①澜起科技Q2的单季度净利有望实现连续五个季度环比上升,扣非净利润有望创同期历史新高; ②随着DDR5渗透率进一步提升,公司的内存接口及模组配套芯片销售收入环比稳健增长; ③受益于AI产业浪潮,公司的三款高性能“运力”芯片新产品呈现快速成长态势。
《科创板日报》4日讯,铠侠产线稼动率据悉已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品,借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉,铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据存储元件,和现行产品相比,存储容量提高约50%,写入数据时所需的电力缩减约30%。
财联社7月4日电,由于对人工智能(AI)技术的需求推动了存储芯片价格的反弹,预计三星电子第二季度的利润将同比增长12倍。根据LSEG SmartEstimate统计的27位分析师预估均值显示,三星电子在截至6月30日当季的营业利润可能增至8.8万亿韩元(63.4亿美元)。
《科创板日报》3日讯,据CFM闪存市场,近期部分厂商向原厂追加了DDR5内存条订单。目前DDR4现货与原厂价格倒挂加上下游终端库存高企,整体需求表现惨淡;DDR5方面,随着AI建设热潮加上英特尔SPR CPU渗透率提高,需求激增。预估今年下半年服务器ODM对DDR5需求升至50%,DDR5 64GB及以上需求持续火热,DDR5整体呈现供不应求市况。
①三星三季度将把动态随机存储器(DRAM)和NAND的价格上调15-20%。 ②三星和SK海力士已将NAND工厂开工率由去年的20-30%升至70%以上。 ③受益于此,Soulbrain、Wonik Materials等材料供应商相继扩大供应能力,并上修收益预测。
财联社6月26日电,全志科技涨超10%,金太阳涨超5%,精测电子、大为股份、佰维存储、盈方微、万润科技、德明利等跟涨。消息面上,存储芯片供应链透露,上游存储原厂HBM订单2025年预订一空,订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄,2025年订单也接近满载。
①存储原厂2025年HBM产能已被预订一空,订单能见度直达2026年Q1。 ②摆在供应商面前的有两条路:扩产和技术提升——由不得选择,只能“两条腿走两条路”。 ③IC设备和材料供应商已经看到中国企业对HBM等产品的需求强劲。
财联社6月19日电,知情人士透露,美光科技正在美国建设先进的高带宽存储器测试生产线,并考虑首次在马来西亚生产HBM,以抓住人工智能热潮带来的更多需求。知情人士透露,美光科技正在扩建位于爱达荷州博伊西总部的HMB相关研发设施,包括生产和验证线。他们说,该公司还在考虑在马来西亚建立HBM生产能力。
《科创板日报》18日讯,存储芯片供应链透露,上游存储原厂HBM订单2025年预订一空,订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄,2025年订单也接近满载,估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。但HBM排挤太多DRAM产能,势必将推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为,DDR5价格持续走扬态势明确,预期到了年底前还有10~20%涨幅,但若DDR5价格太高,反而可能拖延市场渗透率的起飞速度,影响下游客户采用的意愿。
①公司今年年末的产能目标较去年给出的数据高近三成。 ②设备厂商已接获相关订单,订单数量增长超出其最初预期。 ③下单的设备中,这三类是重点>>
财联社6月13日电,好上好3连板,古鳌科技、华虹公司、金太阳、上海贝岭、南大光电、兆易创新等跟涨。消息面上,高盛分析师公布报告预计,全球 HBM(高带宽存储芯片)市场规模将在 2023-2026 年期间以约 100% 的复合年增长率增长,并在 2026 年达到 300 亿美元,较 3 月份的预测上调 30% 以上。
《科创板日报》13日讯,据报道,标准型DRAM迎来前所未有的供需失衡“超级周期”之际,DDR3产能不足状况更显严重,由于三星等大厂退出DDR3制造,但AI与边缘运算等终端设备对DDR3需求持续增加,单一设备搭载容量直线上升,将引爆DDR3报价补涨行情。业界分析,随着主要DRAM厂减产效应持续发酵,带动标准型DRAM价格自2023下半年一路上涨到现在,且后面涨势依然可期,DDR3等利基型内存价格会较标准型DRAM晚一至二季,对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等厂商而言,DDR3的涨价效益将在本季和下季逐渐显现。
①存储成为苹果AI的关键与瓶颈。 ②知名分析师郭明錤认为,能否支持Apple Intelligence端侧模型的关键是DRAM大小,而非AI算力。 ③IDC指出,16GB RAM将成新一代AI手机基础配置。
财联社6月5日电,近日,有消息称,碧桂园旗下风险投资部门碧桂园创投正考虑出售存储芯片制造商长鑫存储的股权,筹资约20亿元。对此,碧桂园内部人士6月5日向记者表示,公司致力于积极探索各种策略以优化资产负债结构,包括对资产组合的审慎评估和潜在的资产处置机会。“若有任何实质性进展或具体决策,我们将按照相关规定,及时向市场披露。”该人士称。
《科创板日报》5日讯,据CFM闪存市场分析,对于即将到来的Q3,多家存储原厂释出报价继续上浮讯号。终端厂商普遍表示实在难以接受较大幅度的涨幅。在国内GPU供应受限的情况下,厂商只能通过堆料实现目标性能,接连几个季度大幅涨价使其硬件成本急剧增加,在当前AI尚无实际落地场景,未来商业化仍存在不确定性情况下,零部件成本持续大幅上扬可能会抑制终端投资热情。
财联社6月3日电,早盘存储芯片概念拉升,万润科技涨停,佰维存储涨超10%,香农芯创、普冉股份、好上好、德明利等快速跟涨。消息面上,韩国统计厅数据显示,4月份芯片库存同比下降33.7%,为2014年底以来的最大降幅。此外韩国4月份芯片出口同比增长53.9%,其中存储芯片出口额同比大幅增长98.7%。
财联社5月30日电,存储芯片概念拉升,西测测试20CM涨停,万润科技、上海贝岭、华海诚科、佰维存储等快速跟涨。消息面上,高盛分析师公布报告预计,全球HBM(高带宽存储芯片)市场规模将在2023-2026年期间以约100%的复合年增长率增长,并在2026年达到300亿美元,较3月份的预测上调30%以上。
财联社5月24日电,中信证券研报认为,英伟达一季度业绩、指引均超市场预期,良好业绩表现反映全球对AI算力的持续强劲需求,料将对美股硬件&半导体相关企业中短期业绩继续形成有力支撑,但伴随AI算力下游客户结构不断扩散(从云厂商到企业、主权国家客户等),以及英伟达自身产品策略的不断优化等,从AI芯片到硬件&整机、网络设备等环节的产品形态、市场竞争结构、产业投资逻辑亦在快速变化,围绕英伟达技术路线和产业链,持续看好晶圆代工(先进制程)、存储芯片(HBM)、IT设备(AI服务器、高密度闪存)、数通设备(以太网)等环节的中期投资机会。
财联社5月23日电,存储芯片是半导体市场最主要的细分领域,主要分为闪存和内存。数据显示,今年以来存储芯片价格已较去年同期上涨约50%。某存储企业负责人表示,从2023年年底开始,半导体存储产业逐步进入上行周期,今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。有报告显示,存储芯片价格或还将持续上涨,预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%至18%。
《科创板日报》22日讯,三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨,这主要是因为地震影响美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。