《科创板日报》17日讯，根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，虽然DDR4供应依然吃紧，但价格飙升导致买家难以跟进，导致价格上涨但交易量有限。NAND方面，现货市场价格上涨，询盘回暖，成交量有所回升，尤其QLC产品表现尤为突出。
①华为报告指出，AGI将是未来十年最具变革性的驱动力量。 ②当前，以“星际之门”为代表的大规模算力集群进展顺利，互联网大厂Token放量加速。
《科创板日报》16日讯，据TrendForce报道，西部数据近日通知客户将逐步提高所有HDD（机械硬盘）产品的价格。西部数据声称，其存储产品组合中每种容量的需求都达到了前所未有的水平，并且该公司正在投资先进的创新技术。
《科创板日报》15日讯，被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。
①目前NL HDD交期已从原本的数周，急剧延长为52周以上； ②存储产品涨价信号枪已经打响； ③机构称全球AI资本开支持续加码，存储步入全面涨价行情。
①英伟达与铠侠正合作开发一款SSD，旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。 ②SK海力士宣布，为满足AI智能手机需求，已开始供应一项全新的NAND解决方案。 ③CFM闪存市场预计，包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情。
①美光已通知客户，DDR4、DDR5、LPDDR4等存储产品全部停止报价，相关产品价格或将调涨20%-30%。 ②闪迪继4月全系涨价10%之后，于上周宣布，针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行10%普涨。 ③两家厂商本次涨价都不是出于成本压力，而是看到了下游的“强劲需求”
《科创板日报》12日讯，三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资，力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出，三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。
财联社9月12日电，午后存储芯片概念股涨幅进一步扩大 香农芯创直线拉升触及20cm涨停，精智达、普冉股份、佰维存储涨超10%。消息面上，隔夜美股存储公司集体大涨，闪迪涨超14%，美光科技涨7.55%。近日闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上。
财联社9月12日电，早盘存储芯片概念走强，德明利涨停，香农芯创涨超3%续创历史新高，江波龙、普冉股份、朗科科技、佰维存储、万润科技等跟涨。消息面上，9月11日，存储大厂铠侠（Kioxia）宣布与英伟达展开合作，打造读取速度较传统SSD快近百倍的固态硬盘。铠侠SSD表示，公司正依循NVIDIA的提案与要求推进开发，这种新型SSD将达成GPU的直接连接与数据交换。
①HBM4采用2048条数据传输通道，带宽翻倍，能效提升超40%； ②其HBM4不仅有望解决数据瓶颈，还可降低数据中心电力成本； ③SK海力士用了自研的MR-MUF封装技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺。
①美光与闪迪连拉七阳大涨，背后动力来自AI需求与存储涨价，花旗看多美光并将目标价上调至175美元； ②摩根士丹利强力唱多闪迪，预期企业级NAND订单驱动市场景气，价格有望进一步上涨。
《科创板日报》11日讯，日本铠侠计划到2027年实现AI SSD的商业化，其数据读取速度将比传统产品快近100倍。该SSD将与英伟达合作开发并用于处理生成式AI计算的服务器，旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。
《科创板日报》10日讯，CFM闪存市场最新报告显示，预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情，为明年春季行情走势奠定基调。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上，预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅，手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。
财联社9月5日电，午后存储芯片概念走强，佰维存储涨超15%，万润科技触及涨停，江波龙、德明利、香农芯创、大港股份等跟涨。消息面上，由于DDR4 DRAM供不应求，三星和SK海力士将DDR4的生产计划延长至2026年，以应对市场需求。
《科创板日报》2日讯，由于DDR4价格在供应紧张的情况下保持坚挺，三星电子计划将原定于今年结束的DDR4 DRAM生产延长至明年。SK海力士近期也制定了类似的政策，决定增加DDR4产量，并已将此告知客户。
①联芸科技2025年上半年实现营业收入6.10亿元，同比增长15.68%；归母净利润0.56亿元，同比增长36.38%； ②联芸科技表示，终端应用对数据存储需求不断增长，公司数据存储主控芯片出货量保持增长，同时毛利更高的PCIe Gen4 SSD主控芯片的收入占比持续增加。
《科创板日报》18日讯，据闪存市场最新统计，在AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL（产品生命周期终止）通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。其中，SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势，二季度以38.2%的市场份额蝉联第一，并扩大了与三星的差距。
