《科创板日报》16日讯,据TrendForce报道,西部数据近日通知客户将逐步提高所有HDD(机械硬盘)产品的价格。西部数据声称,其存储产品组合中每种容量的需求都达到了前所未有的水平,并且该公司正在投资先进的创新技术。
《科创板日报》15日讯,被称作“HBM之父”的韩国科学技术院(KAIST)教授金正浩指出,HBF(高带宽闪存)可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构,区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调,当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量,速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。
①目前NL HDD交期已从原本的数周,急剧延长为52周以上; ②存储产品涨价信号枪已经打响; ③机构称全球AI资本开支持续加码,存储步入全面涨价行情。
①英伟达与铠侠正合作开发一款SSD,旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。 ②SK海力士宣布,为满足AI智能手机需求,已开始供应一项全新的NAND解决方案。 ③CFM闪存市场预计,包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情。
①美光已通知客户,DDR4、DDR5、LPDDR4等存储产品全部停止报价,相关产品价格或将调涨20%-30%。 ②闪迪继4月全系涨价10%之后,于上周宣布,针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行10%普涨。 ③两家厂商本次涨价都不是出于成本压力,而是看到了下游的“强劲需求”
《科创板日报》12日讯,三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资,力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出,三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。
财联社9月12日电,午后存储芯片概念股涨幅进一步扩大 香农芯创直线拉升触及20cm涨停,精智达、普冉股份、佰维存储涨超10%。消息面上,隔夜美股存储公司集体大涨,闪迪涨超14%,美光科技涨7.55%。近日闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上。
财联社9月12日电,早盘存储芯片概念走强,德明利涨停,香农芯创涨超3%续创历史新高,江波龙、普冉股份、朗科科技、佰维存储、万润科技等跟涨。消息面上,9月11日,存储大厂铠侠(Kioxia)宣布与英伟达展开合作,打造读取速度较传统SSD快近百倍的固态硬盘。铠侠SSD表示,公司正依循NVIDIA的提案与要求推进开发,这种新型SSD将达成GPU的直接连接与数据交换。
①HBM4采用2048条数据传输通道,带宽翻倍,能效提升超40%; ②其HBM4不仅有望解决数据瓶颈,还可降低数据中心电力成本; ③SK海力士用了自研的MR-MUF封装技术和第五代10纳米级(1b)DRAM工艺。
①美光与闪迪连拉七阳大涨,背后动力来自AI需求与存储涨价,花旗看多美光并将目标价上调至175美元; ②摩根士丹利强力唱多闪迪,预期企业级NAND订单驱动市场景气,价格有望进一步上涨。
《科创板日报》11日讯,日本铠侠计划到2027年实现AI SSD的商业化,其数据读取速度将比传统产品快近100倍。该SSD将与英伟达合作开发并用于处理生成式AI计算的服务器,旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。
《科创板日报》10日讯,CFM闪存市场最新报告显示,预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情,为明年春季行情走势奠定基调。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上,预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅,手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。
财联社9月5日电,午后存储芯片概念走强,佰维存储涨超15%,万润科技触及涨停,江波龙、德明利、香农芯创、大港股份等跟涨。消息面上,由于DDR4 DRAM供不应求,三星和SK海力士将DDR4的生产计划延长至2026年,以应对市场需求。
《科创板日报》2日讯,由于DDR4价格在供应紧张的情况下保持坚挺,三星电子计划将原定于今年结束的DDR4 DRAM生产延长至明年。SK海力士近期也制定了类似的政策,决定增加DDR4产量,并已将此告知客户。
①联芸科技2025年上半年实现营业收入6.10亿元,同比增长15.68%;归母净利润0.56亿元,同比增长36.38%; ②联芸科技表示,终端应用对数据存储需求不断增长,公司数据存储主控芯片出货量保持增长,同时毛利更高的PCIe Gen4 SSD主控芯片的收入占比持续增加。
《科创板日报》18日讯,据闪存市场最新统计,在AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长,以及二季度存储原厂EOL(产品生命周期终止)通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下,2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元,创历史季度新高。其中,SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势,二季度以38.2%的市场份额蝉联第一,并扩大了与三星的差距。
财联社8月12日电,网传美国存储芯片厂商美光中国区业务调整。美光公司针对此变动回应称,鉴于移动NAND产品在市场持续疲软的财务表现,以及相较于其他NAND机会增长放缓,公司将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发,包括终止UFS5(第五代通用闪存存储)的开发。美光表示,此项决策仅影响全球移动NAND产品的开发工作,美光将继续开发并支持其他NAND解决方案,如SSD和面向汽车及其他终端市场的NAND解决方案。美光还将继续在全球范围内开发和支持移动DRAM(内存芯片)市场,并提供业界领先的DRAM产品组合。
《科创板日报》11日讯,根据TrendForce集邦咨询最新调查,相较PC和Server市场,近期消费级DRAM的供应更加紧张,其终端需求来自工控、网通、电视、消费性电子及控制器等,主要存储器的采用规格为DDR4,但供给排序在PC与Server应用之后,使得该市场供需失衡相对更加严峻。七月消费级DDR4合约价飙涨逾60~85%,因此大幅上修第三季消费级DDR4合约价到季增85%-90%。
①佰维存储2025年半年度报告发布,上半年营收39.12亿,归母净利润亏损2.26亿,去年同期为盈利。 ②佰维存储上半年研发投入增29.77%,获多项专利,产品打入OPPO、联想、Meta等多领域知名客户。
财联社8月5日电,中信证券研报指出,预计2025年第三季度主流、利基存储价格有望全面上涨,叠加消费类传统旺季,看好存储厂商第三季度表现。1)DDR4涨价、NOR Flash涨价逻辑下,我们重点推荐存储芯片设计龙头;此外,建议关注存储模组分销商。2)部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格,叠加原厂逐步退出DDR4,DDR5渗透率有望加快提升。