①目前该项技术正处于验证阶段，近期其内部测试已取得积极成果； ②为增强HBM稳定性，SK海力士计划增加部分上层DRAM芯片的厚度； ③封装新方案旨在不大幅改变现有工艺流程的前提下，缩小DRAM间距并保持稳定的良率。
①一边是内存芯片连续多季度涨价，一边是产品尚未全面落地的终端调价，正在悄然已引发消费者心理博弈，有人提前抢跑，有人持币观望。 ②IDC预测，内存涨价将重塑2026年电子市场格局：PC与手机销量下滑，均价上涨。结构性矛盾持续，行业变局在即。
《科创板日报》4日讯，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化，将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。
财联社3月3日电，美股芯片存储板块盘前大跌。闪迪、美光科技跌超5%，西部数据下跌4.5%，希捷科技跌近4%。
《科创板日报》3日讯，设计高效且结构良好的电源分配网络正成为HBM行业面临的最关键挑战之一，三星预计将于今年开始量产HBM4E，并引入一种全新的供电架构——PDN分段技术。据悉，采用新的供电网络后，HBM4E的金属电路缺陷相比HBM4减少了97%，IR压降降低了41%。更低的IR压降扩大了电压裕度，从而提高了运行速度并增强了芯片的整体可靠性。
财联社3月2日电，记者获悉，CMOS图像传感器公司思特威已经于2月26日向客户发出涨价函，宣布自3月1日起，对在三星晶圆厂生产的智慧安防和AIOT产品在原有价格基础上统一上调20%；对在晶合集成晶圆厂生产的智慧安防和AIOT产品在原有价格基础上统一上调10%。对于涨价原因，思特威表示，近期全球存储芯片严重短缺引发供应链失衡，公司承受上游晶圆厂的成本压力。为保障能够持续为客户提供稳定、高品质的产品及服务，经公司审慎评估，做出涨价决定。
《科创板日报》1日讯，最新数据显示，韩国2月份出口额比去年同期增长29%，达到674.5亿美元，创下2月份历史新高。其中，半导体出口额同比增长160.8%，达到251.6亿美元，继续创下有史以来最高的月度业绩，并连续三个月超过200亿美元，主要得益于人工智能投资扩大带来的过剩需求以及由此导致的存储器价格飙升。
①芯片尺寸的扩大能保证TSV（硅通孔）工艺的稳定性，同时便于散热； ②三星电子在HBM4核心芯片中采用1c DRAM技术，目前良率约60%； ③SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了与HBM3E相同的1b DRAM芯片。
《科创板日报》1日讯，市场研究公司DRAMeXchange最新数据显示，2月份PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）产品的合约价格环比上涨13.04%，达到13美元。这是DDR4价格连续第11个月上涨。DDR4价格在一个季度内已翻了一番以上。
财联社2月28日电，国家发改委价格监测中心发文称，2025年9月至今，受需求“爆发式”增长、产能“断崖式”紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近1个月多以来，涨幅呈现扩大态势，建议关注存储芯片对下游价格的影响。调研反映，截至今年1月，存储芯片两大主要产品DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最高。以主流型号为例，1月DARM（DDR4 8Gb 1G*8）合约平均价格为11.5美元，比上月上涨约24%，比2025年9月上涨约83%；NAND闪存（128Gb 16G*8 MLC）合约平均价格为9.5美元，比上月上涨约65%，比2025年9月上涨近1.5倍。 国家发改委价格监测中心还表示，当前，存储芯片正处于上涨周期。年内来看，在AI服务器算力需求持续增长的带动下，全球存储芯片市场供不应求局面仍将持续，存储芯片价格将延续上涨态势。存储芯片价格上涨正逐步传导至消费电子终端产品。随着AI应用渗透率提升，消费者对高端化、智能化的消费电子产品的偏好增强，消费升级趋势明显，对内存性能的要求更高。厂商通过减配的方式缓解成本上涨压力的空间有限，上调终端价格将成为普遍趋势。目前联想、戴尔、惠普等主要电脑厂商均已发布调价函，涨幅普遍在500~1500元之间，小米、vivo等国产新发售机型相同存储配置版本价格较上一代上涨300~500元。受存储芯片价格上涨及对下游的传导影响，PPI方面，计算机、通信及其他电子设备制造业分项价格有望止跌企稳，对PPI的拖累作用有所减弱。CPI方面，叠加提振消费政策效果持续显现，通讯工具分项价格将继续回升。
《科创板日报》27日讯，三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率，同时抢占HBM4市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。
《科创板日报》27日讯，市场研究公司Gartner表示，2026年全球个人电脑出货量预计将下滑10.4%，智能手机出货量下降8.4%，双双跌至过去十年最低水平。随着全球大型科技公司加大对人工智能基础设施的投资，DRAM和SSD价格开始上涨并传导至消费终端。其中，PC平均价格上涨17%，智能手机上涨13%，低端机型受到冲击最为严重。
财联社2月27日电，行业研究机构IDC在最新报告中警告，2026年全球智能手机市场将因为内存短缺迎来一场“前所未有的危机”。IDC将2026年智能手机出货量预期大幅下调至约11亿，远低于去年12.6亿台的数据。这意味着智能手机市场可能会在今年迎来创纪录的同比13%下滑。
财联社2月26日电，美股芯片存储板块盘前普涨。闪迪涨近5%，西部数据涨超1%，美光科技、希捷科技涨近1%。
《科创板日报》26日讯，NAND价格高涨，市场供货持续紧缺，NAND闪存芯片控制大厂群联日前发函通知客户将更新付款条件。该公司表示，NAND近来价格持续增长，对资金需求影响也明显提高，为能取得更多稳定的货源，近期将依照个别客户不同，与客户讨论预付款的条件。
①苹果还与三星DS部门举行紧急会议，商讨今年上半年供货安排，以确保供应稳定。 ②SK海力士透露，存储行业已全面进入卖方市场，目前公司DRAM及NAND库存仅剩约4周。
《科创板日报》26日讯，供应链最新信息显示，继2024年下半年触底反弹后，手机内存及存储芯片价格已连续多个季度保持上涨趋势，2026年伊始涨幅进一步扩大。多位产业链人士向《科创板日报》记者证实，当前智能手机存储芯片采购成本较去年同期已上涨超过80%，且仍未见放缓迹象。受此成本压力传导，据渠道及ODM厂商透露，OPPO、一加、vivo、小米、iQOO、荣耀等多家头部手机品牌已拟定于3月初启动新一轮产品价格调整。这将是近五年来手机行业规模最大、涨幅最为显著的一轮集体调价。随着内存成本的频繁波动，2026年中国手机市场或将面临历史上首次一年内多次上调价格的局面。（记者 黄心怡）
财联社2月25日电，存储芯片概念盘中震荡下挫，普冉股份跌近10%，恒烁股份、兆易创新、江波龙、佰维存储、香农芯创等跌幅靠前。
①美东时间周二，闪迪股价因做空机构香橼资本发布看空消息而大跌超8%。香橼认为闪迪面临存储市场周期性压力、三星竞争加剧以及长期投资者退场等问题； ②闪迪虽发布新一代便携式固态硬盘产品组合，但市场反应冷淡，股价扩大跌幅； ③公司高管计划在近期论坛上公开演讲，可能会回应市场质疑。
