①在经历前期的AI交易狂热后，投资者们正变得越来越挑剔，不再盲目追逐AI风口进行广撒网式投资，而是将核心关注点放在：谁将成为最终的受益者； ②一边是像CoreWeave Inc.这样负债累累的公司，而另一边则是像美光科技这样盈利前景可观的公司。
①海光信息表示，目前公司订单情况良好，近期存储芯片涨价的主要原因是AI服务器的需求爆发，公司将持续深化与整机厂商的合作； ②海光信息深算三号产品进展顺利，海光DCU可兼容全球主流AI架构，满足十亿级模型端侧推理到千亿级模型训练的全场景需求。
财联社11月17日电，海光信息高管17日在第三季度业绩说明会上表示，存储芯片的价格波动可能会导致服务器厂商的成本有一定程度的上升。存储芯片涨价的主要原因是AI服务器的需求爆发，公司作为国内少数同时拥有高端通用处理器和AI加速处理器的芯片厂商，借助国内服务器市场对高性能计算芯片的需求增长，将持续深化与整机厂商合作，推动产品市场版图扩展。
财联社11月17日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，2026年全球市场仍面临不确定性，通胀持续干扰消费市场表现，更关键的是，存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。基于此，该机构下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测，从原先的年增0.1%及1.7%，分别调降至年减2%及2.4%。此外，若存储器供需失衡加剧，或终端售价上调幅度超出预期，生产出货预测仍有进一步下修风险。
《科创板日报》17日讯，全球DRAM市场缺货，下游DRAM模组价格跟涨且一货难求。有渠道经销商要求客户“买一条DRAM模组，要搭配一片主板”，为DRAM问世以来首次。另外，PC零组件渠道商透露，报价“一天多变”，报价网站仅供参考，现场询问报价才算数，且需要有确定购买意向才报价，上午下午报价未必一致。
①存储芯片“超级周期”强势回归叙事； ②大牛股香农芯创、德明利遭股东“高位”精准减持； ③“存货为王”背景下，A股玩家谁能多分一杯羹？
①由于AI需求导致供应短缺，三星本月部分内存芯片的价格较9月上调30%-60%。 ②此前三星率先暂停10月DDR5合约报价，引发SK海力士和美光等原厂跟进。 ③分销商表示，许多大型服务器制造商和数据中心公司已接受一个事实：他们根本拿不到足够的产品，目前支付的价格溢价“极其夸张”。
①日本铠侠第二季度调整后净利润意外大幅下降60%，未达市场预期，引发美国存储行业连锁反应，集体股价大跌； ②铠侠的业绩暴雷，究竟是孤立事件还是行业面临更广泛挑战的信号？
《科创板日报》14日讯，中芯国际赵海军在今日举行的业绩会上表示，存储芯片产能供应紧张，致使智能手机领域客户拿货趋于谨慎。（记者 郭辉）
①摩根士丹利将美光科技列为“首选股”，目标价直指325美元； ②韩国KB证券看好三星电子同时受益于HBM4与DRAM周期共振，预计2026年营业利润暴增108%，展望公司市值还有50%上行空间。
《科创板日报》13日讯，日本铠侠最新财报显示，2025年第三季度净利润为407亿日元，较去年同期下降62%。公司预计，在平均售价上涨和人工智能驱动的NAND闪存强劲需求的推动下，2025财年第四季度营收将创历史新高，利润也将强劲复苏。
①晨星分析师建议“卖出”三星电子和SK海力士，他认为韩国芯片股的估值已经高到难以证明其合理性的水平，这使得它们即使面临轻微不利因素，也极易出现大幅下跌； ②该分析师指出，尽管SK海力士和三星受益于人工智能驱动的高带宽内存芯片需求激增，但这类支出的长期前景远未确定。
《科创板日报》13日讯，三星电子和SK海力士已设定目标，力争在2026年上半年完成HBM4E的研发。据悉，HBM4E将应用于全球科技巨头的新型人工智能加速器中，包括英伟达Rubin平台的顶级版本R300。搭载HBM4E的AI加速器预计将于2027年发布，因此双方正在加速研发，争取在明年下半年完成质量验证。
①华尔街大行摩根士丹利近日发布了一份名为《内存——最强定价权》的报告，阐述了其对内存行业的最新看法； ②该行在报告中上调了韩国两大存储芯片巨头三星电子和SK海力士的目标股价； ③该行预测DRAM价格将在未来几周内继续大幅上涨，NAND合约价格在第四季可能会上涨20%至30%。
①三星、SK海力士和铠侠等正谋划推动NAND价格上调。其中三星正与海外大型客户讨论明年供货量，内部考虑涨价20%-30%以上。 ②闪存龙头闪迪已大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。 ③北美科技巨头担心NAND价格飙升，已开启“恐慌性囤货”，部分供应商明年供货量已售罄。
《科创板日报》12日讯，三星、SK海力士、铠侠、美光这四大存储龙头今年下半年都纷纷削减NAND闪存供应量。同时，三星电子、SK海力士和铠侠等正在谋划推动NAND价格上调。其中，三星目前正与海外大型客户讨论明年的供货量，并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。
《科创板日报》12日讯，由于通用DRAM供应趋紧，价格预计将继续攀升，SK海力士在该业务领域的营业利润率预计将超过70%。此外，由于SK海力士目前大部分DRAM产能集中在HBM上，通用DRAM的短缺预计将持续存在。
《科创板日报》12日讯，根据TrendForce最新发布的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，尽管DDR4和DDR5现货价格因卖家持观望态度而持续攀升，但DRAM芯片报价已超过模块报价，预示着模块价格可能在短期内大幅上涨。与此同时，NAND方面，512Gb TLC NAND晶圆现货价格本周上涨17.1%，达到每片6.455美元。由于预计供应紧张的局面将持续，价格上涨势头可能会延续到下个季度。
《科创板日报》11日讯，随着AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，堆叠层数增加的趋势下，NOR Flash用量提升约50%，存储旺宏订单满手，将在明年第一季度调涨NOR Flash报价，涨幅上看三成。
