《科创板日报》22日讯，法国巴黎银行近日发布了2026年人工智能(AI)领域首选股票名单，AI产业的增长盛宴仍在继续，数据中心领域的投资具备长期韧性;从交付周期来看，2026年服务器、网络及存储全生态的行业前景将更为清晰。我们上调了AI基础设施瓶颈相关核心企业的业绩预期，重点涵盖光模块供应链、存储芯片厂商及硬盘驱动器供应商。

①日本存储巨头铠侠日前警告称，至少在未来两年内，存储市场将持续受到AI相关投资的影响；
②铠侠高管本周早些时候证实，公司2026年的NAND闪存产能已全部售罄；
③他预计NAND闪存供应紧张的局面至少会持续至2027年。

《科创板日报》22日讯，铠侠存储事业部总经理中户俊介日前表示，铠侠2026年的全部产能已经售罄，预计这一趋势至少会持续到2027年。其表示，公司不会优先向出价最高的供应商供货，而是与长期合作伙伴共同制定年度供货计划，并据此进行分配。

①随着各大消费电子企业纷纷提高了产品售价，以抵消不断上涨的内存芯片成本的影响，今年全球对智能手机、个人电脑和游戏机的需求预计将出现下滑；
②市场研究机构 IDC与Counterpoint均预期，今年全球智能手机销量将至少下滑2%。

财联社1月22日电，存储芯片概念延续强势，盈方微3连板，朗科科技高开超11%，德明利、普冉股份、江波龙、佰维存储、兆易创新、大为股份、香农芯创高开。消息面上，存储大厂华邦电、南亚科目前对外签订的长期供货合约（LTA），模式多为锁量不锁价，时间由一年期拉长至至少两年起，部分大客户甚至谈到接近2030年的长期合作框架。此外，美股存储概念股美光科技、西部数据、希捷科技、闪迪齐创历史新高。

财联社1月21日电，美股存储概念新高不断，存储概念指数涨4.8%。美光科技、西部数据涨超5%，SanDisk涨近4%，希捷科技涨近1%，齐创历史新高。正在交易中的道琼斯指数涨0.83%，标普500指数涨0.80%，纳斯达克综合指数涨0.79%。

①华为在2025年全年重回中国市场出货量榜首，但出货量仍略有下跌，其鸿蒙操作系统市场份额在第四季度达到12%。
②在存储芯片等成本上涨的背景下，多数国内厂商普遍减少了低端机型的出货。2026年中国智能手机市场出货量可能出现较明显回落。

《科创板日报》21日讯，据韩国金融信息企业FnGuide预估，SK海力士2025年第四季度营收预期为30.70万亿韩元，营业利润预计为16.18万亿韩元。全年营业收入预计为95.21万亿韩元，营业利润预计为44.23万亿韩元。这些数据均创下季度和年度历史新高。KB证券分析指出，DRAM业务是SK海力士去年第四季度业绩增长的主要驱动力。

《科创板日报》21日讯，供应链指出，存储大厂华邦电、南亚科目前对外签订的长期供货合约（LTA），模式多为“锁量不锁价”，时间由一年期拉长至至少两年起，部分大客户甚至谈到接近2030年的长期合作框架。过去存储厂与大客户签订的长单模式多为“锁价又锁量”，目前“锁量、不锁价”的主流模式核心在于确保产能优先顺序与出货稳定性，但价格仍随市场浮动，保留报价弹性空间。产业人士直言，这种模式能替供应商带来最低获利保障与产能利用率稳定度，但在不锁价前提下，毛利率天花板同样被锁死，“不会亏，但也赚不大”。

①因数据中心和AI需求飙升，汽车行业面临内存芯片短缺，汽车制造商或面临成本压力和供应中断；
②DRAM价格飙升，汽车行业在全球DRAM市场占比不到10%，芯片制造商优先考虑利润更高的客户。

①周三公布的数据显示，本月前20天，被誉为全球经济“金丝雀”的韩国出口额较上年同期增长了14.9%，这得益于半导体需求强劲；
②半导体出口额同比增长70.2%，达到107.3亿美元。

①随着数据中心相关支出持续推高存储解决方案需求，周二，美股存储芯片板块大幅上涨，其中闪迪领涨；
②闪迪股价周二大涨近10%，创下历史新高，使其今年迄今的涨幅达到约90%；
③花旗集团一口气上调了对多家存储芯片公司的目标价，其中对闪迪目标价的上调幅度最大。

财联社1月21日电，存储芯片概念延续强势，盈方微2连板，普冉股份、佰维存储、江波龙、香农芯创、兆易创新、恒烁股份、大为股份跟涨。消息面上，美股闪迪涨8%，再创历史新高。花旗集团将闪迪目标股价从280美元上调至490美元，将希捷科技目标股价从320美元上调至385美元。

财联社1月20日电，美光科技公司股价上涨5%，再创历史新高，至少两家券商上调该公司股票目标价。闪迪涨8%，再创历史新高。希捷科技涨超2%，西部数据涨超3%，股价同样刷新历史新高。今日，花旗集团将闪迪目标股价从280美元上调至490美元，将希捷科技目标股价从320美元上调至385美元。就在四天前，美国资产管理公司ClearBridge Investments的新兴市场股票基金经理Divya Mathur表示，人工智能发展所驱动的存储芯片需求，被市场显著低估。与存储芯片板块相反的是，正在交易中的美股低迷，道琼斯指数跌1.34%，标普500指数跌1.39%，纳斯达克综合指数跌1.63%。

财联社1月20日电，据集邦数据，今日国际DRAM颗粒现货价格整体上涨，普涨之下DDR3部分颗粒也保持回温态势，其中DDR3 4Gb 256Mx16 1600/1866上涨3.86%，均价3.095美元；DDR3 4Gb 512Mx8 eTT上涨2.72%，均价1.133美元；DDR3 2Gb 128Mx16 1600/1866上涨2.72%，均价2.492美元。

①支出主要用于扩充新厂产能，预计2028年上半年将开出2万片新产能。
②公司透露，客户普遍倾向签订较长期合约，甚至愿意接受价格锁定，等同于“保量保价”。
③此前美光18亿美元收购晶圆厂，旨在扩充DRAM晶圆产能。

《科创板日报》19日讯，据摩根士丹利研究报告指出，传统存储芯片供需缺口正持续扩大，2025年二季度至2026年行业将迎来新一波超级周期，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等产品供应紧张态势加剧，市场暂无悲观理由。报告指出，先进制程存储产品（如 DDR5、HBM）产能需求强劲，挤压了成熟制程产能分配。2026年1月，头部企业对DDR4采购态度积极，受供应限制，其一季度价格涨幅可能达50%，涨势将延续至二季度；而产能向DDR4转移，也导致高密度DDR3严重短缺，带动相关供应商业绩增长。闪存芯片领域，NOR Flash一季度报价预计上涨20%-30%，涨价趋势或延续至2026年下半年。

①SK海力士计划最早于今年推出HBF1样品；
②金正浩预测，到2038年左右HBF市场将超过HBM市场。
③随着AI需求不断加大，如今各存储厂商正纷纷扩充产能。