体原厂位元出货量将较前一季增加，价格则因HBM挤压产能效应可能较预期弱，加上部分供应商扩产将驱动PC OEM和手机业者积极去化库存，以取得较低价DRAM产品，预期一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价、一般型DRAM与HBM合并合约价都将下跌。

财联社11月25日电，据路透社11月22日报道，美国商会21日向会员发电子邮件称，拜登政府最早将于下周（11月25日-12月1日）公布新的对华出口限制。据路透社22日看到的一段内容，这个总部位于华盛顿的强大游说团体在电子邮件中说，新规定可能会将多达200家中国芯片公司列入贸易限制名单，禁止大多数美国供应商向目标公司发货。电子邮件称，负责监管美国出口政策的商务部计划在28日的感恩节假期之前公布新规定。

电子邮件还说，预计下个月将公布另一套限制向中国出口高带宽存储芯片的规定，作为更广泛的人工智能一揽子计划的一部分。知情人士称，第一轮监管规定很可能包括限制向中国出口芯片制造工具。

①存力正在成为金融业数智化转型的卡点；
②随着国内持续推进存力建设，数据存储产业正在成为中国科技的新名片。

《科创板日报》18日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年DRAM价格将转为下跌。其中，制程较成熟的DDR4和LPDDR4X因供应充足、需求减弱，目前价格已呈现跌势。DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确，加上部分买卖方库存水位偏高，价格不排除于今年第四季底开始下跌。

财联社11月18日电，服务器市场继续拉动对存储需求的增长，三季度的全球存储市场规模延续二季度的增长趋势。据CFM闪存市场数据显示，2024年三季度全球NAND Flash市场规模环比增长5.7%至190.21亿美元，DRAM市场规模环比增加10.4%至258.5亿美元。全球存储市场规模三季度环比增长8.3%至448.71亿美元。2024年前三季度，全球存储市场规模累计达1202.25亿美元，同比增长96.8%。

《科创板日报》14日讯，SK海力士近日在SK AI峰会2024上公布了其正在开发的HBM3e 16hi内存，每个立方体的容量为48 GB，样品定于2025年上半年推出。TrendForce最新发现显示，该产品内存面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在内的应用，其有望在HBM4代推出之前突破内存容量限制。

①三星正在为微软和Meta供应量身打造的HBM4内存；
②据悉，公司计划在现有封装设施的基础上兴建服务于HBM内存的半导体封装工厂；
③除此之外，SK海力士也积极应对HBM的定制化趋势。

《科创板日报》8日讯，三星电子已确定韩国平泽第四园区(P4)第一条生产线的投资方向，并已更改了生产线名称为P4H，准备同时量产NAND和DRAM。其中，每月对NAND生产规模为1万片，DRAM产能预计至少每月3万至4万片。

《科创板日报》4日讯，三星电子计划于本月第四周开始在“NRD-K”项目引进设备，预计将加速下一代存储器的开发，特别是1d DRAM和V11、V12 NAND。NRD-K项目是三星电子建设的下一代半导体研发综合体，尖端半导体工艺的研究、生产和分销均在此进行。

财联社11月1日电，合肥海恒控股集团有限公司10月25日在上海证券交易所成功发行全国首单科技成果转化债，募集资金7亿元，聚焦科技成果转化，重点投向集成电路领域的新型存储芯片制造技术研发项目及存储芯片自主研发制造的某国家级战略项目，旨在在中试熟化和成果产业化两个阶段加大投入，助力新型存储芯片实现技术产业化，助力DRAM领域技术成果实现产业化转化。